• 대한전기학회논문지
• /
• 제43권4호
• /
• pp.607-612
• /
• 1994

The static and dynamic model of IGBT for the SPICE simulation has been successfully developed. The various circuit model parameters are extracted from the I-V and C-V characteristics of IGBT and implemented into our model. The static model of IGBT consists of the MOSFET, bipolar transistor and series resistance. The parameters to be extracted are the threshold voltage of MOSFET, current gain $\beta$ of bipolar transistor, and the series resistance. They can be extracted from the measured I-V characteristics curve. The C-V characteristics between the terminals are very important parameters to determine the turn-on and turn-off waveform. Especially, voltage dependent capacitance are polynomially approximated to obtain the exact turn-on and turn-off waveforms. The SPICE simulation results employing new model agree well with the experimental values.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제26권6호
• /
• pp.38-47
• /
• 1989

헴트(HEMT) 소자의 순수 해석적 DC모델이 2차원 전하제어 시뮬레이션 결과[4]에 기초하여 제작되었다. 이 모델에서는 2-DEG 채널의 전자 운송 역학에 확산 효과를 추가하였다. 이 확산효과는 기존 1차원 DC모델에서 사용하는 전자 이동도 및 문턱전압을 증가시키는 효과를 가졌음을 보였다. 또한 2-DEG 농도분포함수를 piecewise 선형화하여 HEMT 소자의 subthreshold 특성의 해석적 모델을 추가하였고, 따라서 2-DEG의 채널 두께 및 게이트 용량을 게이트 전압의 함수로 나타내었다. I-V curve의 전류포화영역에서의 기울기를 모델하는데는 gate 밑의 전자포화채널 지역에서의 전자채널두께와 채널길이 변조현상을 함께 고려하였다. Troffimenkoff형의 전장의존 전자이동도를 사용하여 I-V곡선의 포화현상을 모델하였다. 또한 기존 1차원 모델에서 감안되지 않은 2차원 효과가 실제 전류특성곡선에서 매우 중요한 역할을 하며, 이 효과가 효과적으로 1개의 보정상수f로 보상됨을 보였고, 물리적으로 이 상수가 채널 GCA 지역과 채널포화지역 사이에 형성되는 채널천이지역의 전자농도와 관계됨을 보였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.1561-1562
• /
• 2013

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1990년도 추계학술대회 논문집 학회본부
• /
• pp.157-160
• /
• 1990

A dot matrix type DC Plasma Display Panel was fabricated and it's characteristics was investigated. Paschen curve and I-V curve of various gas mixture was given. Optimal gas mixing ratio, pressure and operating point was determined. The priming effect was observed and discharge delay time was measured with varing applied voltage, priming current, priming distance, duty ratio.

• Journal of Magnetics
• /
• 제14권1호
• /
• pp.11-14
• /
• 2009

We investigated the I-V curves and differential tunneling conductance of two, CoFeB/MgO/CoFeB-based, magnetic tunnel junctions (MTJs): one with a low tunneling magnetoresistance (TMR; 22%) and the other with a high TMR (352%). This huge TMR difference was achieved by different MgO sputter conditions rather than by different annealing or deposition temperature. In addition to the TMR difference, the junction resistances were much higher in the low-TMR MTJ than in the high-TMR MTJ. The low-TMR MTJ showed a clear parabolic behavior in the dI/dV-V curve. This high resistance and parabolic behavior were well explained by the Simmons' simple barrier model. However, the tunneling properties of the high-TMR MTJ could not be explained by this model. The characteristic tunneling properties of the high-TMR MTJ were a relatively low junction resistance, a linear relation in the I-V curve, and conduction dips in the differential tunneling conductance. We explained these features by applying the coherent tunneling model.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
• /
• pp.115-115
• /
• 2008

본 논문에서는 최적화된 ECMP 공정을 위하여 I-V 특성 곡선과 CV법을 이용하여 패시베이션 막의 active, passive, transient, trans-passive 영역의 전기화학적 특성을 알아보았으며, Cu막의 표면 형상을 Scanning Electron Microscopy (SEM) 측정과 금속 화학적 조성을 Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) 분석을 통해 분석하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제5권6호
• /
• pp.219-222
• /
• 2004

This paper discovers that there are some peculiar properties that can remove holography grating, which was made in chacogenide thin film by impressed voltage. The thin films were used are $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$, and we use He-Ne laser in order to form thin films. I-V curved line in a thin film before a lattice was made has the critical point, about 3.7 V. Moreover, the I-V curved line increased current intensity at over 4 V after it made thin film. In addition, while holography grating is being made, and when it has the highest diffraction efficiency, a lattice can be deleted if put more voltage into it.

• 조명전기설비학회논문지
• /
• 제23권1호
• /
• pp.59-68
• /
• 2009

분산진원으로서 연료전지 발전장치는 100w부터 수백[kw]의 용량을 가지며 종전의 대규모 전력설비와 비교하여 높은 신뢰도를 갖는 고품질의 전력을 공급할 수 있다. 본 연구에서는 소형 분산전원으로서 PEMFC(polymer electrolyte membrane fuel cell)연료전지 발전장치에 대한 PSIM(power electronics simulation tool) 모델을 설정하고 이를 바탕으로 DSP(digital signal processor)기반의 연료전지 하드웨어 시뮬레이터를 구현하였다. 연료전지 전류와 출력전압과의 관계는 연료전지의 전압-전류(V-I) 곡선 중 ohmic영역에서 1차 함수로 간략화 하였다. 구현된 시스템은 PEMFC 하드웨어 시뮬레이터, 절연형 풀 브리지 직류 부스트 컨버터 그리고 60[Hz] PWM인버터로 구성되어있다. 부하변동 및 과도상태에 대한 연료전지 하드웨어 시뮬레이터의 전압-전류-전력(V-I-P) 특성을 파악하였으며, 저항 부하 및 비선형 부하에 대한 전력변환기의 60[Hz] 정현파 교류출력 전압파형을 고찰하였다.

• 한국태양에너지학회 논문집
• /
• 제37권4호
• /
• pp.23-33
• /
• 2017

A great deal of study for loss reduction of photovoltaic system is conducted currently. It is hard to distinct the fault of photovoltaic system with the naked eye. For that reason, it is essential to repair and maintain the PV system by monitoring the system. The fault of individual modules can cause the huge loss of the entire system because of the mismatch. Therefore, the method of diagnosing the PV array is necessary by measuring the multi-channel arrays simultaneously. In this paper, it is presented the method of measuring I-V curve of multi-channel arrays simultaneously by using the charge and discharge characteristics of capacitor. Generated DC power at PV arrays is charged and discharged at the capacitors in a moment. By measuring the charged voltage and current, it is possible to diagnose of performance of PV arrays.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제22권4호
• /
• pp.51-58
• /
• 1985

Ion-implanted E-IGFET의 도핑 profile을 임의로 가정하여 threshold 전압을 구하였고. short-channoel에 적용할 때 correction factor K의 개념을 사용하였다. Threshold전압의 이론치는 실험치와 잘 일치하였고, 또한 I-V특성도 실험치와 잘 일치하였다. 아울러 이 program을 package화 하여 실용화시켰다.