• The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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• 제9권3호
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• pp.179-186
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• 2005

Whole bee venom (WBV) and its major component, melittin, have been reported to induce long-lasting spontaneous flinchings and hyperalgesia. The current study was designed to elucidate the peripheral and spinal mechanisms of N-methyl-D-aspartate (NMDA) and non-NMDA receptors by which intraplantar (i.pl.) injection of WBV and melittin induced nociceptive responses. Changes in mechanical threshold and flinching behaviors were measured after the injection of WBV (0.04 mg or 0.1 mg/paw) and melittin (0.02 mg or 0.05 mg/paw) into the mid-plantar area of a rat hindpaw. MK-801 and CNQX (6-cyano-7-nitroquinoxaline-2,3-dione disodium) were administered intrathecally (i.t. $10{\mu}g$) or i.pl.($15{\mu}g$) 15 min before or i.t. 60 min after i.pl. WBV and melittin injection. Intrathecal pre- and postadministration of MK-801 and CNQX significantly attenuated the ability of high dose WBV and melittin to reduce paw withdrawal threshold (PWT). In the rat injected with low dose, but not high dose, of WBV and melittin, i.pl. injection of MK-801 effectively suppressed the decrease of PWTs only at the later time-points, but the inhibitory effect of CNQX (i.pl.) was significant at all time-point after the injection of low dose melittin. High dose WBV- and melittin-induced spontaneous flinchings were significantly suppressed by i.t. administration of MK-801 and CNQX, and low dose WBV- and melittin-induced flinchings were significantly reduced only by intraplantarly administered CNQX, but not by MK-801. These experimental flinchings suggest that spinal, and partial peripheral mechanisms of NMDA and non-NMDA receptors are involved in the development and maintenance of WBV- and melittin-induced nociceptive responses.

• 한국재료학회지
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• 제7권3호
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• pp.213-217
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• 1997

200MHz 응향광변조기 (AOM: Acousto-Optic Modulator)는 제 2고조파(SHG: Second Harmonic Generation)녹색 레이저와 함께 DVDR(Digital Video Disk Recorder)에 적용되어 고밀도 광기록용으로 사용되었다. 이러한 고밀도 광기록 장치로써 사용되기 위해서는 고출력 레이저의 사용이 필수적이며, 레이저 빔이 통과하는 각 광학 소자들의 코팅막은 고출력 레이저 빔에 대해 높은 레이저 damage threshold를 가져야 한다. AOM의 음향공학재료로 사용되는 $TeO_{2}$단결정에 코팅막의 종류 및 증착조건을 변화시키며 E-beam 증착법으로 A/R코팅 시편을 준비하였다. 0.55W의 입력 power를 갖는Ar레이저를 사용하여 코팅의 광손상 정도를 확인하였다. $AI_{2}O_{3}$막에 비해 $ZrO_{2}$와 $SiO_{2}$막을 사용한 경우 레이저 damage threshold는 크게 향상되었다. 또한 AOM모듈을 제작 후 구동회로와 연결하여 약 20mW의 SHG power를 입력시키며 출력 power long term안정성을 측정하였다.

• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제53권4호
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• pp.258-264
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• 2004

This paper propose a method that GOP structure based on the picture complexity change realtime adaptive without pre-analysis or time delay. Proposed algorithm calculates the complexity of pictures at first, and the ratio of the complexity( X$\sub$p/ /X$\sub$i/) between P picture and I picture is calculated. The suitable M value for the three picture select by comparing with predetermined threshold. Used bit and vbv_delay the value of GOP is calculated according to selected M. Experimental results show that the prediction error is reduce than the fixed GOP structure. Since the complexity distribution of the sequence is different, applied limits of threshold value is changed, also.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.835-838
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• 1998

본 연구에서는 칼라 CCD 센서를 제어하여, shading과 .gamma. correction 된 데이터를 읽어 들여, 이를 이진레벨 데이터로 바꾼후, 원래의 다치레벨 또는 이진레벨 데이터를 SCSI나 DMA I/F를 통해 전달하는 ASIC을 설계하였다. 본 ASIC에서는 이진화를 위하여 문자 모드에서는 simple threshold와 LAT(local adaptive threshold) 알고리즘을, 그림모드에서는 stucki error diffusion 알고리즘을 적용하였다. 그리고, 구성은 CCD센서 제어블락, 스텝 모타 제어제어블락, 이미지 축소블락, 데이터 이진화 블락, 그리고 DATA I/F 블락 등으로 이루어져 있다. 또한 사용된 technology는 삼성 0.5um CMOS standard cell이며, 크기는 45K gates(내부 메모리 제외)이고, 160QFP package로 구현되었다. ㅎㅁㅅㄷㄴ (soqn apa

• 대한전자공학회논문지
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• 제5권2호
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• pp.8-14
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• 1968

트란지스타 단일안정 멀티바이부래타(monostable multi-vibrator)와 시리콘턴넬 다이오드 (T.D)로써 구성된 전류파 파고변별기를 설계하여 그 특성을 조사하였다. 피측정 전류액의 범위는 50㎂-5.23mA이며, 이 범위에 있어서 측정된 최대비직선도는 ±0.75% 이었다. 이 변별기의 전류액 분해능은 T.D를 통하여 흐르는 편의전류에 따라서 약간 달라지며 역방향 편의전류가 3 mA 일때, 만일 5%의 과잉파고를 주용한다면 그 분해시간은 2μS이다. 다음에 이 변별기의 임계치 안정도는 주로 T.D의 턴넬전류의 최대치 1 의 안정도에 의하여 좌우되며 환경온도의 변화범위가 0℃∼50℃일때는 최대비직선도 즉 ±0.75T 보다 더큰 임계치변화는 관측되지 않았다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제3권2호
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• pp.69-75
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• 2003

Cell transistor and data retention time characteristics were studied in 90 nm design rule 512M-bit DRAM, for the first time. And, the characteristics of cell transistor are investigated for different STI gap-fill materials. HDP oxide with high compressive stress increases the threshold voltage of cell transistor, whereas the P-SOG oxide with small stress decreases the threshold voltage of cell transistor. Stress between silicon and gap-fill oxide material is found to be the major cause of the shift of the cell transistor threshold voltage. If high stress material is used for STI gap fill, channel-doping concentration can be reduced, so that cell junction leakage current is decreased and data retention time is increased.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권3호
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• pp.146-151
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• 2018

In this study, we compared the threshold-voltage extraction methods of accumulation-type JLDG (junctionless double-gate) MOSFETs (metal-oxide semiconductor field-effect transistors). Threshold voltage is the most basic element of transistor design; therefore, accurate threshold-voltage extraction is the most important factor in integrated-circuit design. For this purpose, analytical potential distributions were obtained and diffusion-drift current equations for these potential distributions were used. There are the ${\phi}_{min}$ method, based on the physical concept; the linear extrapolation method; and the second and third derivative method from the $I_d-V_g$ relation. We observed that the threshold-voltages extracted using the maximum value of TD (third derivatives) and the ${\phi}_{min}$ method were the most reasonable in JLDG MOSFETs. In the case of 20 nm channel length or more, similar results were obtained for other methods, except for the linear extrapolation method. However, when the channel length is below 20 nm, only the ${\phi}_{min}$ method and the TD method reflected the short-channel effect.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권12호
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• pp.48-52
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• 1998

본 논문에서는 SOI 기판 위에 새롭게 제안된 측면 채널과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자를 제작하였다. Top-silicon의 측면이 채널영역이 되고 나노 점이 이 채널 영역의 위에 반응성 이온 식각(RIE)에 의해 형성되는 구조를 가지는 이 소자는 측면 채널(edge channel)의 너비가 SOI기판의 열산화에 의해 얇아진 top-silicon의 두께에 의해 결정되고, 나노 점의 크기는 반응성 이온 식각(RIE) 및 전자선 직접 묘화에 의해 결정된다. 제작된 나노 구조 소자의 I/sub d/-V/sub d/, I/sub d/-V/sub g/ 특성 및 -20V에서 +14V까지의 게이트 전압 영역에서 문턱전압의 변화 범위가 약 1V정도 되는 기억소자의 특성을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.36-46
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• 1979

본 연구에서는 N -채널 실리콘 게이트 제작기술에 의하여 일련의 크기를 가지는 커페시터와 트렌지스터들이 제작되었다. 그 결과 다양한 이온 주입 조걸, 즉 B 의 경우 에너지 30keV∼60keV와 도오스 3 × 10 ~ 5 × 10 개/㎠ 그리고 P 의 경우 에너지 1001keV∼ 175keV와 4 ×10 ~ 7×11개/㎠ 도오스 영역에서 이들에 대한 D.C. 인자들의 측정치들이 이론적인 계산치들과 비상, 분석되어 있다. 이 D.C. 인자들에는 threshold전압, 공핍층의 폭, 게이트 산화물 두께, 표면상태, 가동 하전입자 밀도, 전자의 이동도 그리고 마지막으로 누설전류가 있는데, 이중 실제 MOS의 제작에 있어서 특허 중요한 threshold전압에 있어서는, 커어브트레이서와 C - V plot을 통하여 측정된 값들이 실제 재산에서 이용된 SUPREM II 컴퓨우터 프로그램에 의한 결과와 훌륭히 접근하고 있다. 그 밖에 여기나온 D.C.인자들 중에서 도오핑 수준은 기판의 역 게이트 바이어스에서 threshold전압들로 부터 계산된 것이고, 역전도는 정의된 subthreshold 기울기로 부터 추산된 것임을 밝혀 둔다. 마지막으로 이와같은 D. C. 시험 결과들을 종합적으로 평가해 볼 때 만들어진 커페시터와 트렌지스터들이 N -채널 MOS I. C. 기억소자용으로 적합함을 보여주고 있다.

• 한국음향학회지
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• 제19권3호
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• pp.20-25
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• 2000

본 논문에서는 3차원 물체 인식을 위한 표면 분류 및 임계치 선정 방법에 대해 제안 하고자 한다. 3차원 영상 처리는 크게 거리 영상의 획득과 특징 추출 그리고 정합 과정으로 이루어진다. 본 논문에서는 전체 3차원 영상 처리 시스템중 거리 영상을 입력으로 했을 시 형상 특징을 추출하는 방법에 대해 제안하고자 한다. 이를 위해 첫째, 거리 영상의 깊이 변화 부호 값의 분포 특성에 따라 표면을 분류하는 방법을 제안하고자 한다. 또한 평균 곡률과 가우스 곡률을 이용하여 표면을 분류했던 기존 방법을 토대로 그의 문제점이었던 실제 거리 영상에서의 임계치 선정 방법에 대하여 제안하고자 한다. 끝으로 제안한 방법의 유용성을 실험에 의해 입증하고자 한다.