Performance bottleneck of parallel computer systems has mostly been I/O devices because of disparity between processor speed and I/O speed. Therefore I/O node placement strategy is required such that it can minimize the number of I/O nodes, I/O access time and I/O traffic in an interconnection network. In this paper, we propose an optimal distance-k embedding algorithm, and analyze its effect on system performance when this algorithm is applied to n x n torus architecture. We prove this algorithm is an efficient I/O node placement using software simulation. I/O node placement using the proposed algorithm shows the highest performance among other I/O node placements in all cases. It is because locations of I/O nodes are uniformly distributed in the whole network, resulting in reduced traffic in the intE'rconnection network.
In this study, we measured the Index of Greeness(I.O.G) and analyzed factors that affect in downtown street of Seoul. The aim of this article is to provide an ways of improving I.O.G, with an emphasis on accuracy of measurement. We utilized the autimatic measurment techniques proposed by Tonosaki to solve the problem of accuracy in measurement. The result is as follows : Firstly, the average I.O.G of Gwanghwamun Plaza is 15.76%, Jongno is 11.48% and Dasanro(from Yaksu station to Beotigogae station) is 6.36%. According to the comprehensive analysis in three reseach areas, it shows that I.O.G is intimately linked with planting method, species of trees and the presence of wall planting. Secondly, it was analyzed that grass and ground-cover planting promote I.O.G better than other method. The I.O.G of photo which contains grass is 45.47%. According to the comparative analysis between tree planting and multi-planting method, the presence of lower planting showed a difference about 8.77% of I.O.G.. From the persipective of I.O.G, tree planting with two lines is more effective than one. The difference of two ways is about 3.24%. Thirdly, it is an efficint way to use the wall planting or vertical planting in order to promote I.O.G.. In Dasanro, The I.O.G of photo which contains wall planting or vertical planting is 45.47% in contrast to the average of I.O.G. is 6.36%. Fourthly, the difference of I.O.G between broadleaf tree and needleleaf tree was larger than we thought. If look closely confined to this study, the I.O.G of street planted by Pine is 3.61% and Eastern Sycamore Family Bottonwood is 12.55%.
대용량의 NAND 플래시 메모리가 출시됨으로써, 다양한 용도로 사용이 가능해 졌다. 특히 모바일기기의 멀티미디어 기능 확장으로 인해 대용량 NAND 플래시 메모리의 수요가 증가하고 있다. YAFFS2, NILFS2, JFFS2 파일시스템은 NAND 플래시 메모리 전용 파일시스템이다. 본 논문에서는 각 3개의 파일시스템에 4개의 I/O scheduler : CFQ(Complete Fair Queuing) I/O scheduler, NOOP(No Operation) I/O scheduler, Anticipatory I/O scheduler, Deadline I/O scheduler에 대한 순차적인 읽기, 쓰기 성능을 분석하였다. JFFS2 파일시스템 상에서의 Anticipatory I/O scheduler가 다른 I/O scheduler보다 쓰기 8%, 읽기 1.5% 이상 시간이 단축되었다. YAFFS2 파일시스템상에서는 4개의 I/O scheduler 시간이 일정하다. NILFS2 파일시스템에서는 Deadline I/O scheduler가 다른 I/O scheduler보다 쓰기 2%, NOOP I/O scheduler가 읽기 6%정도 시간이 단축 된다.
A new bis(dicyclohexylammonium) chromate dihydrate complex, $[(C_6H_{11})_2NH_2]_2[CrO_4]{\cdot}2H_2O$, (I), has been synthesized and its structure analyzed by FT-IR, EDS, elemental analysis, ICP-AES, and single crystal X-ray diffraction methods. The Cr(VI) complex (I) is tetragonal system, I${\bar{4}}$2d space group with a = 12.5196(1), b = 12.5196(1), c = $17.3796(3){\AA}$, a = ${\beta}$ = ${\gamma}$ = $90^{\circ}$, V = $2724.09(6){\AA}^3$, Z = 4. The crystal structure of complex (I) consists of tetrahedral chromate $[CrO_4]^{2-}$ anion, two organic dicyclohexylammonium $[(C_6H_{11})_2NH_2]^+$ cations and two lattice water molecules. The chromate anion and protonated dicyclohexylammonium cation is mainly constructed through the ionic bond. The cyclohexylammonium rings of the dicyclohexylammonium cation take the chair form and vertical configuration with each other. The N-H${\cdot}$O and O-H${\cdot}$O hydrogen bond networks between the $N_{dicyclohexylammonium}$, $O_{water}$ and $O_{chromate}$ atom lead to self-assembled molecular conformation and stabilize the crystal structure.
낸드 플래시 메모리 기반의 NVMe(Non-Volatile Memory express) SSD(Solid State Drive)는 멀티 I/O 큐 환경을 제공하는 PCIe 인터페이스 기반에 NVMe 프로토콜을 사용하는 저장장치이다. NVMe SSD는 Multi-core 시스템에서 병렬 I/O 처리가 가능하고 SATA SSD에 비해 대역폭이 크며 대용량의 저장 공간을 제공하기 때문에 데이터 센터, 클라우드 컴퓨팅 등에 사용될 차세대 저장장치로 주목받고 있다. 하지만 가상화 시스템에서는 소프트웨어 I/O 스택의 병목으로 인하여 NVMe SSD의 성능을 충분히 활용하지 못하고 있다. 특히, Xen과 KVM과 같이 호스트 시스템의 I/O 스택을 사용하는 경우에는, 호스트 시스템과 가상머신의 중복된 I/O 스택을 통해서 입출력이 처리되기 때문에 성능 저하가 크게 발생한다. 본 논문에서는 NVMe SSD에 직접 접근하는 기술을 KVM 가상화 시스템에 적용함으로써 가상 머신 I/O의 성능을 향상시키는 Direct-AIO (Direct-Asynchronous I/O)엔진을 제안한다. 그리고 QEMU 에뮬레이터에 제안한 엔진을 개발하고 기존의 I/O 엔진과의 성능 차이를 비교 및 분석한다.
Recently NAND flash memory has been found to be the primary cause of low performance in the smart device. NAND flash memory is different from each other the execution time of I/O operations that flash file system is required. Therefore, it is necessary to compare and analyze the flash file system I/O performance for the efficient I/O on smart device. In this paper, it was tested and analyzing the I/O performance of the YAFFS2, JFFS2, UBIFS. Experimental results most read I/O performance is good, but the writing I/O performance is not good. For UBIFS, showed a more good I/O performance compared to other flash file system.
Investigation of improving the properties of UV detector which uses the wide bandgap of ZnO are under active progress. The present study focused on the design and fabrication of i-ZnO/p-inversion $layer/n^--Si$ Epi. which is characterized with very thin p-type inversion layer for UV detectors. The i-ZnO thin film for achieving p-inversion layer which was grown by RF sputtering at $450^{\circ}C$ and then annealed at $400^{\circ}C$ in $O_2$ gas for 20 min shows good intrinsic properties. High (0002) peak intensity of the i-ZnO film is shown on XRD spectrum and it is confirmed by XPS analysis that the ratio of Zn : O of the i-ZnO film is nearly 1 : 1. Measurement shows high transmission of 79.5 % in UV range (< 400 nm) for the i-ZnO film. Measurement of $V_r-I_{ph}$ shows high UV photo-current of 1.2 mA under the reverse bias of 30 V.
무금속 프탈로시아닌/산화아연계의 감광호(photosensitization) 효율을 높이기 위하여 무금속 프탈로시아닌$(H_2Pc)$을 요오드로 도핑[$H_2Pc(I)_x$]하였다. $H_2Pc$ 결정형에 따른 $H_2Pc(I)_x$의 요오드 도핑 함량(x)은 원소 분석한 결과 $X-H_2Pc(I)_{0.92}$이고 ${\beta}-H_2Pc(I)_{0.96}$로 나타났다. $H_2Pc$에 대한 요오드의 도핑특성은 열무게 분석 (thermogravimetric analysis: TGA), UV-Vis, FT-IR 및 Raman 스펙트럼, 그리고 전자스핀 공명(electron spin resonance: ESR)으로 측정하였고, 산화아연에 대한 $H_2Pc(I)_x$의 흡착특성은 라만 스펙트럼 및 ESR로 조사하였다. TGA 분석 결과 $H_2Pc(I)_x$에 존재하는 요오드는 약 265$^{\circ}C$에서 완전히 없어졌고, 514.5 nm로 여기시킨 $H_2Pc(I)_x$ 및 $ZnO/H_2Pc(I)_x$의 Raman 스펙트럼에서는 주파수가 90~550 $cm^{-1}$에서 $I_3^-$의 특성 피크가 나타났다. 그리고 $ZnO/H_2Pc(I)_x$는 $g=2.0025{\pm}0.0005$에서 $ZnO/H_2Pc$보다 아주 강하고 좁은 ESR 신호가 나타났다. 요오드가 도핑된 $ZnO/H_2Pc(I)_x$의 감광화 효과는 요오드가 도핑되지 않은 $ZnO/H_2Pc$보다 높게 나타났다. 즉 670 nm에서 $ZnO/{\chi}-H_2Pc(I)_{0.92}$의 광기전력은 $ZnO/{\chi}-H_2Pc$보다 약 31배 높게 나타났고, ZnO/{\beta}-H_2Pc(I)_{0.96}$는 $ZnO/{\beta}-H_2Pc$보다 약 5배 높게 나타났다. $H_2Pc$ 결정형에 따른 $ZnO/H_2Pc(I)_x$의 감광화 효과는 670nm에서 $ZnO/{\chi}-H_2Pc(I)_{0.92}$가 $ZnO/{\beta}-H_2Pc(I)_{0.96}$보다 광기전력이 5배 높게 나타났다. 그러므로 $H_2Pc$가 요오드로 도핑됨에 따라 광전도성이 증가되어 산화아연에 대한 가시부에서의 감광화 효과가 향상되었다.
최근에는 가상화 기술이 임베디드 시스템 분야에도 적용 되면서, 다양한 종류의 임베디드 시스템이 하나의 물리 머신에서 동시에 실행되어야 하는 경우가 늘어나고 있다. 임베디드 시스템은 다양한 특성을 가지는데 그 중 하나가 바로 I/O 처리에 되한 지연시간의 보장이다. 본 논문에서는 임베디드 가상화 환경에서 I/O 지연 시간이 발생하는 원인을 분석하고 이를 해결 하기 위한 방법을 제안한다. 그리고 실험을 통해서 I/O 지연시간이 개선 될 수 있음을 보인다.
SSD는 HDD와 다른 물리적 특성으로 인해 새로운 I/O 스케줄러를 요구하고 있다. 본 논문은 기존 CFQ 스케줄러가 SSD에서 어떤 성능을 보이는지 다양한 설정값 하에서 실험하고, 그 결과를 분석하여 SSD에서의 I/O 스케줄링 성능의 특징을 알아보고자 한다. 대상 설정값으로는 역탐색 제한 설정, FIFO 큐 내의 I/O 요청에 대한 만료 시간, I/O 요청 큐 별 할당 시간, 동기적 요청 큐를 위한 대기 시간을 고려하였다. 이러한 설정값을 다양하게 변화시키며 여러 개의 I/O 벤치마크 프로세스를 동시에 수행한 결과, 역탐색 제한을 제거하면 처리량이 상승하지만 그 폭이 매우 적으며, I/O 요청 만료 시간에 대해서는 연관성을 찾지 못하였다. I/O 요청 큐 별 할당 시간과 동기적 요청 큐를 위한 대기 시간은 클수록 처리량이 상승함을 보였다. CFQ의 목표인 평등성은 항상 97% 이상 보장됨을 관찰할 수 있었다. 우리는 이러한 결과가 차후 평등성을 보장하는 새로운 SSD I/O 스케줄러의 연구를 위한 초석이 되리라 기대한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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