• 한국군사과학기술학회지
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• 제5권2호
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• pp.103-115
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• 2002

This paper describes the results on the design and implementation of large capacity cable checking system using I/O buffer method. The I/O buffer module which has feedback loops with input and output buffers is designed with logic gate in the VME board and controlled by MPC860 microprocessor. So this system can check a lot of cable at the same time with less size and less processing time than that of relay matrix method with the A/D converter. The size of the I/O buffer module can be variable according to the number of cable. And any type of cable can be checked even if the pin assignment of cable is changed.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.345-348
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• 2000

In this paper, We described the procedures to generate an input-output buffer information specification (IBIS) model in digital IC circuits. We gives the method to describe IBIS standard I/O for the characteristics of I/O buffer and to represent its electrical characteristics. The parameters of I/O structure for I/O buffer modelling are also referred, and an IBIS model for CMOS, TTL IC, ROM and RAM constructed amounts about 216. This IBIS model can be used to the simulation of signal integrity of high speed circuits in a PCB level.

• ETRI Journal
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• 제25권5호
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• pp.297-304
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• 2003

A multimedia SoC often requires a large internal buffer, because it must store the whole search window to reduce the huge I/O bandwidth of motion estimation. However, the silicon area of the internal buffer increases tremendously as the search range becomes larger. This paper proposes a new method that greatly reduces the internal buffer size of a multimedia SoC while the computational cost, I/O bandwidth, and image quality do not change. In the proposed method, only the overlapped parts of search windows for consecutive macroblocks are stored in the internal buffer. The proposed method reduces the internal buffer. The proposed method reduces the internal buffer size to 1/5.0 and 1/8.8 when the search range is ${\pm}64{\times}{\pm}$64 and ${\pm}128{\times}{\pm}$128, respectively.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제10권1호
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• pp.24-27
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• 2009

N-doped ZnO thin films were deposited on n-type Si(100) and homo-buffer layer, and undoped ZnO thin film was also deposited on homo-buffer layer by RF magnetron sputtering method. After deposition, all films were in-situ annealed at $800^{\circ}C$ for 5 minutes in ambient of $O_2$ with pressure of 10Torr. X -ray diffraction shows that the homo-buffer layer is beneficial to the crystalline of N-doped ZnO thin films and all films have preferable c-axis orientation. Atomic force microscopy shows that undoped ZnO thin film grown on homo-buffer layer has an evident improvement of smoothness compared with N-dope ZnO thin films. Hall-effect measurements show that all ZnO films annealed at $800^{\circ}C$ possess p-type conductivities. The undoped ZnO film has the highest carrier concentration of $1.145{\times}10^{17}cm{-3}$. The photoluminescence spectra show the emissions related to FE, DAP and many defects such as $V_{Zn}$, $Zn_O$, $O_i$ and $O_{Zn}$. The p-type defects ($O_i$, $V_{Zn}$, and $O_{Zn}$) are dominant. The undoped ZnO thin film has a better p-type conductivity compared with N-doped ZnO thin film.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제10권2호
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• pp.134-145
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• 2004

네트워크를 통해 전송되는 데이타의 양이 급속히 증가함에 따라 확장성 있는 저장 시스템에 대한 사용자 요구가 증가하고 있다. 네트워크 연결형 자료 저장 시스템인 SAN(Storage Area Network)은 호스트와 디스크를 광채널 스위치로 연결하는 구조로서 저장 공간과 서버에 대한 확장성을 제공한다. SAN 환경에서는 다수의 호스트가 네트워크에 연결된 저장 장치를 공유하므로 공유 데이타에 대한 일관성 유지가 필요하다. 이를 위해 각 호스트가 수정한 데이타를 즉시 디스크에 반영하는 방법을 사용하고 있지만 이는 느린 디스크 접근 시간(Disk Access Time)으로 인해 시스템의 성능을 저하시키는 요인이 된다. 본 논문에서는 필요한 공유 데이타를 다른 호스트의 메모리를 통해서 직접 전송 받을 수 있도록 하여 공유 데이타의 접근 속도를 향상시킬 수 있는 전역 버퍼 관리자의 설계와 구현에 대해 소개한다. SANtopia 전역 버퍼 관리자는 SAN에 연결된 호스트들이 서로의 버퍼 캐시를 공유하도록 함으로써 블록 데이타로의 빠른 접근을 가능하게 한다. 마이크로 벤치마크를 통한 블록 단위 I/O의 성능 측정 결과, 전역 버퍼 관리자를 사용하는 것이 기존의 디스크 I/O를 사용하는 방법에 비해 약 1.8-12.8배 정도 빠른 성능을 보였으며 파일 시스템 벤치마크를 통한 성능 측정 결과. 전역 버퍼 관리자를 사용한 SANtopia 파일 시스템은 사용하지 않은 것과 비교해서 디렉터리 파일 시스템 콜의 경우 약 1.06배 정도 빠르고 일반 파일시스템 콜은 약 1.14배 정도 빠른 성능을 보였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.183-186
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• 2004

The metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFIS) capacitors were fabricated using a metalorganic decomposition (MOD)method. The $CeO_2$ thin films were deposited as a buffer layer on Si substrate and $Bi_{3.25}La_{0.75}Ti_3O_{12}$ (BLT) thin films were used as a ferroelectric layer. The electrical and structural properties of the MFIS structure were investigated by varying the $CeO_2$ layer thickness. The width of the memory window in the capacitance-voltage (C-V)curves for the MFIS structure decreased with increasing thickness of the $CeO_2$ layer. Auger electron spectroscopy (AES) and transmission electron microscopy (TEM) show no interdiffusion by using the $CeO_2$ film as buffer layer between the BLT film and Si substrate. The experimental results show that the BLT-based MFIS structure is suitable for non-volatile memory field-effect-transistors (FETs) with large memory window.

• 정보처리학회논문지A
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• 제9A권2호
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• pp.147-162
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• 2002

고속 입출력 장치를 갖는 다중 프로세서 시스템은 데이터의 처리 성능 향상과 함께 입출력의 집중화에 따른 병목 현상을 줄여줄 수 있다. 이 때 프로세서간의 데이터 전송에 사용되는 공유 메모리는 그 구성과 이용 방법에 따라 시스템 성능에 많은 영향을 미치게 되는데, 본 논문에서는 공유 메모리의 사용방법을 비동기, 메일박스를 통한 인터럽트 전달인지 방식으로 설정한 후 버퍼 및 공유 메모리의 최적 사용량을 예측할 수 있는 모델에 대해 연구하였다. 시스템에 주어지는 입출력 데이터는 이더넷(IEEE 802.3) 망에 흐르는 패킷을 모델로 하며, 이의 대역폭과 burstiness(패킷의 집중화 정도)에 따른 메모리 사용 상황에 대해 살펴보았다. 고속 이더넷(Fast Ethernet) 환경 하에서 시뮬레이션 및 실험에 의해 시스템의 입출력 대역폭뿐만 아니라 패킷의 집중화 정도에 따라서도 버퍼 및 공유 메모리의 사용량이 달라지며, 두 메모리 사이의 사용량에 대한 상관관계가 성립될 수 있음을 알 수 있다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권2호
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• pp.114-126
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• 2013

In this paper, we present a set of methodologies to model the electromagnetic susceptibility (EMS) testing of I/O buffers for mobile system memory based on the bulk current injection (BCI) method. An efficient equivalent circuit model is developed for the current injection probe, line impedance stabilization network (LISN), printed circuit board (PCB), and package. The simulation results show good correlation with the measurements and thus, the work presented here will enable electromagnetic susceptibility analysis at the integrated circuit (IC) design stage.

• 한국토양비료학회지
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• 제1권1호
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• pp.117-123
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• 1968

실험실내(實驗室內)에서의 가장 간편(簡便)하고 우리나라 조건(條件)에 맞는 석회소요량(石灰所要量) 결정법(決定法)을 선정(選定)하기 위(爲)하여 26종토양(種土壤) 표토시료(表土試料)의 화학적(化學的) 성질(性質)을 조사(調査)하는 동시(同時)에 3종(種)의 완충곡선법(緩衝曲線法)에 의(依)한 석회소요량(石灰所要量)을 조사(調査)하여 표준(標準)이 될 만한 완형선곡법(緩衡線曲法)을 정(定)하고 이 방법(方法)에 의(依)한 석회소요량(石灰所要量)을 조사(調査)하여 표준(標準)이 될 만한 완충곡선법(緩衝曲線法)을 정(定)하고 이 방법(方法)에 의(依)한 석회소요량(石灰所要量)을 Shoemaker 법(法), Woodruff 법(法) 및 O.R.D. 법(法)과 비교논평(比較論評)한 결과(結果)는 대략(大略) 다음과 같다. 1. 토양(土壤)의 염기포화도(鹽基飽和度)(X)와 완충곡선법(緩衝曲線法)I에 의(依)한 $Ca(OH)_2$ 소요량간(所要量間)에는 y=9.69-0.106X의 회귀관계(回歸關係) 및 1%수준(水準)에서 유의(有意)한 부(負)의 상관계수(相關係數)(r=-0.84)를 얻었다. 2. 토양(土壤)의 치환성(置換性) 수소(水素)이온(X)과 완충곡선법(緩衝曲線法)에 의(依)한 $Ca(OH)_2$ 소요량(所要量)(y)간(間)에는 y=2.05-0.86X ($r=0.86^{**}$)의 관계(關係)가 있으며 치환성수소(置換性水素) 및 치환성(置換性) Aluminum 합계량(合計量)(X)과 $Ca(OH)_2$ 소요량(所要量)(y)간(間)에는 y=1.19+0.71X($r=0.944^{**}$)의 관계(關係)를 얻었으며 이로써 토양중(土壤中)의 치환성수소함량(置換性水素含量)만의 경우보다 치환성수소(置換性水素)와 Aluminum을 합(合)한 양(量)과 $Ca(OH)_2$ 소요량간(所要量間)의 관계(關係)가 더 밀접(密接)함을 보였다. 3. 완충곡선(緩衝曲線)을 작성(作成)할 때 N-KCl, $CaCl_2$ 등(等) 중성염(中性鹽)을 미리 가(加)하고 $Ca(OH)_2$를 가(加)하였을 때와 통상(通常)의 방법(方法)으로 작성(作成) 하였을 때의 중화(中和)에 소요(所要)된 석회소요량(石灰所要量)과 공시토양중(供試土壤中)의 치환성수소(置換性水素)와 Aluminum 합계량(合計量)과의 관계(關係)를 조사(調査)한 결과(結果) 통상(通常)의 방법(方法)으로 완충곡선(緩衝曲線)을 작성(作成)하여 석회소요량(石灰所要量)을 결정(決定)하는 것이 가장 합리적(合理的)인 방법(方法)이라는 결과(結果)를 얻었다. 4. 가장 합리적(合理的)인 완충곡선법(緩衝曲線法) I에 의(依)한 석회소요량(石灰所要量)(X)과 Woodruff 법(法), Shoemaker 법(法) 및 O.R.D.법(法)에 의(依)한 석회소요량간(石灰所要量間)에는 각각(各各) y=1.95+0.84X ($r=0.91^{**}$), y=166+0.76X($r=0.92^{**}$) 및 y=2.79+0.82X($r=0.89^{**}$)의 관계(關係)가 있으며 본(本) 실험(實驗)의 공시토양조건하(供試土壤條件下)에서는 Shoemaker법(法)이 실험실내석회소요량(實驗室內石灰所要量) 측정방법(測定方法)으로 합리적(合理的)이고 현지포장(現地圃場)에서 간역(簡易) 검정법(檢定法)으로 사용중(使用中)인 O.R.D.법(法)도 실험실내방법(實驗室內方法)과 별(別)로 손색(損色)이 없는 방법(方法)이라고 생각(生覺)되기 때문에 이 두 방법(方法)을 우리나라에서는 통일(統一)해서 사용(使用)할 것을 제안(提案)한다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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• pp.201-206
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• 2000

Effects of the post-annealing temperature of CeO$_2$ buffer layers on the properties of YBCO films on CeO$_2$-buffered sapphire were investigated. 45 nm-thick CeO$_2$ buffer layer was prepared in-situ on r-cut sapphire using an on-axis rf magnetron sputtering method, which was later post-annealed at temperatures between 950$^{\circ}$C and 1100$^{\circ}$C in an oxygen-flowing environment. YBCO films were prepared on CeO$_2$-buffered sapphire (CbS), for which the surface morphology, crystal structures and electrical properties of the YBCO films were studied. YBCO films on post-annealed CbS appeared to have better properties than those on as-grown CbS with regard to the morphological, structural and electrical properties when the YBCO films were prepared on CeO$_2$ buffer layer post-annealed at temperatures of 1000 - 1050$^{\circ}$C. A TE$_{011}$ mode rutileloaded cylindrical cavity resonators was fabricated with the YBCO films placed as the endplates, for which the unloaded Q of the resonator was measured. It turned out that the resonator with the endplates prepared from the YBCO films on postannealed CbS at 1000 $^{\circ}$C showed the highest unloaded Q with the value more than 8 ${\times}$ 10$^5$ at 30 K and 8.6 CHz, revealing that the YBCO films on post-annealed CbS at 1000$^{\circ}$C the temperature could be the lowest among the YBCO films on post-annealed CbS.