The stability of the geometrically thin, two-temperature hot accretion disk is studied. The general criterion for thermal instability is derived from the linear local analyses, allowing for advective cooling and dynamics in the vertical direction. Specifically, classic unsaturated Comptonization disk is analysed in detail. We find five eigen-modes: (1) Heating mode grows in thermal time scale, $(5/3)({\alpha}{\omega})^{-1}$, where alpha is the viscosity parameter and w the Keplerian frequency. (2) Cooling mode decays in time scale, $(2/5)(T_e/T_i)({\alpha}{\omega})^{-1}$, where $T_e\;and\;T_i$ are the electron and ion temperatures, respectively. (3) Lightman-Eardley viscous mode decays in time scale, $(4/3)(\Lambda/H)^2({\alpha}{\omega})^{-1}$, where $\Lambda$ is the wavelength of the perturbation and H the unperturbed disk height. (4) Two vertically oscillating modes oscillate in Keplerian time scale, $(3/8)^{1/2}\omega^{-1}$ with growth rate $\propto\;(H/\Lambda)^2$. The inclusion of dynamics in the vertical direction does not affect the thermal instability, adding only the oscillatory modes which gradually grow for short wavelength modes. Also, the advective cooling is not strong enough to suppress the growth of heating modes, at least for geometrically thin disk. Non-linear development of the perturbation is followed for simple unsaturated Compton disk: depending on the initial proton temperature perturbation, the disk can evolve to decoupled state with hot protons and cool electrons, or to one-temperature state with very cool protons and electrons.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.12
no.6
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pp.299-303
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2002
The relationship of crystallinity between defects distribution with (100) ZnTe/GaAs using HWE growth was investigated by four crystal rocking curve (FCRC) and transmission electron microscopy (TEM). The thickness dependence of crystal quality in ZnTe epilayer was evaluated. The FWHM value shows a strong dependence on ZnTe epilayer thickness. For the films thinner than 6 ${\mu}{\textrm}{m}$, the FWHM value decreases very steeply as the thickness increases. For the films thicker than 6 ${\mu}{\textrm}{m}$, it becomes an almost constant value. At the thickness of 12 $\mu\textrm{m}$ with the smallest value of 66 arcsec. which is the best value so far reported on ZnTe epilayers was obtained. Investigation into the nature and behavior of dislocations with film thickness in (100) ZnTe/(100)GaAs heterostructures grown by Hot Wall Epitaxy (HWE). This film defects range from interface to 0.7 ${\mu}{\textrm}{m}$ thickness was high density, due to the large lattice mismatch and thermal expansion coefficients. The thickness of 0.7~1.8 ${\mu}{\textrm}{m}$ was exists low defect density. In the thicker range than 1.8 ${\mu}{\textrm}{m}$ thickness was measured hardly defects.
In this study, materials for spectacle lens cutting were fabricated by hot-pressing and annealing SiC powders with $Al_2O_3$ and $Y_2O_3$. A microstructure that consisted of uniformly distributed, large SiC grains and elongated SiC grains was developed by using ${\alpha}$-SiC powders. The microstructure was observed by scanning electron microscope(SEM). By hot-pressing and subsequent annealing, elongated ${\beta}$-SiC grains were grown via ${\beta}{\rightarrow}{\alpha}$ phase. This is caused the crack deflection as toughening mechanism. Typical hardness and fracture toughness of materials for spectacle lens cutting were 13.3 GPa and $4.8MPa{\cdot}m^{1/2}$, respectively.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.2
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pp.194-202
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1996
Transmission electron microscopy has been used to characterize the dislocation structure in hot-pressed titanium diboride. The thin foil samples were prepared by the conventional ion beam thinning technique and reveal the main features associated with the dislocations ; low-angle grain boundaries with dislocation arrays, high-angle grain boundaries with ledges/steps on the boundary planes. The ledges/steps on the grain boundaries were characterized as the origin of defect structures such as dislocation formation or crack propagation near grain boundaries. A fraction of the high angle grain boundaries contained periodic arrays of grain boundary dislocations. The Burger's vectors of the dislocations in the $TiB_{2}$specimens were determined.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.3
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pp.431-438
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1996
Transmission electron microscopy has been used to investigate the microstructure of hot-pressed $TiB_{2}$. Thin foil specimens, prepared by conventional ion beam thinning, revealed many features which originated from the crystallographic anisotropy of hexagonal $TiB_{2}$. It was observed that in these specimens Fe-impurities are precipitated to form secondary Fe-rich phases at grain triple edges, in grain boundaries and sometimes in-grain. These Fe-rich precipitates were characterised by their coherence or semi-coherence to a favourably oriented grain at a grain triple edge or grain boundaries or to the matrix $TiB_{2}$ phase.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.3
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pp.93-97
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2011
In this paper, we discuss design considerations for an n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a lateral asymmetric channel (LAC) doping profile. We employed a 0.35 ${\mu}M$ standard complementary MOSFET process for fabrication of the devices. The gates to the LAC doping overlap lengths were 0.5, 1.0, and 1.5 ${\mu}M$. The drain current ($I_{ON}$), transconductance ($g_m$), substrate current ($I_{SUB}$), drain to source leakage current ($I_{OFF}$), and channel-hot-electron (CHE) reliability characteristics were taken into account for optimum device design. The LAC devices with shorter overlap lengths demonstrated improved $I_{ON}$ and $g_m$ characteristics. On the other hand, the LAC devices with longer overlap lengths demonstrated improved CHE degradation and $I_{OFF}$ characteristics.
High speed steels with commercial compositions of 10V, Rex20, Rex25, T15, and ASP30 were gas-atomized and then consolidated by hot isostatic pressing (HIPping). The microstructures of gas-atomized powder, as-HiPped billet, and heat-treated billet have been characterized using optical microscope, scanning electron microscope and X-ray diffractometer. In the gas-atomized powders, the solidification structures of 10V and Rex25 alloys show that primary MC carbides embedded within the fine equiaxed dendrites, whereas those of Rex20, T15 and ASP30 alloys exhibited eutectic MC and/or M$_2$C carbides in the interdendritic region. The trace and dendritic morphologies of gas-atomized powder have been retained in as-HiPped billets. The microstructures of as-HiPped billets have been observed to consist of ferrite, $M_6C$ and MC carbides in other alloys with the exception of 10V alloy, which consists of ferrite and MC carbides. The hardness of heat-treated billet makes a favorable comparison with that of as-HIPped billet. This seems mainly to be due to the strengthening by the precipitation of secondary carbides and the change of matrix phase from $\alpha$-ferrite to martensite.
In this study, a heat treatment process was applied to ZnS nano-powder to improve the optical properties of ZnS ceramic, and the characteristics of heat treatment time were studied. The ZnS nano-powders were synthesized by hydrothermal synthesis. The heat treatment was carried out at $550^{\circ}C$ for 0.5, 1, 2, and 4 hours in a vacuum atmosphere ($10^{-2}torr$). X-ray diffraction and scanning electron microscope analyzes confirmed the change of crystal phase and grain size to confirm the structural change with heat treatment time. The heat treated ZnS nano-powder was sintered by hot pressing, and the change of optical properties of the ZnS ceramic was analyzed by infrared spectroscopy.
New wrought magnesium alloys have increasingly been developed in recent years for the automotive industry due to their high potential as structural materials for low density and high strength/weight ratio demands. However, their poor mechanical properties and low corrosion resistance have led to a search for new kinds of magnesium alloys with better strength, ductility, and high corrosion resistance. The main objective of this research is to investigate the corrosion behaviour of new magnesium alloys: Mg-Zn-Ag (ZQ), Mg-Zn-Mn-Si (ZSM) and Mg-Zn-Mn-Si-Ca (ZSMX). These ZQ6X, ZSM6X1, and ZSM651+YCa alloys were prepared using hot extrusion. AC, DC polarization and immersion tests were carried out on the extruded rods. Microstructure was examined using optical and electron microscopy (SEM) and EDS. The addition of silver decreased the corrosion resistance. The additions of silicon and calcium also affected the corrosion behaviour. These results can be explained by the effects of alloying elements on the microstructure of Mg-Zn alloys such as grain size and precipitates caused by the change in precipitation and recrystallisation behaviour.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.11
no.1
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pp.15-19
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2010
In this paper, we discuss design considerations for an n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a lateral asymmetric channel (LAC) doping profile. We employed a $0.35\;{\mu}m$ standard complementary MOSFET process for fabrication of the devices. The gates to the LAC doping overlap lengths were 0.5, 1.0, and $1.5\;{\mu}m$. The drain current ($I_{ON}$), transconductance ($g_m$), substrate current ($i_{SUB}$), drain to source leakage current ($i_{OFF}$), and channel-hot-electron (CHE) reliability characteristics were taken into account for optimum device design. The LAC devices with shorter overlap lengths demonstrated improved $I_{ON}$ and $g_m$ characteristics. On the other hand, the LAC devices with longer overlap lengths demonstrated improved CHE degradation and $I_{OFF}$ characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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