In this paper, an experiment about the fabrication method of superconductor was made in order to obtain crystal structure by making High T$\sub$C/, superconductor Y$_1$Ba$_2$Cu$_3$O$\sub$x/ to Y$_2$Ba$_1$Cu$_1$O$\sub$x/ of nonsuperconductor phase was added. 211 phase, which can approach crystal structure and growth-orientatoun, was used as seed in the 123 phase which shows the properties of superconductor. Therefore crystal growth effect was able to be attained. And the effect is expected to eleminate thin crack in the growth-process and to improve electrical properties by adding Ag to High T$\sub$c/ superconductor Y$_1$Ba$_2$Cu$_3$O$\sub$x/ combined with Y$_2$Ba$_1$Cu$_1$O$\sub$x/ .
Shielding methods on ELF(Extremely Low Frequency) magnetic fields may include the use of induced currents, modification of magnetic field flux patterns using high permeability and/or high conductivity materials, and others. The magnetic shielding properties of enclosures can be utilized to reduce the magnetic field of current carrying conductors. In this paper, to get a more practical understanding of shielding phenomena, we have investigated the magnetic field reduction by means of 3 dimensional numerical analysis and experiments. We found copper could reduce flux density more then permalloy in both cases of box shield and cylindrical shield. Iron under l0$\mu$T of 1 phase could reduce flux density about $20\%$ more than silicon steel, but both of them under 50$\mu$T has a similar reduction rate of $10\%$. The 3 phase horizontal model gave the highest reduction rate and the 1mm thickness iron under 10$\mu$T of 3 phase lines did lowest.
110 K 상의 산화물 고온초전도체를 B $i_{1.84}$P $b_{0.34}$S $r_{1.91}$C $a_{2.03}$C $u_{3.06}$$O_{10+}$$\delta$의 출발조성비로 고상반응법에 의해 합성하였다. 합성된 Bi계 110 K 상의 산화물 고온초전도 물질을 다시 분말 상태로 만든 후, MgO 금속산화물 분말을 5~50 wt%의 각 비율로 혼합하였다. MgO 금속산화물 분말이 혼합된 시편들을 820~86$0^{\circ}C$로 24시간동안 최종 소결시켰다. 그 후, 각 시편들에 대하여 x-선, $T_{c}$, SEM 등을 측정하여 MgO 금속산화물 혼합량에 대한 초전도특성 및 표면의 입자 크기 변화 등에 대한 조사를 진행하였다. MgO 금속산화물의 혼합량이 증가됨에 따라 MgO 관련 피크들의 강도 및 2212 상들의 피크들의 비율은 증가되었고, 시편 내 2223 상의 비율은 감소하고 2212상의 비율은 증가되었다.다.은 증가되었다.다.
BSCCO thin films have been fabricated by co-deposition at an ultralow growth rate using ion beam sputtering(IBS) method. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and $795^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than $785^{\circ}C$. Whereas, ozone gas pressure dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation. And high quality of c-axis oriented Bi 2212 thin film with $T_c$(onset) of about 90 K and $T_c$(zero) of about 45 K is obtained. Only a small amount of CuO in some films was observed as impurity, and no impurity phase such as $CaCuO_2$ was observed in all of the obtained films.
BSCCO thin films have been fabricated by co-deposition at an ultralow growth rate using ion beam sputtering(IBS) method. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and $795^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than $785^{\circ}C$. Whereas, $Po_3$ dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation. And high quality of c-axis oriented Bi 2212 thin film with $T_c$ (onset) of about 90 K and $T_c$(zero) of about 45 K is obtained. Only a smd amount of CuO in some films was observed as impurity, and no impurity phase such as $CaCuO_2$ was observed in d of the obtained films.
The grain growth characteristics of dual-phase (${\alpha}+{\gamma}$) containing high Cr-steel have investigate using ${\alpha}$-, ${\gamma}$-single phases and (${\alpha}+{\gamma}$)dual-phase of 12%Cr Steel. The heat treatment has performed at $1000-1200^{\circ}C$ for 1-100hr. The results are as follows : 1) The grain growth rate in (${\alpha}+{\gamma}$) dual phase was substantially slower than that of single grain. 2) The relation between mean grain radius $\bar{{\gamma}}$ and annealing time t is, in general, described as following equation : $$(\bar{{\gamma}})^n-(\bar{{\gamma}_o})^n=K_n{\cdot}t{\cdots}{\cdots}(1)$$ i) In the case of single phase of high Cr steel, Eq.(1) is described as $(\bar{{\gamma}})^2-(\bar{{\gamma}_o})^2=K_2{\cdot}t$ and the grain growth is controlled by boundary migration. ii) In dual phase, the grain growth needs diffusion of alloying elements because the chemical composition of ${\alpha}$- and ${\gamma}$- phases differs from each other. When the volume fraction of ${\alpha}$-, ${\gamma}$-phase was almost equal and ${\gamma}$-phase in the case of 80 and $90%{\gamma}$. Eq.(1) is described as $(\bar{{\gamma}})^3-(\bar{{\gamma}_o})^3=K_3{\cdot}t$ because the grain growth is controlled by volume diffusion iii) In the case of ${\gamma}$-rich phase (80 and $90%{\gamma}$), the grain growth of minor phase (10 and $20%{\alpha}$) is described as $(\bar{{\gamma}})^4-(\bar{{\gamma}_o})^4=K_4{\cdot}t$ because the boundary diffusion is predominent rather than volume diffusion.
We investigated the operational characteristics of the separated three-phase flux-lock type superconducting fault current limiter (SFCL). The single-phase lock type SFCL consist of two coils, which are wound in parallel through an iron core. The high-$T_c$ superconducting(HSTC) thin film connected in series with secondary coil. The separated three-phase flux-lock type SFCL consist of three single-phase flux-lock type SFCL. In a normal condition, the SFCL is not operate. When a fault occurs, the current of a HSTC thin film exceeds its critical current by fault current, the resistance of the HSTC thin film generated. Therefore fault current was limited by SFCL. The separated three-phase flux-lock type SFCL are operated in fault condition such as the the single line-to-ground fault, the double line-to-ground fault and the triple line-to-ground fault. The experimental results, the SFCL operational characteristics was dependent on fault condition.
High current density Bi-2223 tapes have recently become commercially available. The ac loss is an important issue in the design of high-T$_{c}$ superconducting power cables. In such complicated devices, special caution is required in the placing of voltage leads for measuring the in-phase voltage. In this paper, the ac losses for different contacts and arrangements of voltage leads have been experimentally investigated in a single layer model cable and discussed.d.
High current density Bi-2223 tapes have recently become commercially available. The ac loss is an important issue in the design of high-T$_{c}$ superconducting power cables. In such complicated devices, special caution is required in the placing of voltage leads for measuring the in-phase voltage. In this paper, the ac losses for different contacts and arrangements of voltage leads have been experimentally investigated in a single layer model cable and discussed.d.
Partially stabilized zirconia (PSZ) is an attractive material for thermal barrier coating. Zirconia exists in three crystallographic phases: cubic, tetragonal and monoclinic. Especially, the phase transformation of tetragonal phase to monoclinic phase accompanies significant volume expansion, so this transition generally results in cracking and contributes to the failure of the TBC system. Both the plasma sprayed ZrO$_2$-8Y$_2$O$_3$ (YSZ) coat and the ZrO$_2$,-25CeO$_2$,-2.5Y$_2$O$_3$ (CYSZ) coat are isothermally heat -treated at 130$0^{\circ}C$ and 150$0^{\circ}C$ for 100hr and cooled at different cooling rates. The monoclinic phase is not discovered in all the CYSZ annealed at 130$0^{\circ}C$ and 150$0^{\circ}C$. In the 150$0^{\circ}C$ heat-treated specimens, the YSZ contains some monoclinic phase while none exists in the 130$0^{\circ}C$ heat-treated YSZ coat. For the YSZ, the different phase transformation behaviors at the two temperatures are due to the stabilizer concentration of high temperature phases and grain growth. For the YSZ with 150$0^{\circ}C$-100hr annealing, the amount of monoclinic phase increased with the slower cooling rate. The extra oxygen vacancy, thermal stress, and c to t'phase transformation might suppress the t to m martensitic phase transformation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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