Yb-doped ITO (ITO:Yb) films were deposited on unheated non-alkali glass substrates by magnetron cosputtering using two cathodes (DC, RF) equipped with the ITO and $Yb_2O_3$ target, respectively. The composition of the ITO:Yb films was controlled by adjusting the RF powers from 0 W to 480 W in 120 W steps with the DC power fixed at 70 W. The ITO:Yb films had a higher crystallization temperature ($200^{\circ}C$) than that of the ITO films ($170^{\circ}C$), which was attributed to both larger ionic radius of $Yb^{3+}$ and higher bond enthalpy of $Yb_2O_3$, compared to ITO. This amorphous ITO:Yb film post-annealed at $170^{\circ}C$ showed a resistivity of $5.52{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, indicating that a introduction of Yb increased resistivity of the ITO film. However, these amorphous ITO:Yb films showed a high etching rate, fine pattering property, and a very smooth surface morphology above the crystallization temperature of the amorphous ITO films (about $170^{\circ}C$). The transmittance of all films was >80% in the visible region.
Half-Heusler alloys are a potential thermoelectric material for use in high-temperature applications. In an attempt to produce half-Heusler thermoelectric materials with fine microstructures, TiCoSb was synthesized by the mechanical alloying of stoichiometric elemental powder compositions and then consolidated by vacuum hot pressing. The phase transformations during the mechanical alloying and hot consolidation process were investigated using XRD and SEM. A single-phase, half- Heusler allow was successfully produced by the mechanical alloying process, but a minor portion of the second phase of the CoSb formation was observed after the vacuum hot pressing. The thermoelectric properties as a function of the temperature were evaluated for the hot-pressed specimens. The Seebeck coefficients in the test range showed negative values, representing n-type conductivity, and the absolute value was found to be relatively low due to the existence of the second phase. It is shown that the electrical conductivity is relatively high and that the thermal conductivities are compatibly low in MA TiCoSb. The maximum ZT value was found to be relatively low in the test temperature range, possibly due to the lower Seebeck coefficient. The Hall mobility value appeared to be quite low, leading to the lower value of Seebeck coefficient. Thus, it is likely that the single phase produced by mechanical alloying process will show much higher ZT values after an excess Ti addition. It is also believed that further property enhancement can be obtained if appropriate dopants are selectively introduced into this MA TiCoSb System.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.8
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pp.744-751
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2003
Co-Pd alloy thin films prepared by a DC-sputter that have self-organized nano structure(SONS), are promising for high-density information storage media in information era. We prepared the samples by varying Pd contents of 0~8.1 wt% at the substrate temperatures of room temperature (RT) and 200 $^{\circ}C$, respectively Microstructure and Pd contents of the Co$_{1-x}$ Pd$_{x}$ films are probed by a scanning electron microscope (SEM), a transmission electron microscope (TEM) and an energy dispersive spectrometer (EDS). We also investigated the saturation magnetization (Ms), remanence and coercivity of the Co$_{1-x}$ Pd$_{x}$ films. Surface roughness are measured by an atomic force microscope (AFM). We revealed that self-organized nano size Co-enriched phase and Pd-enriched phase existed with Pd contents at the substrate temperatures of RT and 20$0^{\circ}C$ through microstructure characterization. SONS helped to keep the saturation magnetization and enhance the perpendicular anisotropy with Pd contents. Out result implies that we may tune the perpendicular magnetic properties with keeping the saturation magnetization by varying substrate temperatures and Pd contents for high density magnetic recording.rding.
The color of a natural diamond that contains nitrogen impurities can be enhanced by a high pressure high temperature (HPHT) treatment. Type IaAB diamond samples containing nitrogen impurities were executed by HPHT process of 5.6 Gpa, 10 min by varying the annealing temperature at 1600, 1650, and $1700^{\circ}C$. Property characterization was carried out using an optical microscope, FT-IR spectrometer, low-temperature PL spectrometer, and micro Raman spectrometer. By observing optical micrographs, it can be seen that diamond sample began to alter its color to vivid yellow at $1700^{\circ}C$. In the FT-IR spectrum, there were no Type changes of the diamond samples. However, amber centers leading to brown colors lessened after $1700^{\circ}C$ annealing. In the PL spectrum, all the H4 centers became extinct, while there were no changes of yellow color center H3 before or after treatment. In the Raman spectrum, no graphite spots were detected. Consequently, diamond color enhancement can be done by higher than $1700^{\circ}C$ HPHT annealing at 5.6 GPa-10 min.
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.25
no.3
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pp.321-328
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2022
The current development tend of the gun propellants that they should have low sensitivity and high energy. We studied a nitrocellulose based propellant composition that replaced sensitive NG with RDX and DEGDN which high energy and low sensitivity. The important factors in the design of the gun propellant were impetus and flame temperature. NC-based propellant containing RDX showed similar impetus but low flame temperature compared to KM30A1, a triple-based propellant. The developed propellant composition didn't show any abnormal combustion reaction and the characteristics of ballistic resistance were also confirmed.
This paper describes the high temperature creep characteristics for virgin material of 9Cr1MoVNb steel using small punch creep(SP-Creep) test technique which is developing recently. In addition, the several results of SP-Creep test are compared with that of 2.25Cr- 1Mo steel which is widely used as boiler materials and that of conventional uniaxial creep test. The obtained SP-Creep curves show the creep behaviors of three regimes like that obtained from conventional uniaxial creep test, and SP-Creep properties are definitely depended on applied load and test temperature. The correlation of SP-Creep rate and creep rupture life with applied load has been determined like the correlation between creep rate/rupture life and stress in uniaxial creep test, and also is satisfied with Power law. The creep rupture times of newly 9Cr1MoVNb steel are higher than those of 2.25Cr1Mo steel at the same creep temperature and applied loading condition, and the decrease extent of creep rupture life with loads is very lower compared with 2.25Cr1Mo steel.
The transition of serrated grain boundary and its effect on liquation behavior in the simulated weld heat-affected zone (HAZ) have been investigated in a wrought Ni-based superalloy Alloy 263. Recently, the present authors have found that grain boundary serration occurs in the absence of adjacent coarse ${\gamma}^{\prime}$ particles or $M_{23}C_6$ carbides when a specimen is direct-aged with a combination of slow cooling from solution treatment temperature to aging temperature. The present study was initiated to determine the interdependence of the serration and HAZ property with a consideration of this serration as a potential for the use of a hot-cracking resistant microstructure. A crystallographic study indicated that the serration led to a change in grain boundary character as special boundary with a lower interfacial energy as those terminated by low-index {111} boundary planes. It was found that the serrated grain boundaries are highly resistant to boron enrichment, and suppress effectively grain coarsening in HAZ. Furthermore, the serrated grain boundaries showed a higher resistance to susceptibility of liquation cracking. These results was discussed in terms of a significant decrease in interfacial energy of grain boundary by the serration.
Kim, Hyoshin;Lee, Jongho;Kim, Ho-Sung;Lee, Yunsung
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.139-139
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2010
LSM is widely used as a cathode material in SOFC, because of its high electrochemical activity, good stability and compatibility with YSZ electrolyte at high temperature. However, LSM in traditional cathode materials will not generate a satisfactory performance at intermediate temperature. In order to reduce the polarization resistance of cell with the operating temperature of SOFC system, the cathode material of LSCF is one of the most suitable electrode materials because of its high mixed ionic and electronic conductivity. In this report, cathode material, $La_{0.6}Sr_{0.4}Co_{0.2}Fe_{0.8}O_3$ powder for intermediate temperature SOFC was synthesized by Pechini method using the starting materials such as nitrate of La, Sr, Co and Fe including ethylene glycol, etc. As a result, the synthesized powder that calcined above $700^{\circ}C$ exhibits successfully perovskite structure, indicating phase-pure of LSCF. Moreover, the particle size, surface area, crystal structure and morphology of the synthesized oxide powders were characterized by SEM, XRD, and BET, etc. In order to evaluate the electrochemical performance for the synthesized powder, slury mixture using the synthesized cathode material was coated by screen-printing process on the anode-supported electrolyte which was prepared by a tape casting method and co-sintering. Finally, electrochemical studies of the SOFC unit cell, including measurements such as power density and impedance, were performed.
Fire resistance steel, grading 490 MPa, had developed by using Thermo-mechanical control process (TMCP) and it has better performance at welding, seismic resistance than those of the ordinary structural steel, But the fire resistance performance is required to verify against the ordinary fire resistance, FR 490. Therefore this study was done to make database of mechanical properties at high temperature and to evaluate the structural stability at high temperature in terms of materials and structural member such as H-section from that of FR 490. The result of this study was that the structural stability of TMCP was lower than that of ordinary FR 490 at the range up about $700^{\circ}C$.
$RuO_2$ thin films were deposited on Si and Ru/Si substrates by rf magnetron reactive sputtering and annealed in oxygen atmosphere(1atm) to investigate their thermal stability and diffusion barrier property. $RuO_2$ thin films were thermally stable up to 700\ulcorner for 10min. in oxygen atmosphere and showed excellent barrier property against the interdiffusion of silicon and oxygen. After annealing at $750^{\circ}C$ , however, volatilization to higher oxide occurred at the surface and inside of $RuO_2$ thin film and diffusion barrier property was also deteriorated. When annealed at $800^{\circ}C$, $RuO_2$thin film showed a different microstructure from that of $RuO_2$ thin film annealed at 75$0^{\circ}C$. It is likely that surface defect structure of $RuO_2$, $RuO_3$, and excess oxygen had an influence on the mode of volatilization with increasing annealing temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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