Interpenerating Polymer Networks (IPNs) are unique type of polymer blend, synthesized by swelling a crossed polymer (Epoxy) with second polymer (Silicon) and also we adopted Urethane as the second polymer. The relationship between dielectric and mechanical properties of high temperature curing IPNs(E/S, E/U) are investigated. The ratios of weight that we formed we re two kind of thing, one (E/S) about 1[wt%]. 3[wt%], 5[wt%], 7[wt%], 10[wt%], and the other (E/U) about 5[wt%], 15[wt%], 25[wt%]. It was heat-cured for 24hours at $100^{\circ}C$ 48 hours at $10^{\circ}C$, 5 hours at $130^{\circ}C$, 15hours at $130^{\circ}C$ in E/S and also for 5 hours at $130^{\circ}C$ in E/U. From the viewpoint of dielectric and mechanical properties, the optimum condition is obtained from the sample cured for 5hours at $130^{\circ}C$ for 1[wt%] in the E/S, and also obtained from the sample cure d for 5 hours at $130^{\circ}C$ in E/U.
We have studied the preparation and the properties of $Ba_{1-x}$Sr$_{x}$TiO$_{3}$(BST) thin films by using the sol-gel method. Through the comparison of the effects of various solvents and additives in making solutions, we establish the production method of the stable solution which generates the high quality of BST film. We also set up the heat-treatment conditions for depositing the BST thin film through the TGA and XRD analyses. Through the comparison of the surface conditions of BST films deposited on Pt/Ta/SiO$_{2}$/Si and Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si substrates, we find that Ta is more efficient diffusion barrier of Si than Ti so that Ta layer prevents the formation of hillocks. We fabricate the planar type capacitor and measure the dielectric properties of the BST thin film deposited on the Pt/Ta/SiO$_{2}$/Si substrate. Dielectric constant and dielectric loss tangent at 1V, 10kHz, and leakage current density at 3V of the BST thin film are 339, 0.052 and 13.3.mu.A/cm$^{2}$, respectively.ely.
In this paper, we estimated the insulation properties of cross-linked polyethylene (XLPE) for ultra-high voltage cable. we have studied the dielectric characteristics of XLPE due to frequency and temperature variation. The dielectric characteristics were measured in the temperature range from $25[^{\circ}C]$ to $120[{^{\circ}C]}$. Also we measured in the voltage range of 1[V] to 20[V] according to the step voltage application method. From FT-IR spectrum as an analysis of physical properties, a strong absorption in wavenumbers 700 to $730[cm^{-1}]$, $1456[cm^{-1}]$ and 2700 to $3000[cm^{-1}]$ observed by the methyl groups$(CH_{2})$. From the analysis of DSC, the crystalline melting points of the specimen observed in the temperature $60[^{\circ}C]$ and $106.58[^{\circ}C]$.
Sol-gel법으로 제조한 $PbTiO_3$ 세라믹스 박막의 결정화거동, 미세구조 및 유전특성에 있어서 무촉매, 산성촉매 및 염기성촉매가 미치는 영향에 관하여 연구하였다. 열처리온도에 따른 페로브스카이트로의 상전이는 염기성 촉매를 첨가하였을 때가 가장 빨랐으며, 미세구조의 균일성 및 유전특성은 $HNO_3$ 산성촉매를 사용하였을 때가 가장 우수하였다. 그러나, 촉매에 관계없이 $Si_{(100)}$ \ $SiO_2$ \Pt 기판을 사용하였을 때에는 75$0^{\circ}C$ 이상의 고온에서 Pb의 휘발이 급격하게 일어나 제 2상의 생성 및 미세구조가 불균일하게 번화함으로써 물성저하를 피할 수 없었다.
In order to manufacture ceramic capacitors for the industrial electronic parts application using Tape casting method, the dielectric properties as a functions of sintering temperatures and the fabrication conditions of green sheet were investigated to consider the possibility of applications. When the mixing ratio of powder and solvent in slurry was 65:35, the uniform and dense green sheets was obtained. The dielectric constant was increased as the sintering temperature Over 94% of relative density and high were obtained to the specimens sintered at $1000^{\circ}C$. We can find that the device sintered at higher temperature than $1000^{\circ}C$ showed the relative density over 94% and the dielectric constant over 2000.
The effects of aromatic curing agent of MDA contents and post curing conditions on dielectric deterioration characteristics of DGEBA/MDA/SN system were investigated. The dielectric properties were measured by using needle-plane electrode geometry under the commercial AC high electric field application. As the curing agent content increased, the dielectric breakdown strength increased and then decreased slightly. All the trees initiated from the tip of needle electrode and the shape of the tree in this system was a dendrite type.
Two-dimensional materials have shown a great promise for the next-generation electronic materials due to their unique optical, physical, and chemical properties that are distinct from their bulk counterparts. Their atomic-level thickness, the feature for flexible tenability, and exposed huge surface allow various approaches for high-performance nanoscale devices. Especially, this review highlights the recent progress on two-dimensional dielectric nanosheets, which are obtained by cheap and massproducible solution-based exfoliation process, accompanied by the preparation methods, various deposition methods, and the characteristics of devices using a dielectric nanosheet thin films. We also present a perspective on the advantages offered by this two-dimensional dielectric nanosheets for the upcoming future nanoelectonics.
Silicone resin which is made from silicone(Si) is well known by its heat-resistant property. Its good heat-resistant enables silicons resin being used in high temperature (up to $200^{\circ}C$) heavy-dury environment for electric insulation. This paper has dealed with the electrical properties of silicone resin such as dielectric constant and tan ${\delta}$ with heat treatment temperature $(200^{\circ}C{\sim}450^{\circ}C)$. To investigate the electrical insulation of silicone resin, dielectric strength by A.C and anti-tracking properties under both AC and D.C have been performed.
In the previous study, a new LTCC material in the $PbWO_{4}-TiO_{2}-B_{2}O_{3}-CuO$ system was introduced. The developed material can be sintered at $850^{\circ}C$ and its dielectric properties are $\varepsilon_{r}=20-25$, $Q{\times}f_{o}=30000\sim50000GHz$, and $\tau_{f}=0.2{\sim}30ppm/^{\circ}C$, respectively. Therefore this material can be used as a LTCC substrate material for fabrication of multilayered high frequency communication module set. In present study, using this material, tape casting condition was established. With this condition, a multilayered resonator was fabricated and its electrical properties were examined. In present study, an antenna-duplexer module was also fabricated. Frequency characteristics of as-fabricated antenna-duplexer module was compared with simulation results.
PSZT are selected and SHS are applied to each system. The sintering properties of PSZT powders showed $7.754g/cm^3$ of sintered density and $4{\mu}m$ of grain size at sintering temperature of $1250^{\circ}C$. Curie temperature lowered gradually from $363.6^{\circ}C\;to\;319.2^{\circ}C$ and relative dielectric constants increased rapidly by a quantity of Sr. This remarkable contrast in dielectric properties with powder preparation methods, in this study, was not due to grain size and sintered density but rather a crystallinity and sinterability of synthesized powders, extra-supplied Pb during reaction, mol fraction of rhombohedral phase and purity of starting materials.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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