• 한국재료학회지
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• 제14권11호
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• pp.780-785
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• 2004

The degradation mechanism of soft magnetic properties of $Fe-Hf-N/Cr/SiO_2$ thin films reacted with a bonding glass was investigated. When $Fe-Hf-N/Cr/SiO_2$ films were annealed under $600^{\circ}C$ without the bonding glass, the compositions and the soft magnetic properties of Fe-Hf-N layers were not changed. However, after reaction with the bonding glass at $550^{\circ}C$, the soft magnetic properties of the film were degraded. At $600^{\circ}C$, the saturation magnetization of the reacted film decreased to 13.5 kG, and its coercivity increased to 4 Oe, and its effective permeability decreased to 700. It was founded that O diffused from the glass into the Fe-Hf-N layers during the reaction and generated $HfO_2$ phases. It was considered that the soft magnetic properties of the $Fe-Hf-N/Cr/SiO_2$ films reacted with the bonding glass were primarily degraded by the formation of the Fe-Hf-O-N layer of which the Fe content was below 60 $at\%$, and secondarily degraded by the Fe-Hf-O-N layer above 70 $at\%$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.8-9
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• 2006

Hafnium oxide ($HfO_2$) thin films were deposited on p-type (100) silicon wafers by atomic layer deposition (ALD) using TEMAHf and $O_3$. Prior to the deposition of $HfO_2$ films, a thin Hf ($10\;{\AA}$) metal layer was deposited. Deposition temperature of $HfO_2$ thin film was $350^{\circ}C$ and its thickness was $150\;{\AA}$. Samples were then annealed using furnace heating to temperature ranges from 500 to $900^{\circ}C$. The MOS capacitor of round-type was fabricated on Si substrates. Thermally evaporated $3000\;{\AA}$-thick AI was used as top electrode. In this work, We study the interface characterization of $HfO_2$/Hf/Si MOS capacitor depending on annealing temperature. Through AES(Auger Electron Spectroscopy), capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) analysis, the role of Hf layer for the better $HfO_2$/Si interface property was investigated. We found that Hf meta1 layer in our structure effective1y suppressed the generation of interfacial $SiO_2$ layer between $HfO_2$ film and silicon substrate.

• 한국진공학회지
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• 제21권5호
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• pp.273-278
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• 2012

현재 Hf (Hafnium)을 기반으로한 게이트 유전체의 연구는 여러 분야에서 다양하게 진행되어져 왔다. 이는 기존의 $SiO_2$보다 유전상수 값이 크고, 또한 계속되는 scaling-down 공정에서도 양자역학적인 터널링을 차단하는 특성이 뛰어나기 때문이다. MOSFET 구조에서 유전체 박막의 두께 감소로 인한 전기적 특성 저하를 보완하기 위해서 high-K 재료가 대두되었고 현재 주를 이루고 있다. 그러나 현재까지 $HfO_2$에 대한 nano-mechanical 특성 연구는 부족한 상태이므로 본 연구에서는 게이트 절연층으로 최적화하기 위하여 $HfO_2$ 박막의 nano-mechanical properties를 자세히 조사하였다. 시료는 rf magnetron sputter를 이용하여 Si (silicon) 기판 위에 Hafnium target으로 산소유량(4, 8 sccm)을 달리하여 증착하였고, 이후 furnace에서 400에서 $800^{\circ}C$까지 질소분위기에서 20분간 열처리를 실시하였다. 실험결과 산소 유량을 8 sccm으로 증착한 시료가 열처리 온도가 증가할수록 누설전류 특성 성능이 우수 해졌다. Nano-indenter로 측정하고 Weibull distribution으로 정량적 계산을 한 결과, $HfO_2$ 박막의 stress는 as-deposited 시료를 기준으로 $400^{\circ}C$에서는 tensile stress로 변화되었다. 그러나 온도가 증가(600, $800^{\circ}C$)할수록 compressive stress로 변화 되었다. 특히, $400^{\circ}C$ 열처리한 시료에서 hardness 값이 (산소유량 4 sccm : 5.35 GPa, 8 sccm : 5.54 GPa) 가장 감소되었다. 반면에 $800^{\circ}C$ 열처리한 시료에서는(산소유량 4 sccm : 8.09 GPa, 8 sccm : 8.17 GPa) 크게 증가된 것을 확인하였다. 이를 통해 온도에 따른 $HfO_2$ 박막의 stress 변화를 해석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권8호
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• pp.700-704
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• 2003

This paper describes on characteristics of 2" 3C-SiC wafer bonding using PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) oxide and HF (hydrofluoride acid) for SiCOI (SiC-on-Insulator) structures and MEMS (micro-electro-mechanical system) applications. In this work, insulator layers were formed on a heteroepitaxial 3C-SiC film grown on a Si (001) wafer by thermal wet oxidation and PECVD process, successively. The pre-bonding of two polished PECVD oxide layers made the surface activation in HF and bonded under applied pressure. The bonding characteristics were evaluated by the effect of HF concentration used in the surface treatment on the roughness of the oxide and pre-bonding strength. Hydrophilic character of the oxidized 3C-SiC film surface was investigated by ATR-FTIR (attenuated total reflection Fourier transformed infrared spectroscopy). The root-mean-square suface roughness of the oxidized SiC layers was measured by AFM (atomic force microscope). The strength of the bond was measured by tensile strength meter. The bonded interface was also analyzed by IR camera and SEM (scanning electron microscope), and there are no bubbles or cavities in the bonding interface. The bonding strength initially increases with increasing HF concentration and reaches the maximum value at 2.0 ％ and then decreases. These results indicate that the 3C-SiC wafer direct bonding technique will offers significant advantages in the harsh MEMS applications.ions.

• 한국재료학회지
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• 제11권8호
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• pp.629-635
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• 2001

고온구조용 재료로 사용이 기대되는 $Al_3$Hf금속간 화합물의 단점인 낮은 연성을 개선하기 위하여 SPEX mill을 이용한 기계적 합금화 과정에서의$ Ll_2$상 생성거동과 이에 미치는 제3원소의 영향, 그리고 이들 금속간 화합물의 진공열간 압축성형 거동을 조사하였다. Al과 Hf 혼합분말을 기계적 합금화한 결과에 따르면 6시간 milling후에 $L_2$Hf 금속간 화합물이 생성되었으며, 이때 결정립 크기가 7~8nm 정도인 nanocrystalline이 형성되었다. Cu를 첨가한 경우에는 10시간 milling 후에 2원계와 동일한 $Ll_2$구조의 금속간 화합물이 생성되었으며, 격자상수는 Cu의 함량이 증가함에 따라 감소하였다. 2원계 $Al_3$Hf 금속간 화합물의 경우에 $Ll_2$상에서 $D0_{23}$ 상으로의 변태 시작온도는 $380^{\circ}C$ 정도였으며, 변태 종료온도는 열처리시간에 따라 $480^{\circ}C$에서 $550^{\circ}C$ 정도를 나타내었다. Cu 함량이 증가함에 따라 변태 시작온도는 상승하였으며 10at.%의 Cu 첨가는 변태 시작온도를 $700^{\circ}C$까지 상승시켰다. 2원계 Al-25at.%Hf 혼합분말의 VHP 성형시 750MPa, $400^{\circ}C$, 3시간에서 약 89%의 비이론 밀도를 얻을 수 있었다. 같은 온도에서 Cu를 10at.% 첨가한 경우의 VHP 성형시 90%정도의 비이론 밀도를 보여 2원계 $A1_3$Hf보다 성형성이 약간 증가하는 것을 볼 수 있었으며, 성형온도를 $500^{\circ}C$로 증가시킨 경우에는$ Ll_2$상에서 $D0_{23}$상으로의 상변화나 결정립의 증가없이 약 92.5%의 비이론 밀도를 얻을 수 있었다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제20권3호
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• pp.431-440
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• 2017

HF communications are used as a last means of long distance communications without any relay node in NLOS (Non Line-Of-Sight) environment. Conventional analog voice communication in the HF band is vulnerable to security as well as severe background noise. To overcome these shortcoming, digital voice was introduced into HF radios in the early 1980s. In this paper, we analyze avaliable digital voice communication ground wave range of HF radios that applied MELPe CODEC and MIL-STD-188-110B physical layer standard using GRWAVE program. And we evaluate usefulness of digital voice communication in HF band.

• 대한화학회지
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• 제40권4호
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• pp.219-228
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• 1996

ab initio 방법을 이용하여 hexahydroxbenzene triscarbonate($C_9O_9$)와 이와 유사한 화합물($C_9O_9,C_9O_6S_3,C_9O_3S_9$)들의 평형구조(equilibrium geometry)와 에너지를 HF와 MP2 level에서 구하였다. 계산결과 이들 화합물은 모드 $C_{3v}$ bowl형 구조보다는 $D_{3h}$ 평면형구조가 더 안정함을 알 수 있었다. $HF/3-21G^*$ level에서 조화진동수(harmonic vibrational frequency)를 계산하였고 각각의 진동방식(vibrational mode)을 비교, 분석하였으며, $HF/63G^*$ level에서 구한 Mulliken population과 natural population을 이용하여 화합물들의 결합특성에 대하여 연구하였다. 또한 이들 화합물들의 열분해 의해서 생성되는 $C_6O_6$과 $C_6S_6$의 전자구조와 결합특성에 대한 연구를 HF와 MP2 level에서 하였다. 그리고 화합물들이 열분해하여 $C_6O_6,\;C_6S_6$, CO, 그리고 CS로 분리될 때의 필요한 에너지를 $HF/3-21G^*$ level에서 계산하여 열분해에 필요한 대략적인 에너지 장벽을 예상하여 보았다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2005년도 추계학술발표회
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• pp.1061-1062
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• 2005

• 한국식품영양과학회지
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• 제27권6호
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• pp.1204-1210
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• 1998

This study was focused on the purification, characterization and promotion mode of an anticoagulant polysaccharide from Hizikia fusiforme. The anticoagulant crude polysaccharide(HF 0) was obtained by using hot water extraction at 100oC for 3 hrs after homogenizing desalted Hizikia fusiforme. The anticoagulant polysaccharide(HF 2 3 1a) was purified from the crude extract(HF 0) through stepwise gradient ethanol precipitation(HF 2), DEAE Toyopearl 650C(HF 2 3), Sephadex G 75(HF 2 3 1), Sepharose CL 6B(HF 2 3 1a) chromatography and HPLC to homogeneity. HF 2 3 1a was estimated at 5.3$\times$105 Da molecular weight and composed of fucose(51.92%), galactose(19.34%), mannose(13.92%), xylose (7.14%), arabinose(3.95%) and rhamnose(3.78%), and comprimised 29.7 % sulfate residue. The sulfated anticoagulant polysaccharide from HF 2 3 1a was proposed to inhibit via the intrinsic pathway and common pathway in the blood coagulation. The HF 2 3 1a exhibited the anticoagulant activity by activating an antithrombin III and the activity depended on the concentration of HF 2 3 1a. Acute toxicity of HF 2 in mice was not detected. Only 14 of 33 control mice(11.4%) that had taken saline survived for 30 min after injecting thrombin(100 NIH unit/ml).

• 한국재료학회지
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• 제8권9호
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• pp.791-796
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• 1998

self-aligned silicide(salicide)제조시 CoSi2의 에피텍셜 성장을 돕기 위하여 Co와 Si 사이에 내열금속층을 넣은 Co/내열금속/Si의 실리사이드화가 관심을 끌고 있다. Hf 역시 Ti와 마찬가지로 이러한 용도로 사용될 수 있다. 한편, Co/Hf 이중층 salicide 트랜지스터가 성공적으로 만들어지기 위해서는 spacer oxide 위에 증착된 Co/Hf 이중층이 열적으로 안정해야 한다. 이러한 배경에서 본 연구에서는 SiO2기판 위에 증착한 Co 단일층과 Co/Hf 이중층을 급속열처리할 때 Co와 SiO2간의 계면과 Co/Hf와 SiO2간의 계면에서의 상호반응에 대하여 조사하였다. Co 단일층과 Co/Hf 이중층은 각각 $500^{\circ}C$와 $550^{\circ}C$에서 열처리한 후 면저항이 급격하게 증가하기 시작하였는데, 이것은 Co층이 SiO2와의 계면에너지를 줄이기 위하여 응집되기 때문이다. 이 때 Co/Hf의 경우 열처리후 Hf에 의하여 SiO2 기판이 일부 분해됨으로써 Hf 산화물이 형성되었으나, 전도성이 있는 HfSix 등의 화합물은 발견되지 않았다.