Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.25
no.7
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pp.774-779
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1988
The homo and hetero-junction diodes were fabricated using BP-Si structure. After removal of Si substrates, schottky diodes were fabricated on the BP bulk. The electrical properties of the diode were examined through current-voltage characteristics curve. The schottky diode with Sb electrode has a cut-in voltage of 0.33V. This value is almost equal to that of the typical schottky diodes. The breakdown voltage of the schottky diode is 30V. When BP was used for photo cell as a window, the conversion efficiency improved from 6.5% to 8.3%, and optical transmissivity of BP invreased in short wavelength region.
Two different schemes were adopted to fabricate ordered macroporous structures with face centered cubic lattice of air spheres. Monodisperse polymeric latex suspension, which was synthesized by emulsifier-free emulsion polymerization, was mixed with metal oxide ceramic nanoparticles, followed by evaporation-induced self-assembly of the mixed hetero-colloidal particles. After calcination, inverse opal was generated during burning out the organic nanospheres. Inverse opals made of silica or iron oxide were fabricated according to this procedure. Other approach, which utilizes ceramic precursors instead of nanoparticles was adopted successfully to prepare ordered macroporous structure of titania with skeleton structures as well as lithium niobate inverted structures. Similarly, two different schemes were utilized to obtain disordered macroporous structures with random arrays of macropores. Disordered macroporous structure made of indium tin oxide (ITO) was obtained by fabricating colloidal glass of polystyrene microspheres with low monodispersity and subsequent infiltration of the ITO nanoparticles followed by heat treatment at high temperature for burning out the organic microspheres. Similar random structure of titania was also fabricated by mixing polystyrene building block particles with titania nanoparticles having large particle size followed by the calcinations of the samples.
Time-of-flight impact-collision ion scattering spectroscopy (TOF-ICISS) using 2 keV $He^+$ ion was applied to study the geometrical structure of the $BaTiO_3$ thin film which was grown on the MgO(100) surface. Hetero-epitaxial $BaTiO_3$ layers were formed on the MgO(100) surface by thermal evaporation of titanium followed first by oxidation at $400^{\circ}C$, subsequently by barium evaporation, and finally by annealing at $800^{\circ}C$. The atomic structure of $BaTiO_3$ layers was investigated by the scattering intensity variation of $He^+$ ions on TOF-ICISS and by the patterns of reflection high energy electron diffraction. The scattered ion intensity was measured along the <001> and <011> azimuth varying the incident angle. Our investigation revealed that perovskite structured $BaTiO_3$ layers were grown with a larger lattice parameter than that of the bulk phase on the MgO(100) surface.
The optical and electrical properties of High Power AlGaAs/AlGaAs Infrared LED with DDH( Double power Double Hetero Junction) structure are investigated. The high power LED is recently studied in order to apply to high speed communication devices. The power out of AlGaAs/AlGaAs with DDH structure is 13.0[mW], the forward voltage is 1.45[V], and the average decrease rate of power out is about 5[%] after aging test. The optical and electrical properties of DDH structure LED are superior than that of SH structured LED. The DDH structured LED is suitable to the high speed communication devices.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.26.1-26.1
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2011
We investigated the atomic layer deposition (ALD) process for nitrogen doped ZnO and the application for n-ZnO : N/p-Si (NW) coaxial hetero-junction photodetectors. ALD ZnO:N was deposited using diethylzinc (DEZ) and diluted $NH_4OH$ at $150^{\circ}C$ of substrate temperature. About 100~300 nm diameter and 5 um length of Si nanowires array were prepared using electroless etching technique in 0.108 g of $AgNO_3$ melted 20 ml HF liquid at $75^{\circ}C$. TEM images showed ZnO were deposited on densely packed SiNW structure achieving extraordinary conformality. When UV (360 nm) light was illuminated on n-ZnO:N/p-SiNW, I-V curve showed about three times larger photocurrent generation than film structure at 10 V reverse bias. Especially, at 660 nm wave length, the coaxial structure has 90.8% of external quantum efficiency (EQE) and 0.573 A/W of responsivity.
This study investigates the acoustic property of aspiration realized in English voiceless stops of /Cr/ and /sCr/ clusters. VOT is measured from stops in these clusters produced by two groups; one from native speakers of English and the other from Korean native speakers. Aspiration of stops in different types of clusters is compared to various phonological factors such as location of stress, syllable type, and position in word. Pursuing the idea that phonetic realization is correlated with phonological representation, attempts are made to account for the gradient nature of aspiration of stops on the basis of syllable structure at the phonetic level, which may vary in the wake of resyllabification. Voiceless stops in /Cr/ and /sCr/ clusters are further compared to results obtained in the previous study on /sC/ cluster. Variations in aspiration are also characterized in terms of segmental precedence relation of stops in the clusters, namely, post-[s], pre-[r], or both.
Apolipoprotein B-100 (Apo-B100) is a major protein component for low density lipoproteins (LDL). A number of mimetic peptides of Apo-B100 were screened from the phase-displayed random peptide library by utilizing monoclonal antibody (B9). Mimetic peptide for B9 epitope against apo B-100 was CRNVPPIFNDVYWIAF (pB1). From the BLAST search, the mimetic peptide pB1 had 40% homology with apo B-100. As a result of the structural determination of this mimotope using homo/hetero nuclear 2D-NMR techniques and NMR-based distance geometry (DG)/molecular dynamic (MD) computations, DG structure had low penalty value of 0.3-0.6 ${\AA}^2$ and the total RMSD was 0.5-1.5 ${\AA}. Moreover, pB1 structure included a weak $3_{10}$-helix from $Ile^7$,/TEX> to $Trp^{13}$.
Time-of-flight impact-collision ion scattering spectroscopy (TOF-ICISS) was applied to study the geometrical structure of epitaxially grown TiO layers on a MgO(001) surface. The hetero-epitaxial TiO layer was deposited by thermal evaporation of titanium onto the MgO(001) surface and subsequent exposure to oxygen at 400℃. The well-ordered TiO structure was confirmed with the 1×1 RHEED pattern. TOF-ICISS results revealed that the TiO layer was formed at the on-top sites of the MgO(001) substrate and that the lateral lattice constant of TiO layer was the same as that of the MgO substrate. The surface of the deposited epitaxial TiO layer was smooth without the three dimensional islands.
Copper is an elemental ion in living organisms. CopP from Helicobacter Pylori (HpCopP) is a copper(I)-binding protein and was suggested as regulator of copper metabolism in vivo. Previously, the metal binding property of HpCopP for Ag(I), Cu(I), and Cu(II) as well as the tertiary structure of HpCopP was shown. In this study, the dynamic profiles of HpCopP depending on metal binding were studied using ${^1H}-^{15}N$ steady-state NOE analysis. The heteroNOE experiment was performed for apo-CopP or metal-bound CopP. The obtained NOE values were analyzed and compared to figure out the effect of metals on the structural flexibility of HpCopP. As a result, Ag(I) and Cu(I) ions improved the rigidity of the structure while Cu(II) ion increased the flexibility of the structure, suggesting the oxidation of the CXXC motif decreases the structural stability of HpCopP.
ZnO thin films prepared by PLD method exhibit an excellent optical property, but may have some problems such as incomplete surface roughness and crystallinity. In this study, undoped ZnO buffer layers were deposited on (0001) sapphire substrates by ultra high vacuum pulse laser deposition (UHV-PLD) and molecular beam epitaxy (MBE) methods, respectively. After post annealing of ZnO buffer layer, undoped ZnO thin films were deposited under different oxygen pressure ($35{\sim}350$ mtorr) conditions. The Arsenic-doped (1, 3 wt%) ZnO thin layers were deposited on the buffer layer of undoped ZnO by UHV-PLD method. The optical property of the ZnO thin films was analyzed by photoluminescence (PL) measurement. The ${\theta}-2{\theta}$ XRD analysis exhibited a strong (002)-peak, which indicates c-axis preferred orientation. Field emission-scanning electron microscope (FE-SEM) revealed that microstructures of the ZnO thin films were varied by oxygen partial pressure, Arsenic doping concentration, and deposition method of the undoped ZnO buffer layer. The denser and smoother films were obtained when employing MBE-buffer layer under lower oxygen partial pressure. It was also found that higher Arsenic concentration gave the enhanced growing of columnar structure of the ZnO thin films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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