Si이 첨가된 $In_{0.1}Ga_{0.9}As$ 에피층의 Sit셀 온도에 따른 표면특성 연구
(Surface characteristics of Si-doped $In_{0.1}Ga_{0.9}As$ epilayers due to Si-cell temperature)
-
- 한국전기전자재료학회논문지
- /
- 제13권7호
- /
- pp.551-556
- /
- 2000