• 제목/요약/키워드: He plasma

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레이저 충격파 클리닝에서 발생되는 유동장의 실험적 해석 (Experimental analysis of flow field for laser shock wave cleaning)

  • 임현규;장덕석;김동식
    • 한국레이저가공학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.29-36
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    • 2004
  • The dynamics of laser-induced plasma/shock wave and the interaction with a surface in the laser shock cleaning process are analyzed by optical diagnostics. Shock wave is generated by a Q-switched Nd:YAG laser in air or with N$_2$, Ar, and He injection into the focal spot. The shock speed is measured by monitoring the photoacoustic probe-beam deflection signal under different conditions. In addition, nanosecond time-resolved images of shock wave propagation and interaction with the substrate are obtained by the laser-flash shadowgraphy. The results reveal the effect of various operation parameters of the laser shock cleaning process on shock wave intensity, energy-conversion efficiency, and flow characteristics. Discussions are made on the cleaning mechanisms based on the experimental observations.

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MCS에 의한 Helium 기체 중의 전자수송특성 해석 (Analysis of electron transport characteristic in He gas by MCS)

  • 송병두;하성철;서상현;문기석;유회영;김상남
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 E
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    • pp.1752-1754
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    • 1998
  • Recently the research about electron transport characteristic and energy distribute function in mixture gases within Helium, has been used and developed widely as industrial quality improvement of extinguish characteristic, electrical dielectric strength ability of application of each species high voltage apparatus, gas plasma etching progress of work to use manufacture of semiconductor, thin film molding by CVD, insulation film to use ultra LSI, etc. This paper analyze electron transport characteristic in the range E/N $1{\sim}60$[Td], pressure $0.1{\sim}6.0$[Torr] by MCS. It is necessary to seek electron drift velocity, diffusion coefficient, lonization coefficients, characteristic energy, mean energy and electron energy distribution function as electron transport characteristic.

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저온 대기압 아크젯의 플라즈마 발생부 물질에 따른 플라즈마 온도 변화 연구

  • 정희수;최원호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.339-339
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    • 2011
  • 진공 플라즈마와 달리 개방된 공간에서 방전되는 대기압 플라즈마는 진공상태에서 수행되는 에칭, 증착 등의 복잡한 플라즈마 공정을 경제적이고 신속하게 수행할 수 있어, 최근 들어 연구가 활발히 진행 중이다. 이와 관련하여 He, Ar, $N_2$, $O_2$, Air 등의 여러 종류의 기체를 50 kHz 고전압에서 방전하여 대기 중에서 저온 플라즈마 공정이 가능한 아크젯 타입의 플라즈마 소스를 개발하였다. 개발된 플라즈마 소스에서는 입력전압, 기체유량, 노즐의 구조와 크기 등의 여러 운전변수에 따라 플라즈마의 방전특성이 변화되었다. 특히 본 연구에서는 아크젯의 플라즈마 발생부의 물질성분(SUS, Aluminum, Cupper)에 따른 플라즈마의 기체온도 및 전자여기 온도의 변화를 광방출분광법(OES)를 이용한 Synthetic spectrum method와 Boltzmann plot method을 통해 살펴보았다. 전압-전류 특성곡선, 시간분해 이미지 촬영법, 기체온도 측정법 등을 이용하여 발생된 플라즈마의 물리적인 특성을 분석하였다. 특히 물질의 성분에 따라 발생되는 플라즈마의 기체 및 전자여기 온도가 이차 전자 방출계수 및 물질의 전도도와의 상관관계가 있는지 연구가 진행 중이다.

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PHYSICAL AND CHEMICAL PROPERTIES OF PLANETARY NEBULAE WITH WR-TYPE NUCLEI

  • DANEHKAR, ASHKBIZ;WESSON, ROGER;KARAKAS, AMANDA I.;PARKER, QUENTIN A.
    • 천문학논총
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    • 제30권2호
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    • pp.159-161
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    • 2015
  • We have carried out optical spectroscopic measurements of emission lines for a sample of Galactic planetary nebulae with Wolf-Rayet (WR) stars and weak emission-line stars (wels). The plasma diagnostics and elemental abundance analysis have been done using both collisionally excited lines (CELs) and optical recombination lines (ORLs). It was found that the abundance discrepancy factors ($ADF{\equiv}ORL/CEL$) are closely correlated with the difference between temperatures derived from forbidden lines and those from $He\;{\small{I}}$ recombination lines, implying the existence of H-deficient materials embedded in the nebula. The $H{\beta}$ surface brightness correlations suggest that they might be also related to the nebular evolution.

Characteristics of secondary electron emission coefficient of MgO protective layer by annealing effect

  • 정진만
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.236-236
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    • 1999
  • AC-PDP(Plasma display Panel)는 기체 방전을 이용한 디스플레이로서 기체에 직접 노출되는 MgO 보호막의 이차전자 방출계수(${\gamma}$)는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류, 결정 방향성과 표면오염상태등에 영향을 받는다. 본 연구에서는 MgO 보호막을 열처리한 상태와 열처리 하지 않은 상태를 ${\gamma}$-FIB 장치를 이용하여 2차전자방출 계수를 측정하여 비교하였다. 또한 24시간 MgO 보호막을 대기중에 방치하여 두었을 때 MgO 보호막의 표면오염상태에 대한 2차전자방출계수값을 측정하여 MgO 보호막의 표면오염에 대한 방전 전압특성저하가 어느정도인지를 알아보았다. 실험에 사용한 혼합기체는 Ne+Xe, He+Ne+Xe 혼합기체를 사용하였고, MgO 보호막은 21inch 규격의 실제 PDP Panel의 MgO 보호막을 사용하였다.

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Duplex Surface Modification with Micro-arc Discharge Oxidation and Magnetron Sputtering for Aluminum Alloys

  • Tong, Honghui;Jin, Fanya;He, Heng
    • 한국진공학회지
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    • 제12권S1호
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    • pp.21-27
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    • 2003
  • Micro-arc discharge oxidation (MDO) is a cost-effective plasma electrolytic process which can be used to improve the wear and corrosion resistance of Al-alloy parts by forming a alumina coating on the component surface. However, the MDO coated Al-alloy components often exhibit relatively high friction coefficients and low wear resistance fitted with many counterface materials, additionally, the pitting corrosion for the MDO coated AI-alloy components, especially for a thinner alumina coating, often occurs in atmosphere circumstance due to the porous alumina coats. Therefore, a duplex treatment, combining a MDO coated ahumina thin layer with a TiN coating, prepared by magnetron sputtering (MS), has been investigated. The Vicker's microhardness, pin-on-disc, electrochemical measurement, salt spray, XRD and SEM tests were used to characterize and analyze the treated samples. The work demonstrates that the MDO/MS coated samples have a combination of a very low friction coefficient and good wear resistance as well as corrosion since the micro-holes on alumina coating are partly or fully covered by TiN material.

리소그라피를 위한 새로운 가스젯 방식의 Z방전 극자외선 광원 (A new gas jet type Z-pinch extreme ultraviolet light source for next generation lithography)

  • 송인호;최창호;고광철
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1459-1460
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    • 2006
  • A new gas jet Z-pinch EUV light source having double gas jet electrodes has been developed. It has two nozzles and two diffusers. The EUV beam is collected from the side of pinch plasma, generated in between the inner nozzle and corresponding diffuser. A cylindrical shell of He gas curtain produced by the outer nozzle is specially designed for shielding the debris and suppressing the inner gas expansion. We have succeeded in generating EUV energy of 1.22 mJ/sr/2%BW/pulse at 13.5nm. The estimated dimension of EUV source is to be FWHM diameter of 0.07 mm and length of 0.34 mm, and FW 1/e2 diameter of 0.15 mm and length of 1.2 mm.

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광범위한 대뇌병터를 보인 대뇌형 부신척수신경병증 1예 (A Case of Cerebral Adrenomyeloneuropathy with Extensive Cerebral Lesions)

  • 김현정;민주홍;이광우
    • Annals of Clinical Neurophysiology
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    • 제9권2호
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    • pp.97-101
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    • 2007
  • We report a 31-year-old man with cerebral adrenomyeloneuronopathy variant, who presented as progressive gait disturbance. He had spastic paraparesis, hyperreflexia without Babinski's sign and sensory symptom. No adrenal insufficiency was noted. Brain MRI showed extensive high signal intensities in bilateral temporal lobes and posterior periventricular white matter in T2 weighed imaging without cerebrospinal fluid abnormality. His nerve conduction study showed sensorimotor demyelinating polyneuropathy and the level of saturated very-long-chain fatty acids was high in his plasma, although neuropsychological test was normal.

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Influence of N2 gas mixing ratio on secondary electron emission coefficient of MgO single crystal and MgO protective layer

  • 임재용
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.201-201
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    • 2000
  • AC-PDP(Plasma Display Panel)에 사용하는 MgO 보호막의 이차전자 방출계수(${\gamma}$)는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류에 영향을 받는다. 현재 AC-PDP에는 방전특성의 향상과 VUV 발생을 위하여 He, Ne, Xe 등의 혼합기체가 사용되고 있으며, N 기체를 혼합하여 사용할 경우 더 좋은 발광효율을 얻을 수 있다는 보고가 있다. 이번 실험에서는 (100) 방향으로 배향된 MgO Bulk Crystal과 MgO 보호막의 이차전자방출계수를 ${\gamma}$-FIB 장치로 N2 기체혼합비율에 따라 측정하였다. 혼합기체는 Ne=N2 이원기체를 여러 가지 혼합 비율로 변화시켜가며 실험하였다. MgO 보호막은 실제 21inch 규격의 Panel을 사용하였다.

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Controls of Graphene work function by using the chemical and plasma treatment

  • 이승환;최민섭;임영대;라창호;문인용;유원종
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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    • pp.215-215
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    • 2012
  • 본 연구에서는 화학적 도핑 방법 및 플라즈마 표면 처리방법을 이용하여 그래핀 내 Electron & Hole carrier 들의 농도를 변화시켜, 전계효과에 따른 Graphene Field Effect Transistors (GFETs) 소자의 전기적 특성 변화를 확인 하였으며, 전기적 특성 결과 중에 Dirac-point (DP) 이동에 따른 그래핀 $E_F$ (Fermi-energy) level 변화를 계산 및 유추 하였으며, Ultraviolet Photoelectron Spectroscpy (UPS)를 이용하여 실제적으로 He 소스 광전자를 그래핀 샘플 표면에 입사하여 나오는 전자들의 Kinetic Energy($E_K$) 결과를 이용하여 Work function (WF) 변화를 확인 및 검증하였다.

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