• 한국막학회:학술대회논문집
• /
• 한국막학회 1997년도 춘계 총회 및 학술발표회
• /
• pp.13-16
• /
• 1997

The permeation, solution and diffusion of simple gases ($He, H_2, O_2, N_2$ and CH$_4$) and condensible vapers($CO_2, SO_2, C_2H_4$ and $C_3H_8$), and the mixed gases ($O_2/N_2$ mixtures and $CO_2/CH_4$ mixtures) through composite membrane was studied. Composit membranes were made by deposition of aromatic fluorocarbons onto polymer substrams of porous Celgard in a microwave discharge. In the both cases of simple gases and condensible vapors, as the kinetic molecular diameter of the permeant molecules increased, the permeability decreased. However, when the kinetic molecular dimemr are similar, the condensible vapors showed higher permeabilities than that of permanent gases. The vapor solubility increased with increasing critical temperature of the vapors. However, in the case of propane, despite its high critical temperature, it showed lower solubility than other vapors. The vapor diffusivity decreased with increasing kinetic diameter of the molecule. Compared to conventional polymers, the plasma polymers showed much lower values for vapor diffusivities. The pressure of the permeant did not affect the permeability. The permeability was also not affected by the composition in cases of mixed gases.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.2424-2426
• /
• 2005

In whole world consciousness of environment maintenance have increased very quickly for he end of the 20th century. To use and disuse toxic substances have been controled at the field of industry. Also the field of lighting source belong to environmental control. And in the future the control will be strong. In radiational mechanism of fluorescence lamp mercury is the worst environmental problem. In radiational mechanism of fluorescence lamp mercury is the worst environmental problem root. In the mercury free lighting source system the Xe gas lamp is one type. And the Ne:Xe and Ne:Ar mixing gas lamp improvements firing voltage of Xe gas lamp. Purpose and subject of this study are understand, efficiency, ideal of Ne:Xe and Ne:Ar plasma which mercury free lamp. Before ICP was designed, basic parameters of plasma, which are electron temperature and electron density, were measured and calculated by langmuir probe data. Property of electron temperature and electron density were confirmed by changing ratio of Ne:Xe and Ne:Ar.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
• /
• 한국산학기술학회 2004년도 춘계학술대회
• /
• pp.50-53
• /
• 2004

본 논문에서는 Si wafer와 Cu사이의 밀착력을 증가시키기 위해 Si wafer전처리 후 plasma와 SAMs처리 방법에 의한 Cu도금의 형성에 관한 방법을 설명하였다. Si wafer를 Piranha solution과 $0.5\%$ HF처리 후 유기박막인 SAMs과 plasma를 이용하는 방법으로 wafer와 Cu층 사이의 밀착력을 증가시켰다. 도금층의 밀착력은 scratch test 로 측정하였으며, AEM을 이용해 시편에 형성된 패턴의 형태를 관찰하고 SEM과 EDS를 이용해 시편의 조직을 관찰하였다. 그 결과 Si wafer를 O2, He, SAMs를 혼합처리 했을 때 밀착성이 가장 우수하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제11권2호
• /
• pp.113-118
• /
• 2002

대면적 GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정에서 식각 깊이의 좋은 균일도를 얻기 위해 반응기 내의 가스 흐름을 조절하는 진보된 기술을 실험하였다. 유한차분수치법(Finite Difference Numerical Method)은 GaAs 웨이퍼의 건식 식각을 위한 반응기 안의 가스 흐름의 분포를 시뮬레이션하기에 유용한 방법이다. 이 방법을 이용해 시뮬레이션된 자료와 실제의 것이 상당히 일치한다는 것이 $BCl_3/N_2/SF_6/He$ICP플라즈마의 실험 결과로 확인되었다. 대면적 GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정 중에서 포커스 링(focus ring)의 최적화된 위치가 가스 흐름과 식각 균일성을 동시에 향상시키는 것을 이해했다. 반응기와 전극(electrode)의 크기가 변하지 않는 상황에서 샘플을 고정시키는 클램프 배치의 최적화를 통해 100 mm(4 inch) GaAs 웨이퍼에서 가스 흐름의 균일성을 $\pm$1.5 %, 150 mm(6 inch) 웨이퍼에서는 $\pm$3% 이하로 유지시킬 수 있는 것을 시뮬레이션결과에서 확인할 수 있다. 시뮬레이션된 가스 흐름의 균일도 자료와 실제 식각 깊이 분포실험 데이터의 비교로 대면적 GaAs 웨이퍼에서 건식 식각의 뛰어난 균일성을 얻기 위해서는 반응기 내의 가스흐름분포의 조절이 매우 중요함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.148-148
• /
• 2009

반도체 소자의 크기가 45 nm 이하로 감소함에 따라 최소 선폭에 따른 다층 배선 연결 구조가 요구되고 있다. 그러나 고집적화 구조는 기생 저항과 정전 용량에 의한 신호지연증가 및 혼선 전력 소모의 문제가 발생한다. 이런 문제를 해결하기 위한 방법 중의 하나는 저저항 배선연결물질과 층간 절연막으로 저유전 상수를 갖는 물질을 사용하는 것이다. 본 연구는 DEMS $(H-Si(CH_3)(OC_2H_5)_2)$ 전구체를 이용하여 저유전막을 증착할 때 사용되는 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 장비를 국내 기술로 개발하고 개발된 장비로 저유전박막을 평가한 것에 관한 것이다. 본 연구에서 평가 및 박막 종확 시 사용한 장비는 MAHA hp 1 type ((주)아토)로서 양산용 PECVD 장비이다. 변수는 C-He의 유랑, 300 mm Si 웨이퍼와 shower head 사이의 거리, 증착 압력, 구동 전력이고, 증착된 저유전막의 두께, 두께의 균일성, 굴절률, 굴절률의 균일성를 평가하였다. 구동 전력이 500W 일 때, C-He의 유량과 진공의 크기를 감소시키면 박막의 두께가 감소하고 박막의 균일성은 증가하였다. C-He의 유량을 증가시키고 shower head 와 Si 웨이퍼 사이의 거리 및 구동 압력을 감소시키면 굴절률과 굴절률의 균일성이 모두 저하되었다. 구동 전력이 700W 일 때, 박막 두께의 경우, 구동 전력이 500W 일 때의 결과와 유사하지만, 박막의 균일성, 굴절률, 굴절률의 균일성은 모든 조건에서 저하되었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제7권3호
• /
• pp.169-175
• /
• 1998

HBr/$Cl_2/He-O_2$ 반응 기체를 이용한 반응성 이온 식각후, 폴리실리콘 표면에 형성된 잔류막을 x-선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy, XPS)과 전자 현미경 (scanning electron mocroscopy, SEM)을 이용하여 관찰하였다. 그 결과 잔류물은 패턴된 폴 리실리콘의 맨 윗부분에 자존하고 있었으며, 화학 결합 상태는 실리콘 산화물임이 밝혀졌다. 잔류물인 실리콘 산화물의 형성 메카니즘을 규명하기 위하여 원래의 혼합 기체 성분중 한가 지씩의 반응 기체를 제외시켜 가면서 실험하였다. 비록 플라즈마 성질이 다를지라도, 잔류물 은 산소의 존재하에서 잘 형성됨을 알 수 있었는데, 이는 휘발성이 낮은 실리콘-할로겐 화 합물이 산소에 의해 산화됨으로써 형성되는 것으로 이해하게 되었다. 또한 반응성 이온 식 각후 형성된 잔류층은 소자의 전기적 특성과 후처리 공정에 영향을 미치는 것으로 알려져 있어서, 이를 제거하기 위해 습식과 건식 후처리 공정을 도입하여 비교하였다. 그 결과 건식 공정의 경우 기체에 의해 새로운 잔류물이 형성됨을 XPS를 통하여 관찰하였다. 따라서 잔 류물을 제거하고 깨끗한 표면을 얻기 위해서는 습식 공정이 더 적합함을 알았다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권8호
• /
• pp.739-745
• /
• 2003

In $N_{x}$ films were deposited on soda-lime glass without substrate heating by reactive dc magnetron sputtering using indium (In) metal target. Depositions were carried out under various total gas pressures ( $P_{tot}$) of mixture gases (Ar+$N_2$ or He+$N_2$). He gas was introduced to $N_2$ gas in order to enhance the reactivity of nitrogen on film surface by the "penning ionization". Plasma impedance decreased greatly when 20% or more introduced the $N_2$ gas. This is due to the In $N_{x}$ layers formed on target surface because a secondary electron emission rate of InN is small compared with In metal. XRD patterns of the films revealed that <001> preferred oriented polycrystalline In $N_{x}$ films, where the crystallinity of the films was improved with decrease of $P_{tot}$ and with increase of $N_2$ flow ratio. The improvement of the crystallinity and stoichimetry of the In $N_{x}$ films were considered to be caused by an increase in the activated nitrogen radicals and also by an increase in the kinetic energy of sputtered In atoms arriving at growing film surface, which should enhance the chemical reaction and surface migration on the growing film surface, respectively. Furthermore, the films deposited using mixture gases of He+$N_2$ showed higher crystallinity compared with the film deposited by the mixture gases of Ar+$N_2$.$.EX>.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제54권6호
• /
• pp.1947-1953
• /
• 2022

As the plasma facing material in the nuclear fusion reactor, tungsten has to bear the irradiation impact of high energy particles. The surface quality of tungsten may affect its irradiation resistance, and even affect the service life of fusion reactor. In this paper, tungsten samples with different surface quality were polished by mechanical processing, subsequently conducted by D₂⁺ implantation and thermal desorption. D₂⁺ implantation was performed at room temperature (RT) with the irradiation dose of 1 × 10²¹ D₂⁺/m² by 5 keV D₂⁺ ions, and thermal desorption spectroscopy measurements were done from RT to 900 K. In addition, He irradiation was also performed by 50 eV He⁺ ions energy with the fluxes of 5.5 × 10²¹ m^-2s^-1 and 1.5 × 10²² m^-2s^-1, respectively. Results reveal that the hydrogen/helium irradiation behavior are both related to surface quality. Samples with high surface quality has superior D₂⁺ retention behavior with less D₂ retained after implantation. However, such samples are more likely to generate fuzzes on the surface after helium irradiation. Different morphologies (smooth, wavy, pyramids) after helium irradiation also demonstrates that the surface morphology is related to tungsten crystallographic orientation.

• Journal of Nutrition and Health
• /
• 제24권4호
• /
• pp.314-325
• /
• 1991

식이지방의 수준에 따라 n6 와 n3 불포화지방산이 혈장 지질조성에 미치는 영향과 또 그 기전이 다른지를 연구하고자 Sprague Dawley 종 수컷쥐에게 저지방(LF, 10% Cal)식이와 고지방식이(HF, 40% Cal)를 각각 6주동안 투여하였으며, 사용된 기름은 포화지방산 급원으로는 쇠기름, n6 linoleic acid(LA) 급원으로 corn oil, n3 ${\alpha}-linolenic$ acid(LL) 급원으로 perilla oil, n3 eicosapentaenoic acid(EPA)와 docosahexaenoic acid(DHA) 급원으로 fish oil이었다. Ultracentrifugation 방법으로 VLDL fraction을 분리하여 thin layer chromatography에 의해서 화학적조성을 구하였다. Plasma cholestere 수준은 LF 와 HF 모두 n6 LA에 의해서는 오히려 증가되었고 n3 LL과 n3 EPA에 의해서는 감소되었으며, HF 에서 n3 EPA가 가장 cholesterol 저하효과가 있었다. HDL-Chol 농도는 n6 LA에 의해서 증가되었으나, HF 경우 n3 EPA에 의해서 유의성있게 감소되었다. Plasma TG 농도는 n3 EPA에 의해서 가장 감소되었고 간의 lipogenic enzyme 활성을 억제하였으며 VLDL fraction의 TG상대적양(%)이 유의성 있게 낮아졌다. 이때 LF 군에서는VLDL fraction의 apo-B의 상대적양(%)이 감소되지 않았으나 HF군에서 n3 EPA에 의해서 유의성 있게 낮았다. 그러므로 n3 EPA의 hvpotriglyceridemic effect는 간에서 lipogenesis를 억제하여 plasma VLDL로 TG 분비가 억제되었을 것이며, HF일 경우는 간에서 apo-B 생성도 억제되었다. 관상동맥성심장질환의 예방적 차원에서 평상시에도 쇠기름과 corn oil 보다는 n3 PUFA가 풍부한 들기름이나 생선을 더욱 이용하는 것이 바람직하다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.185-185
• /
• 2011

ZnTe semiconductor is very attractive materials for optoelectronic devices in the visible green spectral region because of it has direct bandgap of 2.26 eV. The prototypes of ZnTe light emitting diodes (LEDs) have been reported [1], showing that their green emission peak closely matches the most sensitive region of the human eye. Another application to photovoltaics proved that ZnTe is useful for the production of high-efficiency multi-junction solar cells [2,3]. By using the pulse laser deposition system, ZnTe thin films were deposited on ZnO thin layer, which is grown on (0001) Al2O3substrates. To produce the plasma plume from an ablated ZnO and ZnTe target, a pulsed (10 Hz) YGA:Nd laser with energy density of 95 mJ/$cm^2$ and wavelength of 266 nm by a nonlinear fourth harmonic generator was used. The laser spot focused on the surface of the ZnO and ZnTe target by using an optical lens was approximately 1 mm2. The base pressure of the chamber was kept at a pressure around $10^{-6}$ Torr by using a turbo molecular pump. The oxygen gas flow was controlled around 3 sccm by using a mass flow controller system. During the ZnTe deposition, the substrate temperature was $400^{\circ}C$ and the ambient gas pressure was $10^{-2}$ Torr. The structural properties of the samples were analyzed by XRD measurement. The optical properties were investigated by using the photoluminescence spectra obtained with a 325 nm wavelength He-Cd laser. The film surface and carrier concentration were analyzed by an atomic force microscope and Hall measurement system.