The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
/
v.9
no.8
/
pp.853-859
/
2014
This study presents a technique for extracting all the extrinsic parameters of HEMTs by minimizing the residual errors between a pinch-off cold-FET's gate and drain pad de-embedded Z-parameters and its modeled Z-parameters calculated by the cold-FET's remaining parameters. The presented technique allows us to successfully extract the remaining extrinsic parameter values as well as the gate and drain pad capacitance value without the additional fabrications of the gate and drain dummy pad.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
/
v.48
no.1
/
pp.97-101
/
2011
Quad band p-HEMT SP6T switch for handset applications was developed. To achieve the low insertion loss and high isolation, trade-off between "On" state and "Off" state was considered by optimization of unit cell. Especially, in case isolation between transmit port and receive port, it was achieved by large capacitors and miniaturization of chip size was achieved by common voltage control and ground using back via process. Designed SP6T switch has size of $950um{\times}100um$ and take into consideration the gate recess error, excellent loss and isolation was confirmed in operating frequency.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2008.06a
/
pp.145-145
/
2008
갈륨-질화물(GaN) 기반의 고속전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT)는 최근 마이크로파 또는 밀리미터파 등의 차세대 고주파용 전력소자로 각광받고 있다. AlGaN/GaN HEMT는 이종접합구조(heterostructure) 로부터 발생하는 이차원 전자가스(two-dimensional electron gas, 2DEG) 채널을 이용하여 높은 전자 이동도, 높은 항복전압 및 우수한 고출력 특성을 얻는 것이 가능하다. AlGaN/GaN HEMT에서 ohmic 전극 부분과 채널이 형성되는 부분과의 거리에 의한 저항의 성분을 줄이고 전자의 터널링의 확률을 증가시키기 위해서 recess된 구조가 많이 사용되고 있다. 그러나 이 구조에서는 recess된 소스와 드레인에 의해 AlGaN층의 제거로 AlGaN층의 두께에 영향을 미치며 그에 따라 채널에 생성되는 전자의 농도를 변화시키게 된다. 본 논문에서는 소스와 드레인의 Trench 구조를 제안하였다. ohmic 전극 부분과 채널간의 거리의 감소로 특성을 향상시켜서 recess 구조의 장점이 유지된다. 그리고 recess되는 소스와 드레인 영역에서 AlGaN층을 전체적으로 제거하는 것이 아니고 Trench 즉 일부분만 제거하면서 AlGaN층의 두께의 변화에 따른 문제점도 줄일 수 있다. 따라서 이러한 전극 부분을 Trench구조화 시킨 AlGaN/GaN HEMT의 DC특성을 $ATLAS^{TM}$를 이용하여 전산모사하고 최적화된 구조를 제안하였다.
본 논문에서는 P-HEMT Gate-바이어스 튜닝에 의한 위상동기 마이크로파 발진기를 설계하였다. 설계된 유전체 발진기는 병렬궤환공진 형태로서 P-HEMT의 게이트단에서 전압을 제어하여 전압제어발진기 형태로 주파수를 가변시키므로서 안정된 위상동기신호를 나타나도록 하였다. 위상동기방식은 외부에서 제공되는 125㎒의 기준주파수를 SRD로 체배시켜 하모닉 신호를 이용한 마이크로파 샘플링 위상검파 방식으로 설계하였으며, 유전체 발진기의 자유발진신호와 샘플링 신호사이의 위상비교에 의하여 ±1㎒ 범위의 고안정 특성을 갖는 13.25㎓대역의 위상고정 발진기의 동기화와 저 위상잡음을 나타내었다.
In this paper, we present a design technique that miniaturises the DC-DC converter, a key component in the electric vehicle system, using the advanced material (Ga-N HEMT) in the LLC resonant converter and freely changes the resonant frequency. This design is also proposed to improve the efficiency and temperature characteristics by adding SR Topology in the secondary side output during the operation of power supply. In this experiment, as a consequence of the constructed circuit with the operation of high switching frequency of 200 kHz, the size of LLC and PFC was able to be minimised by 40[%]. Thus, the characteristics of operating temperature demonstrated $60-65^{\circ}C$ without a heat sink, when the temperature was measured at 250W (12V/20A). The features were all due to the advantages of the change of switching frequency, switching circuits implementation, and the maximisation of switching frequency. Based on these design results, we would like to implement more than 1 [kW].
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
/
v.48
no.11
/
pp.1-8
/
2011
One of the most important parameters that limit maximum output power of transistor is breakdown. InAlAs/InGaAs/GaAs Metamorphic HEMTs (MHEMTs) have some advantages, especially for cost, compared with InP-based ones. However, GaAs-based MHEMTs and InP-based HEMTs are limited by lower breakdown voltage for output power even though they have good microwave and millimeter-wave frequency performance with lower minimum noise figure. In this paper, InAlAs/$In_xGa_{1-x}As$/GaAs MHEMTs are simulated and analyzed for breakdown. The parameters affecting breakdown are investigated in the fabricated 0.1-${\mu}m$${\Gamma}$-gate MHEMT device having the modulation-doped $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ heterostructure on the GaAs wafer using the hydrodynamic transport model of a 2D commercial device simulator. The impact ionization and gate field effect in the fabricated device including deep-level traps are analyzed for breakdown. In addition, Indium mole-fraction-dependent impact ionization rates are proposed empirically for $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_xGa_{1-x}As$/GaAs MHEMTs.
Choi, Myung-Seok;Yoon, Tae-San;Kang, Bu-Gi;Cho, Samuel
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
/
v.24
no.11
/
pp.1064-1073
/
2013
In this paper, a compact 370 W high efficiency GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) power amplifier(PA) using internal harmonic manipulation circuits is presented for cellular and L-band. We employed a new circuit topology for simultaneous high efficiency matching at both fundamental and 2nd harmonic frequency. In order to minimize package size, new 41.8 mm GaN HEMT and two MOS(Metal Oxide Semiconductor) capacitors are internally matched and combined package size $10.16{\times}10.16{\times}1.5Tmm^3$ through package material changes and wire bonded in a new package to improve thermal resistance. When drain biased at 48 V, the developed GaN HEMT power amplifier has achieved over 80 % Drain Efficiency(DE) from 770~870 MHz and 75 % DE at 1,805~1,880 MHz with 370 W peak output power(Psat.). This is the state-of-the-art efficiency and output power of GaN HEMT power amplifier at cellular and L-band to the best of our knowledge.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
/
v.24
no.10A
/
pp.1579-1587
/
1999
Bias-dependent noise models of $0.2\mu\textrm{m}$ gate length P-HEMT's which are scalable with gate width are proposed. To predict S-parameters of the P-HEMT's the intrinsic parameters except for $\tau$ subtracted the offsets introduced in this paper are normalized to the gate width and then scaled. The small-signal model parameters are expressed as fitting functions of the drain current to $\textrm{I}_{dss}$ ratio and gate width. In addition, to estimate accurately noise parameters the noise temperature $\textrm{T}_{g}$ of the intrinsic resistance, the equivalent noise conductance $\textrm{G}_{ni}$ of the gate current noise source, and the equivalent noise conductance $\textrm{G}_{no}$ of the drain current noise source are adopted as the noise model parameters. The extracted values of $\textrm{T}_{g}$ are nearly independent of drain current and gate width and their average is around the ambient temperature. The extracted values of $\textrm{G}_{ni}$ are small enough to be neglected to the circuit characteristics. From the comparison of the noise model with only $\textrm{G}_{no}$ and that having $\textrm{T}_{g}$, $\textrm{G}_{ni}$ and $\textrm{G}_{no}$ to the measured data it is fund that even the former model is in good agreement with the measured noise parameters. Thus, from a practical point of view the noise model having only the drain current noise source is confirmed as a scalable bias-dependent model.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
/
v.25
no.4
/
pp.401-410
/
2014
This paper presents a high-efficiency concurrent dual-band Class-E power amplifier(PA) that is based on a multi-harmonic matching network(MHMN). The proposed MHMN controls the impedance at 1.3 GHz, 2.1 GHz, and their second and third harmonics, respectively, by using transmission lines only rather than switches or lumped components. The dual-band Class-E PA is implemented using Avago ATF-50189 GaAs p-HEMT. The PA exhibits a measured output power of 27.1 dBm and 25.7 dBm, a power gain of 6.1 dB and 4.7 dB, and a drain efficiency of 71.2 % and 60.1 % at 1.3 GHz and 2.1 GHz, respectively.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
/
v.37
no.2
/
pp.83-90
/
2000
A simple low-cost and small size 1.88-198 GHz Band RF power amplifier module is developed for IMT2000 repeater. The power amplifier consists of two stage amplifiers that the first stage amplifier is drive amplifier using discrete type P-HEMT (ATF-34143, 800 micron gate width, Agilent Technologies) and the second is power amplifier with 300Bm 1dB gain compression point using GaAs FET(EFA240D-SOT89, 2400 micron gate width, Excelics Semiconductor). this power amplifier module feature a 29.5dBm 1dB gain compression point, 29.5dB gain, 42dBm 3rd order intercept point(OIP3) and -10dB/-l2dB input/output return loss over the 1880-1980 MHz. This PA module is fully integrated using MIC technology into a small size and design by full nonlinear design technologies. The dimensions of this PA module are 42(L) $\times$ 34(W) mm.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.