A Scalable Bias-dependent P-HEMT Noise Model with Single Drain Current Noise Source

드레인 전류 잡음원만을 고려한 스케일링이 가능한 바이어스 의존 P-HEMT 잡음모델

  • 윤경식 (고려대학교 전자 및 정보공학부 정회원)
  • Published : 1999.10.01

Abstract

Bias-dependent noise models of $0.2\mu\textrm{m}$ gate length P-HEMT's which are scalable with gate width are proposed. To predict S-parameters of the P-HEMT's the intrinsic parameters except for $\tau$ subtracted the offsets introduced in this paper are normalized to the gate width and then scaled. The small-signal model parameters are expressed as fitting functions of the drain current to $\textrm{I}_{dss}$ ratio and gate width. In addition, to estimate accurately noise parameters the noise temperature $\textrm{T}_{g}$ of the intrinsic resistance, the equivalent noise conductance $\textrm{G}_{ni}$ of the gate current noise source, and the equivalent noise conductance $\textrm{G}_{no}$ of the drain current noise source are adopted as the noise model parameters. The extracted values of $\textrm{T}_{g}$ are nearly independent of drain current and gate width and their average is around the ambient temperature. The extracted values of $\textrm{G}_{ni}$ are small enough to be neglected to the circuit characteristics. From the comparison of the noise model with only $\textrm{G}_{no}$ and that having $\textrm{T}_{g}$, $\textrm{G}_{ni}$ and $\textrm{G}_{no}$ to the measured data it is fund that even the former model is in good agreement with the measured noise parameters. Thus, from a practical point of view the noise model having only the drain current noise source is confirmed as a scalable bias-dependent model.

게이트 길이가 $0.2\mu\textrm{m}$인 P-HEMT에 대하여 드레인 바이어스 전류의 변화 및 게이트 폭에 대해 스케일링이 가능한 잡음모델을 제안하였다. 본 논문에서는 S-파라미터를 정확히 예측하기 위하여 $\tau$를 제외한 intrinsic 파라미터는 offset를 도입하여 정규화 한 후 스케일링을 하였다. 드레인 포화전류에 대한 드레인 전류의 비율과 게이트 폭을 변수로 하는 소신호 모델 파라미터의 맞춤함수를 구하였다. 또한, 잡음 파라미터를 정확히 예측하기 위하여 진성저항 잡음 온도 $\textrm{T}_{g}$, 게이트 단 전류 잡음원 등가잡음 컨덕턴스 $\textrm{G}_{ni}$, 드레인 단 전류와 게이트 폭에 거의 관계없으며 이의 평균값은 주변온도와 유사한 값으로 $\textrm{G}_{ni}$는 회로 특성에 영향을 미치지 않을 정도로 작은 값으로 추출되었다. 그러므로, $\textrm{G}_{no}$만을 잡음 모델정수로 하는 잡음모델과 $\textrm{T}_{g}$, $\textrm{G}_{ni}$, $\textrm{G}_{no}$를 잡음 모델정수로 하는 잡음모델을 측정값과 비교하여 본 결과 Gno만을 갖는 잡음모델도 측정된 잡음 파라미터와 잘 일치하였다. 따라서, 모델 정수추출이 간단한 $\textrm{G}_{no}$만을 갖는 잡음모델은 게이트 폭과 바이어스 전류에 대해 스케일링이 가능한 실용적인 잡음모델임을 확인하였다.

Keywords

References

  1. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. v.37 no.9 Modeling of noise parameter of MESFETs and MODFETs and their frequency and temperature dependence M.W. Pospieszalski
  2. IEEE Trans. Micro-wave Theory Tech. v.36 no.1 Noise modeling and measurement techniques A. Cappy
  3. IEEE Trans.on Electron Device Letters v.16 no.2 A new noise model of HFET with special emphasis on gate-leakage R.Reuter;S. Van Waasen;F.J. Tegude
  4. 한국통신학회 1998년도 추계 종합학술대회 논문집(하) IMD 특성을 고려한 LMDS용 저잡음 증폭기 MMIC 설계 안상현;윤경식;이창석;맹성재;이진희;박철순
  5. 고주파 소자 모델링에 관한 연구 윤경식