• Journal of Periodontal and Implant Science
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• 제32권3호
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• pp.523-537
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• 2002

The present study was performed to evaluate the effect of tetracycline - HCl on the change of implant surface microstructure according to application time. Implants with pure titanium machined surface, SLA surface and $TiO_2blasted$ surface were used. Implant surface was rubbed with 5Omg/ml tetracycline - HCl solution for ${\frac}{1}{2}$ min., 1 min., $1{\frac}{1}{2}$ min., 2 min., and 3min. respectively in the test group and with no conditioning in the control group. Then, the specimens were processed for scanning electron microscopic observation. The following results were obtained. 1. In the pure titanium machined surfaces, the control specimen showed a more or less rough machined surface composed of alternating positive and negative lines corresponding to grooves and ridges. After treatment, machining line was more pronounced for the control specimens. but in general, test specimens were similar to control. 2. In the SLA surfaces, the control specimen showed that the macro roughness was achieved by large-grit sandblasting. subsequently, the acid-etching process crated the micro roughness, which thus was superimposed on the macro roughness. 3. In the SLA surfaces, irrespective of the application time of 50mg/ml tetracycline-HCl solution, in general, test specimens were similar to control. 4. In the $TiO_2blasted$ surfaces the control specimen showed the rough surface with small pits. The irregularity of the $TiO_2blasted$ surfaces with 50mg/ml tetracycline-HCl solution was lessened and the flattened areas were wider relative to the application time of tetracycline - HCl solution. In conclusion, pure titanium machined surfaces and SLA surfaces weren't changed irrespective of the application time of tetracycline-HCl solution. And the $TiO_2blasted$ surfaces conditioned with tetracycline - HCl solution began to be changed from $1{\frac}{1}{2}$ min. This results are expected to be applied to the regenerative procedures for peri-implantitis treatment.

• 청정기술
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• 제23권3호
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• pp.279-285
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• 2017

본 연구에서는 염화철 에칭폐액 재생을 위하여 (주)케이엠씨에서 조합한 organophosphorus acid계의 신규용매(KMC-P)를 사용하였으며, 용매추출공정에서 신규 용매에 대한 추출효율을 증가시키기 위해 공정변수를 선정하고 변수간의 상관관계를 알아보기 위해서 DOE에 따른 최적화실험을 진행하였다. 용매 농도, pH, O/A ratio가 추출, 탈거효율에 영향을 미치는 인자로 나타났으며 최적의 탈거효율을 갖는 공정조건은 용매 농도 29.4 wt%, HCl 첨가량 0 mL, O/A ratio 7일 때, 최대 69.7%의 탈거효율을 기대할 수 있는 결과를 얻었으며 신뢰 수준은 86% 이상인 것을 확인하였다.

• Current Applied Physics
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• 제18권12호
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• pp.1571-1576
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• 2018

Recent study shows that the main reason for limiting CZTS device performance lies in the low open circuit voltage, and crucial factor that could affect the $V_{oc}$ is secondary phases like ZnS existing in absorber layer and its interfaces. In this work, the $Cu_2ZnSnS_4$ thin film solar cells were prepared by sputtering CuSn and CuZn alloy targets. Through tuning the Zn/Sn ratios of the CZTS thin films, the crystal structure, morphology, chemical composition and phase purity of CZTS thin films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) equipped with an energy dispersive spectrometer (EDS) and Raman spectroscopy. The statistics data show that the CZTS solar cell with a ratio of Zn/Sn = 1.2 have the best power convention efficiency of 5.07%. After HCl etching process, the CZTS thin film solar cell with the highest efficiency 5.41% was obtained, which demonstrated that CZTS film solar cells with high efficiency could be developed by sputtering CuSn and CuZn alloy targets.

• 자원리싸이클링
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• 제14권3호
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• pp.48-54
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• 2005

FeCl$_3$용액으로 니켈프레임을 에칭하는 과정에서 발생한 폐액으로부터 철과 니켈을 분리, 회수하기 위해 용매추출과 환원실험을 수행했다. 추출제로 Alamine336을 사용하여 철과 니켈의 분리가 가능했으며, 유기상과 에칭폐액의 부피비가 7이상의 조건에서 99%의 철의 추출율을 얻었다. 0.01 M농도의 염산용액을 탈거액으로 사용하여 탈거액과 유기상의 부피비가 7인 조건에서 99%의 철 탈거율을 얻었다. 추출여액의 pH가 10.5이고 반응온도가 100$^{\circ}C$인 조건에서 환원제로 히드라진을 첨가하여 99%의 순도를 지닌 니켈 금속 분말을 얻었다. 용매추출과 화학환원을 이용하여 에칭폐액으로부터 니켈금속을 회수하고, 에칭액을 재생할 수도 있는 공정을 제시하였다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제20권1호
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• pp.289-302
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• 1995

The purpose of this study was to estimate the shear bond strength and observe the fractured and interfacial surfaces of various dentin bonding agents used conjunction with a visible light cured composite. The senentytwo human premolars and molars extracted due to periodontal or orthodontic reasons were used and randomely divided into six groups. All the prepared dentin surfaces were treated with Superbond D-liner, Scotchbond Multi-Purpose, All-Bond 2 and Prisma Universal Bond 3 accroding to the manufacturer's instructions. Six specimens were then demineralized in 10 % HCl for 24 hours and the other six specimens were not demineralized in order to observe the interfacial surfaces with Hitachi X-450 SEM at 25Kv. Also shear bond strength were obtained using an Instron Testing Machine with a crosshead speed of 1mm/min. The following results were obtained : 1. Although shear bond strength of Superbond D-Liner(17.35 MPa) and Scotch-bond Multi-Purpose group(17.29 MPa) were higher than the All-Bond 2(12.80 MPa) and Prisma Universial Bond 3 (13.43 MPa), there were no significant statistic differences in the shear bond strength between 4 groups.(P<0.05) As a result of etching to dentin in Prism a Universial BOND 3 experimentally, the resin tag was formed, but shear bond strength was decreased. 2. The resin tag into the opened dentinal tubule was formed in Superbond D-Liner, Scotchbond Multi-Purpose, All-Bond 2(etching) and Prisma Universial Bond 3(etching), but not in the All-Bone 2 and Prism a Universial Bond 3(non-etching). 3. Strong, durable bonds between dentin and dentinal bonding agents are essential, not only resin tag into the dentinal tubules, but also hybrid layer.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.48-48
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• 2011

We have developed a chemically-driven top-down approach using vapor phase HCl to form various GaN nanostructures and successfully demonstrated dislocation-free and strain-relaxed GaN nanostructures without etching damage formed by a selective dissociation method. Our approach overcomes many limitations encountered in previous approaches. There is no need to make a pattern, complicated process, and expensive equipment, but it produces a high-quality nanostructure over a large area at low cost. As far as we know, this is the first time that various types of high-quality GaN nanostructures, such as dot, cone, and rod, could be formed by a chemical method without the use of a mask or pattern, especially on the Ga-polar GaN. It is well known that the Ga-polar GaN is difficult to etch by the common chemical wet etching method because of the chemical stability of GaN. Our chemically driven GaN nanostructures show excellent structure and optical properties. The formed nanostructure had various facets depending on the etching conditions and showed a high crystal quality due to the removal of defects, such as dislocations. These structure properties derived excellent optical performance of the GaN nanostructure. The GaN nanostructure had increased internal and external quantum efficiency due to increased light extraction, reduced strain, and improved crystal quality. The chemically driven GaN nanostructure shows promise in applications such as efficient light-emitting diodes, field emitters, and sensors.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.161.1-161.1
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• 2016

박막 태양전지의 광 산란을 위한 텍스쳐 된 표면은 반사 손실을 감소시키기 위한 것이다. 그러나, 투명한 전극(TCO)의 텍스쳐 된 표면은 빛의 가용성을 제한하고, 장파장 영역에서 haze의 수치를 감소시키며, 전반사의 증가는 박막 태양전지의 Jsc를 감소시킨다. 본 논문에서는 높은 빛의 가용성을 위하여 HF+HCl 혼합용액을 이용하여 표면의 질을 향상시키기 위한 해결책을 제시했다. 같은 HF+HCl 혼합용액을 사용하여, 540 nm의 파장에서 약 85 %의 높은 haze 수치를 달성했으며, ZnO:Al 막의 증착 후에 식각된 유리 기판과 함께 비교했을 때, 2.3%의 haze 수치의 감소를 얻었다. 또, 깊은 습식 식각에 의하여 Haze 수치를 증가시키기 위한 메커니즘 간단히 설명했다. 텍스쳐 된 유리 기판의 haze 수치의 측면에서 광학 이득은 일반적인 Asahi FTO 유리(${\lambda}=540nm$의 13.5%)에 비해 상당히 높다. 이러한 높은 haze 수치의 AZO 박막은 박막 태양전지의 Jsc를 개선하는데 이용할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.64-69
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• 2011

Super-hydrophobic properties have been achieved on the rf-sputtered polytetrafluoroethylene(PTFE) films deposited on etched aluminum surfaces. The microstructural evolution created after etching has been investigated by FESEM. The water contact angle over $160^{\circ}$ can be achieved on the rf-sputtered ultra-tihn PTFE film less than 10 nm coated on aluminum surface etched with 7 wt.%, 12.5 wt.%, and 15 wt.% HCl concentration for 12 min. XPS analysis have revealed the presence of a large quantity of $-CF_3$ and $-CF_2$ groups in the rf-sputtered PTFE films that effectively can reduce the surface energy of etched aluminum. The presence of patterned morphology along with the low surface energy at the rf-sputtered PTFE coating makes the aluminum surface with high super-hydrophobic property.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.151-154
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• 2002

AP/RPCVD를 이용하여 $650^{\circ}C$의 저온에서 실리콘-게르마늄의 선택적 단결정 성장 (Selective Epitaxy Growth: SEG) 을 수행하였다. 본 실험에서는 $SiH_4$, $GeH_4$ 그리고 HCl 가스를 사용하여 잠입시간 동안 실리콘-게르마늄막을 성장시키고 연속해서 HCI 가스만을 주입하여 산화막 위에 형성되어진 작은 결정입자들을 식각하는 공정을 반복적으로 수행하였다. HCl 의 식각에 의해 한 주기의 잠입기 후에도 다시 잠입기가 존재함을 확인하였고, 이 성장법을 통하여 한 주기의 잠업시간 동안 증착할 수 있는 두께 이상으로 실리콘-게르마늄막의 선택적 성장이 가능하였다. 이는 저온 선택적 실리콘-게르마늄 성장 시 RPCVD에서 보이는 낮은 선택성과 $SiH_4$의 짧은 장입시간으로 인해 원하는 두께까지 확보하기 힘든 단점을 극복한 것이다. 선택성을 향상시키기 위해 실리콘-게르마늄 증착중 주입된 HCI의 유량에 따라 잠입시간과 증착속도에 영향을 주었으며, 연속공정을 위한 식각공정은 20sccm의 HCI을 20초간 주입하여 선택성을 유지하였다. 또한 보론 불순물의 첨가가 선택적으로 성장되는 박막의 결정성에 미치는 영향도 분석되었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.111.2-111.2
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• 2012

정보 기술 시대에 맞춰 광전소자의 연구가 활발해지면서 투명전극으로 사용될 수 있는 Transparent Conductive Oxide (TCO) 재료에 대한 관심이 높아지고 있다. 하지만 TCO의 대표적인 물질인 Indium Tin Oxide (ITO)의 경우 In의 가격 상승으로 인해 최근에는 낮은 전도도와 높은 투과도를 가질 수 있는 대체 물질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중에서 3.2 eV 의 높은 밴드갭을 갖는 ZnO 는 가시광선 영역에서 높은 투과율을 나타낼 뿐만 아니라 Al, Ga을 도핑함으로써 낮은 전도도를 가질 수 있다. 이러한 TCO 재료는 surface texturing을 통하여 optical region 에서 반사를 억제 시킴으로서 빛을 모으는 역할을 하여 태양전지의 효율을 향상 시킬 수 있기 때문에 PV (Photovoltaics) Cell의 anti-reflective coating에 적용 할 수 있다. 본 연구에서는 pulsed DC magnetron sputtering을 이용하여 Ga-doped ZnO (GZO) 박막을 증착하였고, HCl 0.5 wt %로 wet etching을 통하여 surface texturing을 진행하였다. 결정성은 X-ray diffractometer (XRD)로 분석하였으며, 표면 형상은 Scanning Electron Microscope (SEM)을 통해 확인하였다. Van der Pauw 방법을 통해 resistivity, carrier concentration, hall mobility 등의 전기적 특성을 분석하였고 UV-Vis spectrophotometer 를 통해 투과도 및 반사도를 측정하였다.