• 한국표면공학회지
• /
• 제26권5호
• /
• pp.271-279
• /
• 1993

Experiments on electorchemical etching of aluminum foils with high cubic textures were carried out in this study. Etching behaviours and pit shapes with respect to various conditions of eletrochemical etching were in-vestigated. When HCl and NaCl solutions were used as electrolytes, the highest capacitanes were observed in solutions of 1MHCl and 5M NaCl. It was foundd that capacitance was improved by addition of H2SO4 to HCl so-lution which is considered to be due to the suppression of oxide film formation on the aluminum surface. The homogeneous distribution of each pits obtained in the HCl solution, while the degree of weight loss was lowest in the Nacl solution. The best etching properties in 1M HCl solution were obtained at the etching condi-tions of 0.15 A/$\textrm{cm}^2$, 150sec and$ 90^{\circ}C$.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.41-46
• /
• 2008

본 연구는 2.5MHF-xMHCl$(x:0\sim8)$ 혼합 용액에서 $EAGLE^{2000TM}$ LCD 유리의 식각에 관한 것이다. 유리의 용해공정에서 율속단계는 HF를 함유한 식각액과 유리와의 반응이었다. 그 증거로는 유리의 두께는 시간에 따라 직선적으로 감소하였고, 식각속도는 교반정도에 무관하게 일정하였으며, 활성화 에너지가 $35\sim45$ kJ/mol 범위였다는 점이다. 순수한 HF만 사용했을 때 보다 HCl이 첨가되면 식각속도는 증가하였고. 그 속도는 HCl 첨가량에 비례하여 증가하였다. 또한 HCl 첨가시 식각 후의 표면은 식각 전과 유사하였다. 이는 HCl 첨가에 의해 $H_{3}O^{+}$ 이온의 농도가 증가하여 각종 불화물의 용해도를 증가시키고, $H_{3]O^{+]$ 이온의 흡착은 Si-O 결합의 결합력을 감소시키기 때문에 일어난 현상으로 사료된다.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제21권5호
• /
• pp.41-45
• /
• 1984

양질의 에피택셜 층을 성장시키기 위해서는, 에피택셜 층을 성장시키기 직전에 HCl 가스를 사용하여 실리콘 기판을 에칭하는 과정이 거의 언제나 포함된다. 본 논문에서는, 대기압[1 기압]과 감압[0.1기압]에서 HCl 가스 농도와 에칭 온도의 변화에 따른 에칭속도 및 에치-피트 생성에 관하여 조사하였다. 그 결과, 대기압 공정과 감압 공정 모두 에칭 속도는 HCI 가스 농도의 2승[X ]에 비례하였으며, 명목상 활성화 에너지는 0∼11 Kcal/mole인 것으로 나타났다. 이러한 결과로부터, 감압 공정에서 HCl 가스에 의해 실리콘이 에칭되는 것은 대기압 공정에서와 같이 다음과 같은 반응에 의해 일어난다고 예측된다; Si + 2HCl ↔SiCl2 + H2.

• 공업화학
• /
• 제24권1호
• /
• pp.67-71
• /
• 2013

철, 구리, 알루미늄 등과 같은 금속의 에칭액으로 사용되는 $FeCl_3$ 용액의 에칭능력은 에칭 과정에서 $Fe^{3+}$이 $Fe^{2+}$로 환원되면서 감소하게 된다. 에칭능력의 감소는 에칭 속도에 영향을 주기 때문에 시간당 제거되는 금속의 양이 감소하여 에칭 효율이 저하되며, 폐 $FeCl_3$ 용액은 환경에 유해하며, 처리시 경제적인 문제점을 지니고 있다. 본 연구에서는 폐 $FeCl_3$ 에칭액에 HCl 첨가 후 $O_2$, $H_2O_2$ 등과 같은 강한 산화제를 이용한 에칭액 재생 방법과 재생된 에칭액을 이용한 금속 에칭시 산화-환원 전위(ORP) 및 에칭능력과의 관계를 조사하였다. 연구 결과 폐 $FeCl_3$ 에칭액 대비 2 vol%의 HCl과 미량의 $H_2O_2$를 이용하여 재생된 $FeCl_3$의 에칭 능력이 향상되었으며, 재생액을 이용한 에칭시 에칭액내의 $Fe^{2+}$, $Fe^{3+}$의 농도변화로 인하여 ORP를 기준으로 하는 방법보다 에칭시간을 일정하게 하는 것이 보다 효율적인 방법으로 제시되었다.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제58권3호
• /
• pp.474-479
• /
• 2020

유리기판의 박막화를 위한 식각액을 제조하였고, 습식 식각액의 주성분으로 HF를 사용하였다. HF를 기본으로 한 식각액에 HCl, HNO₃, H₂SO₄와 같은 강산과 구연산과 같은 카르복실산 그리고 여러 종류의 아미노산을 첨가물로 각각 사용한 식각액으로 유리의 식각속도와 표면형상의 변화를 측정하였다. 강산의 종류와 상관없이 첨가량이 증가함에 따라 선형적으로 유리의 식각속도가 증가하였으며 유리표면의 슬러지 제거효과도 나타내었다. HCl이 함유된 식각액이 식각속도의 증가율과 슬러지 제거 효과에서 다른 강산보다 효율적인 결과를 보였다. 카르복실산의 첨가는 식각속도에 영향을 크게 주지 않으나 슬러지 제거효과를 보였다. 하지만 아미노산을 첨가한 경우에는 식각속도의 변화와 슬러지 제거 효과가 크지 않았다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제32권1호
• /
• pp.40-44
• /
• 2022

35 % 농도의 염산 용액을 이용하여 α-Ga₂O₃ epitaxy 박막의 습식 식각을 수행하였다. 35 % 염산 용액의 온도가 증가함에 따라 α-Ga₂O₃ epitaxy 박막의 식각 속도가 증가하였고, 본 연구에서 시도한 가장 높은 온도인 75℃에서 119.6 nm/min의 식각 속도를 나타내었다. 식각 반응의 활성화 에너지는 0.776 eV로 계산되었고, HCl 용액에서의 습식 식각은 reaction-limited 반응 기구에 의해 지배됨을 확인하였다. 각 온도에서 식각된 표면들의 AFM 분석결과 식각 용액의 온도가 증가함에 따라 식각된 표면의 표면조도가 증가함을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권8호
• /
• pp.657-662
• /
• 2003

This paper presents a new fabrication method of selective SiGe epitaxial growth at 650 $^{\circ}C$ on (100) silicon wafer with oxide patterns by reduced pressure chemical vapor deposition. The new method is characterized by a cyclic process, which is composed of two parts: initially, selective SiGe epitaxy layer is grown on exposed bare silicon during a short incubation time by SiH$_4$/GeH$_4$/HCl/H$_2$system and followed etching step is achieved to remove the SiGe nuclei on oxide by HCl/H$_2$system without source gas flow. As a result, we noted that the addition of HCl serves not only to reduce the growth rate on bare Si, but also to suppress the nucleation on SiO$_2$. In addition, we confirmed that the incubation period is regenerated after etching step, so it is possible to grow thick SiGe epitaxial layer sustaining the selectivity. The effect of the addition of HCl and dopants incorporation was investigated.

• Carbon letters
• /
• 제13권1호
• /
• pp.44-47
• /
• 2012

We analyzed the effect of etchants for metal catalysts in terms of the characteristics of resulting graphene films, such as sheet resistance, hall mobility, transmittance, and carrier concentration. We found the residue of $FeCl_3$ etchant degraded the sheet resistance and mobility of graphene films. The residue was identified as an iron oxide containing a small amount of Cl through elemental analysis using X-ray photoelectron spectroscopy. To remove this residue, we provide an alternative etching solution by introducing acidic etching solutions and their combinations ($HNO_3$, HCl, $FeCl_3$ + HCl, and $FeCl_3+HNO_3$). The combination of $FeCl_3$ and acidic solutions (HCl and $HNO_3$) resulted in more enhanced electrical properties than pure etchants, which is attributed to the elimination of left over etching residue, and a small amount of amorphous carbon debris after the etching process.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제15권2호
• /
• pp.105-109
• /
• 2002

The wet etching characteristics of magnetic materials such as NiFe and CoFe were investigated in terms of etch rate and etch profile by using variouus etching solutions (etchants). Among the various etching solutions, HNO$_3$, HCl, and H$_2$SO$_4$were selected for the etching of magnetic materials and showed distinct results. In the case of NiFe films, faster etch rate were obtained with HNO$_3$solution. When NiFe films ere etched with HCl solution, white etch residues were found on the surface of etched films. From FEAES analysis of these etch residues, they were proved to be by-product from the reaction of NiFe with Cl element. CoFe thin films showed the similar trend to the case of NiFe films. They were etched fast in HNO$_3$ solution while Chl solution represented slow etching. The etch profiles of CoFe films showed smooth etch profile but revealed the partial etching around the patterns in HNO$_3$solution of relatively high concentration. It was observed that the etched surface was clean and smooth, and that white etch residues were also remained on the etched films.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.319.1-319.1
• /
• 2016

Recently, the Al-doped ZnO (ZnO:Al) films are intensively used in thin film a-Si solar cell applications due to their high transmittance and good conductivity. The textured ZnO:Al films are used to enhance the light trapping in thin film solar cells. The wet etch process is used to texture ZnO:Al films by dipping in diluted acidic solutions like HCl or HF. During that process the glass substrate could be damaged by the acidic solution and it may be difficult to apply it for the inline mass production process since it has to be done outside the chamber. In this paper we report a new technique to control the surface morphology of RF-sputtered ZnO:Al films. The ZnO:Al films are textured with vaporized HF formed by the mixture of HF and H2SiO3 solution. Even though the surface of textured ZnO:Al films by vapor etching process showed smaller and sharper surface structures compared to that of the films textured by wet etching, the haze value was dramatically improved. We achieved the high haze value of 78% at the wavelength of 540 nm by increasing etching time and HF concentration. The haze value of about 58% was achieved at the wavelength of 800 nm when vapor texturing was used. The ZnO:Al film texture by HCl had haze ratio of about 9.5 % at 800 nm and less than 40 % at 540 nm. In addition to low haze ratio, the texturing by HCl was very difficult to control etching and to keep reproducibility due to its very fast etching speed.