• 동의생리병리학회지
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• 제23권3호
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• pp.567-573
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• 2009

The present study was conducted to investigate the anti-allergic activity of HBT. We investigated the anti-allergic effects of HBT in RBL-2H3 basophilic leukemia cells by compound 48/80, a mast cell degranulator. HBT significantly inhibited ${\beta}$-hexosaminidase and histamine release from compound 48/80 stimulated RBL-2H3 cells. The in vitro anti-inflammatory activities of HBT in LPS-stimulated RAW 264.7 cells were investigated. HBT inhibited NO production in LPS-stimulated RAW 264.7 cells and effectively dowregulated the expression of iNOS mRNA and iNOS protein expression in LPS-stimulated RAW 264.7 cells. These result provide evidences that HBT may be beneficial in the treatment of allergic inflammtory disease.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제29권10호
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• pp.1636-1643
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• 2019

Two hydroxybenzoyl amines, 4-hydroxybenzoyl tyramine (4-HBT) and N-2-hydroxybenzoyl tryptamine (2-HBT), were synthesized using Escherichia coli. While 4-HBT was reported to demonstrate anti-atherosclerotic activity, 2-HBT showed anticonvulsant and antinociceptive activities. We introduced genes chorismate pyruvate-lyase (ubiC), tyrosine decarboxylase (TyDC), isochorismate synthase (entC), isochorismate pyruvate lyase (pchB), and tryptophan decarboxylase (TDC) for each substrate, 4-hydroxybenzoic acid (4-HBA), tyramine, 2-hydroxybenzoic acid (2-HBA), and tryptamine, respectively, in E. coli. Genes for CoA ligase (hbad) and amide formation (CaSHT and OsHCT) were also introduced to form hydroxybenzoic acid and amine conjugates. In addition, we engineered E. coli to provide increased substrates. These approaches led to the yield of 259.3 mg/l 4-HBT and 227.2 mg/l 2-HBT and could be applied to synthesize diverse bioactive hydroxybenzoyl amine conjugates.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.145-151
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• 2004

본 논문은 5 GHz 대역의 저위상잡음 특성을 갖는 모두 집적화된 LC Tank 전압제어 발진기를 설계 제작하였다. 제작된 전압제어발진기는 PN 다이오드를 사용하여 튜닝되며, 제어 전압 0∼3 V 하에서 튜닝 범위는 5.01∼5.30 GHz의 290 MHz 튜닝 범위를 가진다. 우수한 위상 잡음 특성을 얻기 위해 LC 필터링 기법을 이용하여 전류 전원 트랜지스터의 열잡음의 상향 변환을 막았다. 측정 결과 위상잡음은 -87.8 dBc/Hz＠100 kHz offset, -111.4 dBc/Hz＠1 MHz offset의 우수한 특성을 보였다. 또한 LC 필터로 인해 약 5 dB의 위상잡음 특성이 개선됨을 알 수 있었으며, 이는 HBT 공정을 이용한 최초의 실험적 결과이다. 제작된 전압제어 발진기의 FOM은 -172.1 dBc/Hz이며, 이는 5 GHz 대역의 InGaP HBT VCO 중 최고의 성능이다. 또한 본 논문에서 제안한 발진기는 기존의 InGaP HBT를 이용한 VCO에 비해 더 낮은 DC 전력을 소모하며, 더 높고 평탄한 출력 전력 특성을 보였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.276-283
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• 2003

본 논문은 IMT-2000 단말기용 전력증폭기의 선형성을 증가시키기 위해 기존의 선형화 기법을 사용하는 대신 선형성이 우수한 Infineon 사의 SiGe HBT를 이용하여 IMT-2000 단말기용 2단 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. HBT의 비선형 모델은 Gummel-Poon 모델을 이용하였으며, 등가모델을 이용하여 회로 시뮬레이터인 ADS를 사용하여 DC I-V 특성과 입ㆍ출력측의 S-파라미터 특성을 살펴보았다. 시뮬레이션한 S-파라미터를 이용하여 2단 전력증폭기의 첫째단은 고이득 조건으로 정합하고, 둘째단은 고출력 조건으로 정합하였다. 시뮬레이션 결과를 바탕으로 hybrid 형태로 제작한 2단 전력증폭기는 IMT-2000 상향 주파수 대역인 1920∼1980MHz에서 27.1dBm의 출력전력과 18.9dB의 전력이득, 20dB의 ACLR, 34%의 전력부가효율을 얻었다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.155-159
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• 2003

This paper presents fully integrated 5 GHz band low phase noise LC tank VCO. The implemented VCO is tuned by integrated PN diode and tuning rage is $5.01{\sim}5.30$ GHz under $0{\sim}3 V$ control voltage. For good phase noise performance, LC filtering technique, common in Si CMOS process, is used, and to prevent degradation of phase noise performance by collector shot-noise and to reduce power dissipation the HBT is biased at low collector current density bias point. The measured phase noise is -87.8 dBc/Hz at 100 kHz offset frequency and -111.4 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency which is good performance. Moreover phase noise is improved by roughly 5 dEc by LC filter. It is the first experimental result in InGaP/GaAs HBT process. The figure of merit of the fabricated VCO with LC filter is -172.1 dBc/Hz. It is the best result among 5 GHz InGaP HBT VCOs. Moreover this work shows lower DC power consumption, higher output power and more fixed output power compared with previous 4, 5 GHz band InGaP HBT VCOs.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.68-72
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• 2004

InGaP/GaAs HBT공정을 이용하여 1.75 ㎓의 전압제어 발진기를 설계한다. 전압제어 발진기의 위상 잡음을 개선하기 위하여 저역 통과 필터의 특성을 가지는 새로운 잡음 제거 회로를 제안하고, 극 소형화를 위하여 FR-4 기판의 특수한 적층 구조를 이용한다. 제작된 전압제어 발진기의 주파수 변화 범위는 약 200 MHz이고, 위상 잡음은 120 KHz 옵？에서 -119.3 ㏈c/Hz이다. VCO 코어의 소비 전력은 공급 전원 2.8 V에서 11.2 ㎽이고, 출력 파워는 -2 ㏈m이다. FOM의 계산치는 191.7로써, 지금까지 발표된 FET나 HBT 전압제어 발진기보다 좋은 성능을 보인다. 완성된 전압제어 발진기의 크기는 3.266 mm ${\times}$ 3.186 mm로 극소형이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권10호
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• pp.16-24
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• 2002

본 논문에서는 광학적으로 투명한 ITO를 에미터 전극을 갖는 InP/InGaAs HPT를 제작하였고 제작된 HPT의 전기적 특성을 분석하기 위해 확장된 Ebers-Moll 방정식을 이용하여 DC 모델파라미터들을 추출하였다. 또한 초고속 전자소자로서 사용되어지는 InP/lnGaAs HBT를 제작하여 그 전기적 특성을 HPT와 비교하였다. 제작된 HPT의 에미터접촉 저항(RE)값이 6.4Ω으로 HBT와 거의 동일함은 물론 HPT의 모든 UC 모델 파라미터들이 HBT 와 유사함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.316-321
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• 2005

새로운 전류원 모델과 이 전류원 모델에 대응하는 파라메터의 직접추출 방법을 제안하였다. 전류원 모델파라메터를 위한 정확하고 해석적인 계산방법을 유도하였다. 이러한 해석적 모델링 방법을 기반으로 스케일 가능한 H8T 모델을 만드는 방법에 적용되었다. 단조함수적 스케일링이 가능하도록 하도록 하기 위해, 모델링 과정에서, 몇몇 파라메터들의 증복성(redunduncy)을 제거하는 방법을 개발하였다. 이러한 방법에 기반을 둔 모델을 실제 소자에 적용 했을때, 소자의 온도, 바이어스 및 크기변화를 잘 예측할 수 있었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권5호
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• pp.40-47
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• 1998

This paper report sthe design, fabrication and characterization of an AlGaAs/GaAs HBT (heterojunction bipolar transistor) with an air-bridge isolation structure which is made to improve high frequency characteristics for the application to the mobile communication system in the next genration. We found that the size, shape and structure of HBT have an effect on the high frequency operation. The measured dc and ac characteristics of the four type HBTs were compared and analyzed. An E-type HBT with an air-bridge structure by undercut etching exhibited .beta.=56, $V_{off-set}$ = 0.3 V, B $V_{CEO}$=7.0V with $f_{T}$=40 GHz and $f_{max}$=45GHz at a collector current density of 7.1*10$^{4}$ A/c $m^{2}$.>.

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제14권4호
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• pp.23-30
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• 2003

본 고에서는 마이크로파 대역에서 우수한 전력특성을 보이는 GaAs HBT를 이용한 광대역 고출력 전력증폭기 설계에 대하여 살펴본다. GaAs HBT의 전력 소자로서의 장점과 설계시 고려해야 할 단위 전력 소자의 설계, 열적 안정성 문제, 바이어스 회로설계, 그리고 광대역 설계 기법에 대하여 간단히 소개한다. 그리고, 본 연구에서 2~6 GHz 광대역 고출력 전력증폭기를 캐스코드(cascode) HBT를 이용하여 설계하였다. 측정 결과, 2 W의 평균 출력 전력, 10 dB의 이득, 24~43 %의 전력 부가 효율을 얻을 수 있었으며, 칩 크기는 $1.6{\times}2.4 mm^2$로서 매우 작았다. 이 결과를 기존에 개발된 GaAs HBT 광대역 고출력 전력증폭기와 비교 분석하였으며, 칩 면적당 대역폭과 출력 전력, 효율이 아주 우수함을 알 수 있다.