• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.15-21
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• 2004

광속구(integrating sphere photometer), 분광기(monochromator)등을 이용하여 노랑색(Y), 녹색(G), 백색(W)의 SMD(surface mounted device)형태의 HB LED(high brightness light emitting diode)에 대한 광속(luminous flux, LF), 상관 색온도(correlated color temperature, CCT), CIE 색도좌표(chromaticity coordinate CC)등 광특성을 실험하여 그 결과치를 비교 분석하였고, 백색 LED에 대해서는 연색지수를 고찰하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.20-26
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• 2004

본 논문에서는 조명용 고휘도(HB, high brightness) 백색 LED(light emitting diode)램프의 배열 및 여러 가지 등기구 글로브(globe)의 형태에 따른 광도(luminous intensity)값과 기구효율(luminaire efficiency)을 컴퓨터 시뮬레이션으로 수행하여 비교분석 하였다. 즉, LED의 배열은 가로${\times}$세로(7개${\times}$7개)가 정사각형 형태로 49개를 배열하고, LED 간격은 LED의 발광면 중심부로부터 8.2[mm], 10.0[mm], 15.0[mm]로 각각 3가지로 하였으며, 등기구의 글로브는 LED발광면 중심부에서 30[mm], 50[mm] 떨어진 거리로 구분하였다. 또한 등기구 글로브가 없을 때와 있을때로 구분하여 있을 때에는 글로브 형태를 볼록 원형과 엠보(embossing)형태로 구분하고 엠보는 8.2[mm], 5.0[mm]의 크기에 따른 선택으로 시뮬레이션 27가지로 수행하여 등기구의 글로브 형태에 따른 광도 및 기구효율을 고찰해 봄으로써 앞으로 21세기 디지털조명이라고 일컫는 LED를 사용한 LED 광원(light source) 및 등기구 개발에 많은 도움이 되고자 하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.68-72
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• 2008

AlGaInP high-brightness LEDs(HB-LEDs) have gained importance a variety of application operating in the red, orange, yellow and yellow-green wavelength. The light generated from inside LED chips should be emitted to the air through the surfaces of the chips. However, because of the differences between the semiconductor and air or epoxy's refractive index, some of the light was blocked so that caused lowering external quantum efficiency. In this study, nano-scale roughness on the top-GaP layer of AlGaInP epitaxial wafer was fabricated to improve' the brightness of AlGaInP LEDs. Nano-scale roughness was made by ICP dry etcher. Our AlGaInP LEDs with nano-scale roughness has higher brightness (about 28.5 %) than standard AlGaInP LEDs.