Titanium carbide(TiC) and titanium nitride(TiN) flims were deposited on $Si_3N_4$-TiC composite cutting tools by chemical vapor deposition(CVD) using $TiCl_4-CH_4-H_2$ and $TiCl_4-H_2-N_2$ gas mixtures, respectively. The nonmetal to metal ratio of deposit increases with increasing $m_{C/Ti}$(mole ratio of CH$_4$ to TiCl$_4$ in the input) for TiC coatings and $m_{N/Ti}$(mole ratio of N$_2$ to TiCl$_4$ in the input) for TiN coatings. The nearly stoiahiometric films could be obtained under the deposition condition of $m_{C/Ti}$ between 1.15 and 1.61 for TiC, and that of $m_{N/Ti}$ between 25 and 28 for TiN. Also maximum microhardness of the coatings can be obtained in these ranges. The interfacial region of TiC coatings on $Si_3N_4$-TiC ceramics is wider than that of TiN coatings according to Auger depth profile analysis, which indicates good interfacial bonding for TiC. Experimental results show that TiC coatings have an randomly equiaxed structure and Columnar structure with(220) preferred orientation can be obtained for TiN coatings. And, multilayer coatings have a dense and equiaxed structure.
Let $\mathcal{X}$ be a countably generated Hilbert module over a locally $C^*$-algebra $\mathcal{A}$ in multiplier module M($\mathcal{X}$) of $\mathcal{X}$. We propose the necessary and sufficient condition such that a sequence $\{h_n:n{{\in}}\mathbb{N}\}$ in M($\mathcal{X}$) is a standard frame of multipliers in $\mathcal{X}$. We also show that if T in $b(L_{\mathcal{A}}(\mathcal{X}))$, the space of bounded maps in set of all adjointable maps on $\mathcal{X}$, is surjective and $\{h_n:n{{\in}}\mathbb{N}\}$ is a standard frame of multipliers in $\mathcal{X}$, then $\{T{\circ}h_n:n{\in}\mathbb{N}}$ is a standard frame of multipliers in $\mathcal{X}$, too.
$SiH_4$, $CH_4$, $B_2H_6$ 혼합기체를 이용하여 플라즈마 화학증착법으로 탄화실리콘 (a-SiC:H) 박막을 증착하였다. 증착중에 혼합기체중의$CH_4$농도 ($CH_4/CH_4+SiH_4$)를 변화시켜 얻은 박막의 물성을 SEM, XRD, Raman 분광법, FTIR, XPS, 광흡수도와 광전도도 분석을 통하여 살펴보았다. $SiH_4$기체만 이용하여 증착한 Si:H 박막은 비정질상태를 나타내었으나, $CH_4$가 첨가됨에 따라 실리콘 박막의 Si-$\textrm{H}_{n}$(n은 정수) 결합기가 Si-$\textrm{C}_{n}\textrm{H}_{m}$ (n,m은 정수) 형태의 결합기로 변화되었으며, 박막내 수소함량은 $CH_4$농도가 0~0.8의 범위에서 증가함에 따라 30~45% 범위에서 증가하였다. 반응기체중의 $CH_4$농도의 증가에 따라 박막 내의 탄소 농도가 증가함을 확인하였으며, 이에 따라 막의 전기비저항과 광학적밴드갭 역시 증가하였다.
다공성 실리카 막을 졸겔법에 의해서 Si(${OC}_2H_5)_4-H_2O$ 로부터 제조하고, 막의 특성을 TG-DTA, XRD, IR, BET, SEN, TEM을 사용하여 조사하였다. 다공성 실리카 막 제조를 위한 Si(${OC}_2H_5)_4$ : $H_2O4$ : $H_2O$ : $C_2H_5{OH}$의 최적 몰비는 1 : 4.5 : 4 이었다. 100$^{\circ}C$~1100$^{\circ}C$~에서 열처리된 막의 비표면적은 3.8 $m^2$/g~902.3$m^2$/g 이었으며, 기공크기는 20$\AA$~50$\AA$이었다. 300$^{\circ}C$~~700$^{\circ}C$~범위에서 열처리된 막의 입자크기는 15nm~30nm이며, 열처리 온도가 증가하면 입자의 크기도 증가하였다. 이렇게 제조한 다공성 실리카 막으로 $H_2$/$N_2$ 혼합기체를 분리하는데 응용하였으며, 다공성 실리카 막에 의한 $H_2$/$N_2$혼합기체분리는 Knudsen flow와 surface flow에 의해서 일어나며 주로 surface flow에 의존하였다. 다공성 실리카 막의 $H_2$/$N_2$ 혼합기체에 대한 real separation factor($\alpha$)는 155.15 cmHg($\Delta$P)와 $25^{\circ}C$에서 5.17이었으며, real separation factor($\alpha$), head separation factor ($\beta$), tail separation factor$\bar{B}$)는 압력이 증가하면 증가하였다.
Fermentative $H_2$ production was studied using microbial consortia isolated from heat-treated ($90{\circ}C$, 20 min) sewage sludge. Important parameters investigated were carbon(C) and nitrogen(N)-sources, C/N ratio, phosphate concentration, pH and temperature during anaerobic cultivation in serum bottles. Starch, ribose, sucrose and glucose were good C-sources for the culture growth and $H_2$ production. Yeast extract was better N-source than $(NH_4)_2SO_4$ or peptone when individually added to the synthetic media, however the combination of above three N-sources exhibited the additional effect for cell growth and $H_2$ evolution. Addition of 100 mM phosphate as a buffering agent prevented the rapid pH drop during the cultivation. The optimum initial pH for the cell growth was at 7.0, whereas $H_2$ production was observed at pH 5.5. Optimum temperature for the cell growth and $H_2$ production was $37{\circ}C$. Initial C/N ratio of 1.22 in the media using glucose and yeast extract as the C- and N-sources, respectively, showed the $H_2$ yield 1.0 mol $H_2$/mol glucose.
n-Heptane, n-Octane, n-Decane, 2,3-Dimethyl Butane을 chlorination agent인 N-chlorosuccinimide, tert-Butylhypochloride, Trichloromethanesulfonylchloride, Carbontetrachloride, Trichloromethanesulfenyl chloride, Phosphorous pentachloride Chlorine등으로 benzene 또는 $CS_2$ 용매중에서 염소화시킬때 생기는 Mono-chloro alkane의 이성질화 혼합물을 정량적으로 고찰하였다. 여기에서 파라핀계 탄화수소의 치환비율에 대한 지금까지 알려진 사실과 일치하지 않는 놀라운 이성질화 분포(Isomerization distribution)를 확립하였다. 이러한 결과는 극성효과를 갖는 공격하는 라디칼의 free energy, 그리고 alkane의 개개의 수소 원자가 지니는 여러가지 서로다른 C-H bond 해리에너지의 상호작용을 통하여 얻어졌다.
본 연구에서는 RF 스퍼터를 이용하여 SiC 기판위에 AlN막을 증착하고 급속 열처리 (RTA) 공정의 온도에 따른 AlN/4H-SiC 구조의 전기적, 재료적 특성에 대한 영향을 분석하였다. 400도에서 RTA 공정을 진행한 Ni/AlN/4H-SiC SBD 소자의 온/오프 비율은 RTA 공정 전 그리고 600도에서 RTA 공정을 한 소자에 비해 약 10배정도 높은 값을 가졌다. 또한 오제이 전자현미경을 통한 원자성분 분석을 통해 증착한 AlN 층내의 존재하는 산소의 양이 후열 처리 조건에 따라 변화함을 확인하였고 소자의 온/오프 비율 그리고 온-저항 등 소자의 성능에 영향을 주는 것을 분석하였다. 추가적으로, 제작한 소자의 노출된 음향 주파수에 따른 전기적 특성변화를 분석하였다.
산소, 질소, 그리고 황 주개 원자의 이염기성 세자리 리간드로서 S-methyl-3(-2-hydroxy-x-phenyl)methylenedithiocarbazate($L^1:x=5-H$)와 그 유도체($L^2:x=5-CH_3,\;L^3:x=3CH_3O,\;L_4:x=5,6-C_4H_4\; 그리고\;x^5:ㅌ=5-NO_2$)의 6-배위 몰리브덴(V)-산소 착물, ($R_4N$)[MoO(NCS)_2L](R=CH_3,\;C_3H_5,\;n-C_4H_9)$들을 합성하고 원소분석, 몰 전도도, UV-Vis, IR, $1^H$ NMR 그리고 CV 등을 이용하여 착물의 구조와 분광학적 및 전기화학적 성질 등을 조사하였다.
Postprandial ammonia excretion and oxygen consumption in olive flounder Paralichthys olivaceus fed two different feed types, moist pellet (MP) and expanded pellet (EP) diets, to satiation were determined at $12^{\circ}C$, $15^{\circ}C$, $20^{\circ}C$, and $25^{\circ}C$ for 48 h. The ammonia excretion and oxygen consumption rates increased with increasing water temperature. However, the postprandial times for the maximum rates of ammonia excretion and oxygen consumption were shortened from 12 h to 6 h after feeding with increasing water temperature. The ammonia excretion and oxygen consumption rates of the fish fed EP were significantly higher (P < 0.05) than those fed MP at 12 h post-feeding both for $12^{\circ}C$ and $15^{\circ}C$. The highest (P < 0.05) weight-specific ammonia excretion rates at $12^{\circ}C$ were observed in the fish fed EP and MP at $12.1mg\;NH_3-N\;kg^{-1}h^{-1}$ and $8.7mg\;NH_3-N\;kg^{-1}h^{-1}$, respectively, for 12 h and 9 h after feeding. The highest (P < 0.05) weight-specific oxygen consumption rates at $12^{\circ}C$ were observed in fish fed EP and MP at $116.4mg\;kg^{-1}h^{-1}$ and $101.0mg\;kg^{-1}h^{-1}$, respectively, for 12 h after feeding. The highest ammonia excretion rates at $25^{\circ}C$ in the fish fed EP and MP increased to $16.9mg\;NH_3-N\;kg^{-1}h^{-1}$ and $18.3mg\;NH_3-N\;kg^{-1}h^{-1}$, respectively, for 6 h after feeding. The highest (P < 0.05) weight-specific oxygen consumption rates at $25^{\circ}C$ were observed in fish fed EP and MP at $184.3mg\;O_2kg^{-1}h^{-1}$ and $197.3mg\;O_2kg^{-1}h^{-1}$, respectively. These data are valuable for the design of biofilters and development of effluent treatment technologies for the land-based flounder farms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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