Kim, Si Hyun;Lee, Song Eun;Kim, Yong Kwan;Lee, Seung Hee
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.34
no.3
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pp.562-567
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2017
The organic light-emitting diodes are fabricated with six anthracene derivatives containing simple substituents such as phenyl or naphthyl group. The device structure is as in the following: Indium tin oxide (ITO) (180 nm)/4,4-4,4',4"-tris[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]triphenylamine (2-TNATA) (30 nm)/4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-1-amino] biphenyl (NPB) (20 nm)/Emitting compound (30 nm)/2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris (1-phenyl-1-H-benz-imidazole) TPBi (40 nm)/lithium quinolate (Liq) (2 nm)/Al (100 nm). In the emitting layer the anthracene derivatives are used without any dopant. All the six devices show blue emissions. Among the tested diodes, the one with 9-(2-naphthyl)-10-(p-tolyl) anthracene (2-NTA) exhibited luminous efficiency, power and external quantum efficiencies of 3.26 cd/A, 0.98 lm/A, 2.8 % at $20mA/cm^2$.
Han C. H.;Kim S. I.;Yoo Y. C.;Lee D. L.;Choo W. Y.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2000.10a
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pp.29-32
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2000
The static and metadynamic recrystallization of non-heat treated medium carbon steel(Fe - 0.45wt.$\%C\;-\;0.6wt.\%Si\;-\;1.2wt.\%Mn\;-\;-0.12wt.\%Cr \;-\;0.1wt.\%V \;-\;0.017wt\%$.Ti) were studied by the torsion test in the strain rate range of 0.05 - 5 $sec^{-1}$, and in the temperature range of $900\;-\;1100\;^{\circ}C$. Interrupted deformation was performed with 2 pass deformation in the pass strain range of $0.25 {\varepsilon}_p(peak strain)\;and\;{\varepsilon}_p$, and in the interpass time range or 0.5 - 100 sec. The dependence or pass strain(${\varepsilon}_i$), strain rate( $\dot{\varepsilon}$ ), temperature(T), and interpass time($t_i$) on static recrystallization (SRX) and metadynamic recrystallization (MDRX) were predicted from the modified Avrami's equations respectively. Comparison of the softening kinetics between SRX and MDRX was indicated that the rate of MDRX was more rapid than that of SRX under the same deformation variables.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.303-304
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2008
Al, N-codoped ZnO(ZnO:N,Al) thin films were deposited on n-type Si(100) substrate at $450^{\circ}C$ with various conditions of ambient gas$(N_2:O_2)$ by DC magnetron sputtering method using ZnO:$Al_2O_3$(2wt%) as a target, and then were annealed at 500, 700, $800^{\circ}C$ in $N_2$ gas for one hour. XRD patterns showed that all of the ZnO:N,Al thin films annealed at $80^{\circ}C$ grew with two peaks, which means poor crystallinity of the thin films deposited. Hall effects in Van der Pauw configuration proved that after annealing the films deposited showed low resistivity and high carrier concentration. While the films annealed at $800^{\circ}C$ showed low resistivity of $\sim10^{-2}\Omega$ cm and high carrier concentration of $\sim10^{19}cm^{-3}$.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.02a
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pp.168-169
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2000
We have tried to enhance the density of the near-field optical memory and to improve the recording/readout speed. The current optical memory has the limitation in both density and speed. This barrier due to the far-field nature can be overcome by the use of the near-field$^{(1)}$ . The optical data storage density can be increased by reducing the size of the nanometric aperture where the near-field is obtained. To fabricate the aperture in precise dimension, we applied the orientation-dependent / anisotropic etching property of crystal Si often employed in the field of MEMS$^{(2)}$ . And so we fabricated the 10$\times$10 aperture array. This array will be also the indispensable part for speeding up. One will see the possibility of the multi-tracking pickup in the phase changing type memory through this array$^{(3)}$ . This aperture array will be expected to write the bit-mark whose size is about 100nm. We will show the recent result obtained. (omitted)
Zidani, M.;Bessais, L.;Farh, H.;Hadid, M.D.;Messaoudi, S.;Miroud, D.;Loudjani, M.K.;Helbert, A.L.;Baudin, T.
Steel and Composite Structures
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v.22
no.4
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pp.745-752
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2016
An investigation has been done to study the evolution of the microstructure, mechanical and electrical properties of AlMgSi alloy destined for the transport of electric energy, in function of the deformation caused by the cold drawing process. We identified that drawing of aluminum wire causes development of a fibrous texture of type <111> and <100>. We notice also that the electrical resistivity and mechanical resistance increases with the increasing of the deformation level. Characterization methods used in this work is: The Electron Back Scattered Diffraction EBSD, X-Ray diffraction, Vickers microhardness, Tensile test, Measuring electrical resistivity, the Scanning Electron Microscope (SEM) and Energy Diffraction Spectrum (EDS).
Kim, Hyoung-Sug;You, Jong-Sung;Kweon, Jung-Ok;Noh, Si-Tae;Kwon, Soon-Kil;Lee, Jung-Hwan;Yu, Jae-Chul;Choi, Keun-Bae
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.12
no.5
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pp.660-666
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2009
Thermoplastic polyurethane elastomer(PU-TPE) and energetic thermoplastic polyurethane Elastomer(E-PU-TPE) were prepared from Hexamethylene diisocyanate(HDI), 1,4-BD/AA ester polyol and glycidyl azide polymer(GAP-2400) as an energetic material by the addition polymerization. The PU-TPE and E-PU-TPE were characterized by FT-IR and GPC. Viscometer, DSC and UTM were used to investigate the viscose behavior with a various solvent, thermal properties and mechanical properties of PU-TPE and E-PU-TPE, which are of potential interest for the development of high performance binder of energetic solid propellants. It was found that $M_w$ of PU-TPE and E-PU-TPEs are over 100,000 and decreased with increase of GAP-2400 contents. $T_m$ and ${\Delta}H$ as thermal properties decreased and also tensile strength and elongation at break as mechanical properties decreased with increase of GAP-2400 contents.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.220.1-220.1
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2014
본 연구에서는 PECVD 공법 중에 이온화 에너지가 높은 선형이온빔 소스를 이용하여 고온에서 전도성 카본박막을 코팅하였다. 카본 박막 코팅을 위한 Precursor는 $C_2H_2$ gas를 이용하였으며, 온도에 따른 카본 박막의 전기적 특성 및 두께에 따른 카본 박막 성장 구조를 분석하였다. 카본 박막의 전기적 특성은 Interfacial contact resistance (ICR) 방법으로 측정하였으며, 접촉 저항 측정을 위한 모재는 SUS316L stainless steel을 사용하였고 카본 박막 성장 구조 분석을 위해서는 폴리싱된 Si-wafer를 사용하였다. 선형이온빔 소스를 이용하여 상온에서 증착한 카본 코팅의 접촉저항 값은 50 nm 코팅 두께에서 $660m{\Omega}cm^2@10kgf/cm^2$으로 비정질상의 특성을 나타냈으며, 고온에서는 $14.8m{\Omega}cm^2@10kgf/cm^2$으로 온도가 증가함에 따라 비정질상의 카본 박막이 전도성을 가지는 카본박막으로의 성장을 확인할 수 있었다. 또한 전도성 카본 박막의 성장 구조 분석은 FE-SEM 및 Raman spectrum 분석을 통해 확인하였으며, 그 결과 코팅 두께가 증가할수록 카본 입자들은 수nm에서 약 150 nm의 카본 cluster를 형성하며 성장하였다. 이때 전도성 카본 박막의 두께에 따른 접촉저항의 값은 고온 조건에서 카본 박막의 두께가 약 100 nm일 때, $12.1m{\Omega}cm^2@10kgf/cm^2$의 가장 낮은 값을 가졌다. 위의 결과를 경제성이 아주 우수한 대면적 전도성 나노 카본 박막의 상용화 가능성이 높아질 것으로 기대된다.
Kim, Myung-Suk;Go, Young-Don;Hong, Jang-Hyuk;Jeong, Min-Chang;Myoung, Jae-Min;Yun, Il-Gu
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.452-455
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2003
[ $ZrO_2$ ] dielectric layers were grown on the p-type Si (100) substrate by metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE). Zrconium t-butoxide, $Zr(O{\cdot}t-C_4H_9)_4$ was used as a Zr precursor and Argon gas was used as a carrier gas. The thickness of the layers was measured by scanning electron microscopy (SEM) and the properties of the $ZrO_2$ layers were evaluated by X-ray diffraction, high frequency capacitance-voltage measurement. and HF C-V measurements have shown that $ZrO_2$ layer grown by MOMBE has a high dielectric constant (k=18-19). The growth rate is affected by various process variables such as substrate temperature, bubbler temperature, Ar, and $O_2$ gas flows.
The effects of high pressure processing, pressure level (50, 100, 150, and 200 MPa) and pressurized time (0, 5, 10, 15, 30, 45, and 60 min) on the physico-chemical properties of pork M. longissimus dorsi were evaluated. The pH value was affected by both pressure level and pressurized time, especially at 200 MPa (P<0.05). In color measurement, $L^*$ and $a^*$-values were increased by both pressure level and pressurized time, but $b^*$-value did not differ significantly (P>0.05). Water holding capacity (WHC) was significantly decreased (P<0.05) depending on pressure level and pressurized time, while cooking loss was gradually increased. Warner-Bratzler shear force did not differ significantly (P>0.05) among the treatments. These results indicate that high pressure processing below 200 MPa for 1 hr had no effect on the quality of cooked meat, although some alterations were observed before cooking.
Park, Bo-Ram;Yoon, Hyun-Jung;Hong, Zhao;Ha, Jin-Wook
Proceedings of the KAIS Fall Conference
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2009.05a
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pp.878-881
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2009
본 연구는 건축자재로 널리 사용되는 PVC 바닥상재의 표면을 스크래치로부터 보호하기 위하여 기존에 사용하는 광경화형 우레탄-아크릴 수지에 내마모성을 향상시킨 광경화형 하드 코팅액 개발에 관한 것이다. PVC 바닥상재용으로 사용되는 내마모성이 없는 우레탄-아크릴 수지에 $Al_2O_3$(Al-160SG-3), $Al_2(OH)_3$(SH-8W) 및 $SiO_2$(KS-5000) 등 서로 다른 내마모성을 지닌 물질을 분말 형태로 수지의 양대비 함량(wt%)을 10~30%로 변화하여 첨가한 후 링밀(Ring Mill)을 사용, 배합하여 수지의 내마모성을 향상시킨 하드 코팅액을 제조하였다. 제조한 하드 코팅액은 코팅층의 두께조절이 가능한 코팅(Bar-coating)을 사용하여 PVC 바닥상재에 코팅 한 후 내마모성, 연필경도, 부착력, 코팅두께 등의 코팅층 표면물성을 평가하였다. 연구결과, 수지에 $Al_2O_3$ 분말 30%를 혼합하여 제조한 하드 코팅액이 내마모성 1등급, 연필경도 H, 부착력 100%로 가장 좋은 물성을 보였으며, 전반적으로 입자크기가 작고, 분말 함량이 많을수록 또한 코팅두께가 두꺼워 질수록 경도 및 내마모성이 우수한 것으로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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