Recently, applications of plasma display to the large public display and transparent display gain much attention. With this background, we report characteristics of opposite electrodes discharge cell with long electrode gap in comparison with conventional co-planar surface discharge. The cell size of test panel is $2950{\mu}m{\times}840{\mu}m$, which corresponds to that of the display having diagonal size of 130" with XGA resolution. Electrode gap of co-planar and opposite electrode structure are $240{\mu}m$ and $500{\mu}m$ respectively. These gap dimensions provide similar driving voltage windows. Experimental results show that opposite discharge provides approximately four fold higher luminous efficacy compared with that of the surface discharge. Resulting efficacy is found to be higher than 19 lm/W in green phosphor with 10 KHz continuous pulse operation.
The green emitting phosphors of the Field Emission Display(FED), Al codoped ZnGa$_{2}$O$_{4}$:Mn, were synthesized and sintered at high temperature. From X-ray diffraction measurements, it was confirmed that poly crystalline ZnGa$_{2}$O$_{4}$ and ZnAI$_{2}$O$_{4}$ solid solution coexist in Al codoped ZnGa$_{2}$O$_{4}$:Mn. Photoluminescence spectra of Al codoped ZnGa$_{2}$O$_{4}$:Mn show that the main peak position is shifted from 504 nm to 513 nm with the increase of Al concentration. The brightness was improved with the amount of Al dopant. It showed the maximum value at the doping level of 0.03 mole and then, it degraded rapidly. These results are due to the superposition of emission from . ZnGa$_{2}$O$_{4}$:Mn and ZnAI$_{2}$O$_{4}$:Mn.
Recently, the phosphorescent organic light-emitting devices (OLEDs) have been extensively studied for their high internal quantum efficiency. In this study, we synthesised several phosphorescent metal complexes, and certified their composition using NMR. We also investigated the characteristics of the phosphorescent OLEDs with the green emitting phosphor, $Ir(ppy)_{3}$. The devices with a structure of indium-tin-oxide(ITO)/N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methylphenyI}-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD)/metal complex doped in host materials/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline(BCP)/tris (8-hydroxyquinolinato) Aluminum($Alq_{3}$)/Li:Al/Al was fabricated, and its electrical and optical characteristics were studied. By changing the doping concentration of tris(2-phenylpyridine)iridium ($Ir(ppy)_{3}$), we fabricated several devices and investigated their characteristics.
백색 LED 기술이 발달함에 따라 적색 형광체는 산업 및 학계에서 점차 중요성이 커지고 있으며, 시장에서 수요는 꾸준히 증가했다. 적색 형광체는 고효율 및 고연색의 LED 조명에 사용된다. 그러나 $Eu^{2+}$ 활성제를 사용한 적색 형광체는 4f-5d 전이로 발생하는 녹색 또는 황색 스펙트럼 영역에서의 강한 재흡수로 인해 백색 LED 칩에서 색상 변경 및 발광 강도의 저하를 유발했다. 이러한 단점이 없고 연색성 지수(CRI)를 더 향상할 수 있는 $Mn^{4+}$ 도핑된 형광체가 현재 매우 중요하다. 그러나 $Mn^{4+}$ 도핑된 형광체는 $^2E_g{\rightarrow}^4A_2$ 전이로 인하여 발광 파장이 모체에 따라 결정된다는 단점이 있다. 본 연구는 동일구조의 $SrGe_4O_9$와 $BaGe_4O_9$ 모체를 합성하여 $Sr_{1-x}B_axGe_4O_9:Mn^{4+}{_{0.005}}$ (x = 0, 0.25, 0.5, 0.75 and 1)를 얻었다. 이로 인해 LED 기술의 다양한 색상 조정이 가능해졌다.
형광체로서 ZnS를 사용하고 BST 강유전체 박막을 절연체로 사용한 전계발광소자를 제작하고 그 특성을 조사하였다. 형광체로는 청색 및 녹색발광을 위해 각각 $ZnS:AgF_3$와 ZnS:$TbF_3$를 사용하였으며 적색을 위해 ZnS:Mn과 $ZnS:SmF_3$를 사용했다. 이들의 형광체가 증착 도중에 분해되는 것을 막기 위해 석영관에 그들을 각각 봉입해서 열처리하여 결정화시킨 후에 진공증착원으로 사용하였다. 한편 절연층으로 사용한 BST박막은 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$세라믹스 타겟을 사용하여 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제조하였다. 이때 기판온도, 분위기압 및 작동기체인 $Ar:O_2$의 비가 각각 $400^{\circ}C$, 30 mTorr 및 9:1이였다. 각 형광체의 두께는 150 nm씩 합계 600 nm였고, 절연층은 상부가 400 nm 및 하두가 200 nm이었다. 이와 같이 만든 박막 전계발광소자의 발광 문턱전압은 $75\;V_{rms}$이고, 최고 휘도는 $100\;V_{rms}$에서 $3200\;cd/m^2$이었다. 그리고 절연층의 유전상수는 1 kHz에서 254이다.
The effects of $Eu^{3+}$ doping on the structural, morphological, and optical properties of $MgMoO_4:Dy^{3+},Eu^{3+}$ phosphors prepared by solid-state reaction technique were investigated. XRD patterns exhibited that all the synthesized phosphors showed a monoclinic system with a dominant (220) diffraction peak, irrespective of the content of $Eu^{3+}$ ions. The surface morphology of $MgMoO_4:Dy^{3+},Eu^{3+}$ phosphors was studied using scanning electron microscopy and the grains showed a tendency to agglomerate as the content of $Eu^{3+}$ ions increased. The excitation spectra of the phosphor powders were composed of a strong charge transfer band centered at 294 nm in the range of 230~340 nm and two intense peaks at 354 and 389 nm, respectively, arising from the $^6H_{15/2}{\rightarrow}^6P_{7/2}$ and $^6H_{15/2}{\rightarrow}^4M_{21/2}$ transitions of $Dy^{3+}$ ions. The emission spectra of the $Mg_{0.85}MoO_4$:10 mol% $Dy^{3+}$ phosphors without incorporating $Eu^{3+}$ ions revealed a strong yellow band centered at 573 nm resulting from the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ transition of $Dy^{3+}$. As the content of $Eu^{3+}$ was increased, the intensity of the yellow emission was gradually decreased, while that of red emission band located at 614 nm began to appear, approached a maximum value at 10 mol%, and then decreased at 15 mol% of $Eu^{3+}$. These results indicated that white light emission could be achieved by controlling the contents of the $Dy^{3+}$ and $Eu^{3+}$ ions incorporated into the $MgMoO_4$ host crystal.
To improve the color gamut of a liquid-crystal display (LCD), we propose a bandpass filter that is added to the backlight unit to optimize the backlight spectrum. The bandpass filter can only transmit red, green and blue light in the visible range, while reflecting the unwanted light. We study the optical properties of the bandpass filter using the transfer-matrix method, and the effect of the bandpass filter on the color gamuts of LCDs is also investigated. When a bandpass filter based on a 5-layer configuration comprising low and high refractive indices ((HL)2H) is used in phosphor-converted white-light-emitting diode (pc-WLED), K2SiF6:Mn4+ (KSF-LED), and quantum-dot (QD) backlights, the color gamuts of the LCDs improve from 72% to 95.3% of NTSC, from 92% to 106.7% of NTSC, and from 104.3% to 112.2% of NTSC respectively. When the incident angle of light increases to 30°, the color gamuts of LCDs with pc-WLED and KSF-LED backlights decrease by 2.9% and 1% respectively. For the QD backlight, the color gamut almost does not change. When the (HL)2H structure is coated on the diffusion film, the color gamut can be improved to 92.6% of NTSC (pc-WLED), 105.6% of NTSC (KSF-LED), and 111.9% of NTSC (QD). The diffusion film has no obvious effect on the color gamut. The results have an important potential application in wide-color-gamut LCDs.
PDP(Plasma Display Panel)용 녹색 형광체의 발광특성과 결정성을 향상시키기 위해 Zn$_2$SiO$_4$:Mn에 co-dopant로 Cr과 Ti 를 각각 첨가하여 졸-겔법으로 합성하였다. 이렇게 합성된 Zn$_2$SiO$_4$:Mn, M(M=Cr, Ti) 형광체는 고상반응의 경우와 비교하여 상대적으로 낮은 온도인 110$0^{\circ}C$에서 willemite 구조의 단일상이 형성되었다. 제조된 Zn$_2$SiO$_4$:Mn, M(M=Cr, Ti) 형광체에 대하여 진공자외선(Vacuum Ultraviolet, VUV) 영역의 147 nm 여기광원을 사용하여 발광특성을 조사하였다. Co-dopant의 영향을 알아보기 위해 Mn의 농도는 2 ㏖%, $H_2O$/TEOS의 비율은 36.1로 고정하였고, 이때 Cr과 Ti 모두 0.1 ㏖%에서 가장 좋은 발광특성을 나타냈다. Cr이 co-doping된 경우는 농도가 증가할수록 잔광시간은 짧아지나 발광강도는 지속적으로 감소한 반면, Ti를 co-doping했을 때는 오히려 낮은 농도에서 발광강도의 증가를 보이며 2.0 ㏖%에서 급격히 감소하였다.
화학양론적 조성과 비화학양론적 조성을 갖는 LiBaPO4:Eu2+ 계 형광체를 고상반응으로 제조한 후 환원 분위기에서 열처리한 다음 분말의 결정구조와 광 특성을 X선 회절 분석과 발광 분석을 통하여 조사하였다. XRD 분석 결과, 900℃에서 중간상으로서 Ba3(PO4)2 상이 주 결정상 LiBaPO4와 함께 나타났다. 1,100℃에서 낮은 농도의 유로피움이 도핑된 조성의 결정구조는 삼방정(trigonal) 구조에 속하는 반면, 4 mol% Eu2+ 이상의 조성에서는 단사정(monoclinic) 계를 나타내었다. 4 mol% 이상의 Eu2+이 첨가된 비화학양론적 조성에서는 단일상의 LiBaPO4가 형성되었다. 단일상의 LiBaPO4:Eu2+ 계 형광체는 480nm에서의 청록색 발광스펙트럼을 나타내었다.
$SrGd_{2-x}(MoO_4)_4:Er^{3+}/Yb^3$ phosphors with doping concentrations of $Er^{3+}$+ and $Yb^{3+}$ ($x=Er^{3+}+Yb^{3+}$, $Er^{3+}=0.05$, 0.1, 0.2, and $Yb^{3+}=0.2$, 0.45) were successfully synthesized by the cyclic microwave-modified sol-gel method, and their upconversion mechanism and spectroscopic properties have been investigated in detail. Well-crystallized particles showed a fine and homogeneous morphology with grain sizes of $2-5{\mu}m$. Under excitation at 980 nm, $SrGd_{1.7}(MoO_4)_4:Er_{0.1}Yb_{0.2}$ and $SrGd_{1.5}(MoO_4)_4:Er_{0.05}Yb_{0.45}$ particles exhibited a strong 525-nm emission band, a weak 550-nm emission band in the green region, and a very weak 655-nm emission band in the red region. The Raman spectra of the doped particles indicated the domination of strong peaks at higher frequencies of 1023, 1092, and $1325cm^{-1}$ and at lower frequencies of 223, 2932, 365, 428, 538, and $594cm^{-1}$ induced by the incorporation of the $Er^{3+}$+ and $Yb^{3+}$+ elements into the $Gd^{3+}$ site in the crystal lattice, which resulted in the unit cell shrinkage accompanying a new phase formation of the $[MoO_4]^{2-}$ groups.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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