• Nuclear Engineering and Technology
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• 제55권12호
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• pp.4642-4646
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• 2023

The Tb³⁺ or Eu³⁺-doped Lu₂Gd₁Ga₂Al₃O₁₂ phosphor were fabricated by funace at 1500 ℃ for 12 h using a solid state reaction. The XRD (X-ray diffraction_Panalytical X'Pert Pro) and FE-SEM (field emission scanning electron microscope) are measured to confirm the crystalline structure and surface morphology of the phosphor. The Tb³⁺-doped Lu₂Gd₁Ga₂Al₃O₁₂ phosphor emits the lights in 470~650 nm wavelength range due to transitions from ⁵D₄ to ⁷F_j. Therefore, it shows the green region in the CIE chromaticity diagram under both UV and X-rays excitations. The Eu³⁺-doped Lu₂Gd₁Ga₂Al₃O₁₂ phosphor emits the lights in 550~750 nm wavelength range because of ⁵D_i to ⁷F_j. The emission is confirmed to be in the red region using the CIE chromaticity diagram. The Tb³⁺ or Eu³⁺-doped Lu₂Gd₁Ga₂Al₃O₁₂ phosphor shows the characteristic f-f transition with a long decay time, which is about several milliseconds. They have the high efficiency of light emission for X-ray because of their high effective Z number (Z_eff = 58.5) and density. Therefore, they are very much promising phosphors for X-ray imaging application in medical fields.

• 대한화학회지
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• 제48권4호
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• pp.371-378
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• 2004

기존의 $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ 녹색 발광 형광체는 주로 CRT (Cathode Ray Tube)용이나 FED (Field Emission Display), 그리고 EL (Electroluminescence)용 발광소자로 많이 연구되어졌다. 현재는 장파장 영역의 여기 특성을 이용한 LED (Light Emitting Diode)용 형광체로 주목 되어지고 있다. $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ 형광체의 일반적 합성 방법은 Flux를 이용하여 인체에 유해한 $H_2S$나 $CS_2$ 기체를 사용할 뿐만 아니라 높은 합성온도, 긴 반응시간 및 공정이 복잡한 단점을 지니고 있다. 따라서 본 실험은 황화물계 원료인 SrS, $Ga_2S_3$ 그리고 EuS를 출발 물질로 하여 $H_2S$ 기체를 사용하지 않고 혼합 기체$(5% H_2/95% N_2)$를 사용해 환원 분위기 하에서 $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$을 합성하였다. 그리고 다양한 합성 조건과 LED용으로 사용되기 위해 수세처리와 Sieving 과정을 거친 형광체의 발광특성을 검토하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제44권6호
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• pp.609-613
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• 2006

분무열분해법에 의해 장파장 UV 여기원 하에서 높은 발광세기를 가지는 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체를 제조하였다. 분무열분해공정 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 발광특성, 분말 형태 및 결정성에 대해 조사하였다. 분무열분해 공정에 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 모체를 구성하는 바륨과 스트론튬의 비에 따라 청녹색에서 황색에 이르기까지 다양한 파장대의 색을 구현할 수 있었다. x = 0인 $Ba_2SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 경우 발광 중심파장이 500 nm였으며, x = 2인 $Sr_2SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 경우 발광중심 파장이 554 nm였다. 분무열분해 공정에 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 구형의 형상을 띄지만 중공성의 입자 특성을 가졌다. 반면에 후열처리 과정을 거친 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 큰 입자 크기와 불규칙한 형태를 가졌다. $Ba_{1.488}Sr_{0.5}SiO_4:Eu_{0.012}{^{2+}}$ 형광체가 환원분위기 하에서 후열처리 온도 $1,200^{\circ}C$에서 3시간 동안 후열처리 과정을 거쳤을 때 최적의 발광 세기를 가졌다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권12호
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• pp.3919-3922
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• 2013

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.161-161
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• 2012

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권1호
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• pp.267-270
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• 2013

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권7호
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• pp.2148-2150
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• 2014

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1999년도 춘계학술발표강연 및 눈문개요집
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• pp.50-50
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• 1999

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.123.4-123
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• 1998

• 대한화학회지
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• 제46권2호
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• pp.164-168
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• 2002

$SrGa_2S_4$:Eu는 녹색을 발광하는 형광체로 전계 방출 디스플레이, 음극선 발광 분야에 널리 응용되고 있다. 일반적으로 $SrGa_2S_4$:Eu의 합성은 $SrCO_3$,$Ga_2O_3$, 그리고 $Eu_2O_3$를 $H_2S$ 와 Ar 가스를 흘려주면서 고온에서 소송하는 고상반응법으로 합성하였다. 본 연구에서는 SrS, Eu 착물, 그리고 Ga 착물의 분해 반응을 통해서 $SrGa_2S_4$:Eu 형광체를 합성하였다. 이 방법의 장점은 Ar 가스 뿐 만 아니라 독성의 $H_2S$를 사용하지 않는 것이다. $SrGa_2S_4$:Eu 형광체의 합성 조건과 발광 특성을 검토하였다.