• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.86.1-86.1
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• 2012

나노재료와 나노기술의 연구개발 지원을 위하여 국가나노인프라인 나노종합팹센터에서 개발되고 있는 나노재료/나노현상의 실시간 관찰을 위한 SiN membrane chip 기술 및 나노그래핀 기반구축에 대한 최근 결과와 향후계획을 소개하고자 한다. 나노재료의 합성, 배열, 구조 등의 실시간 관찰을 가능하게 하기 위하여 제작된SiN membrane chip은 투과전자현미경(transmission electron microscope, TEM)에서 투명한 기판으로, 그 위에 나노재료를 합성, 배열하고 원하는 모양의 전극을 형성하여 나노재료 및 나노소자의 온도변화 및 전기적 특성 측정 등이 가능하다. 이러한 기술은 Ag, Sn, Cu 등 nano-cluster의 percolation 소자, SiN 및 Graphene 나노기공 소자, SiGe, BiTe, Si, ZnO 나노선 및 CNT의 내부구조변화, 상변화 등 다양한 나노재료/나노소자의 나노현상 관찰 및 해석에 적용되었다.

• 대한자기공명의과학회:학술대회논문집
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• 대한자기공명의과학회 2002년도 제7차 학술대회 초록집
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• pp.84-84
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• 2002

목적： 야간성 전두협 발작 (Nocturnal frontal lobe epilepsy NFLE)은 임상적으로 특징적인 야간성 운동성 발작으로 잘 알려져 있지만 일반적인 MR 영상에서는 대부분에서는 특이한 소견을 보이지 않아 확산 텐서 영상 (DTI)에서의 이상 소견 발현 유무를 알아보고자 한다. 대상 및 방법： 임상적 소견과, EEG 소견으로 진단된 NFLE 환자 6명을 대상으로 DTI 영상을 촬영하였다. 남자 2명, 여자 4명으로 평균연령은 32세 이었다. DTI영상은 single shot spin echo EPI 펄스 열을 사용하였고 사용한 영상 변수는 b value는 0, 1000 s/$\textrm{mm}^2$, TR 10000 msec, TE 71.8/72.3 msec, matrix 128$\times$128 (256 reconstruction), FOV 23cm, 5mm thickness, 2mm interstice gap, NEX 1. 19 slices, time은 4min 21sec (25방향) 이었다. 대조군으로 정상 성인 10명 (평균연령 31세)에서 동일한 방법으로 DTI 영상을 시행하여 분할 비등방도 (fractional anisotropy) 영상을 얻고 전두엽 백질에서 분할 비등방도 값을 측정하여 NFLE 환자군과 비교하였다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권1호
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• pp.34-39
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• 2014

The programmable switches which control the delivery of electrical signals in programmable logic devices are fabricated using memory technology. Although phase change memory (PCM) technology is one of the most promising candidates for the manufacturing of the programmable switches, the threshold switching material should be added to a PCM cell for realization of the programmable switches based on PCM technology. In this work, we report the impurity-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST) chalcogenide alloy exhibiting threshold switching property. Unlike the GST thin film, the doped GST thin film prepared by the incorporation of In and P into GST is not crystallized even at the postannealing temperature higher than $200^{\circ}C$. This specific crystallization behavior in the doped GST thin film is attributed to the stabilization of the amorphous phase of GST by In and P doping.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권1호
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• pp.37-40
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• 2014

A novel memory is reported, in which $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST) has been used as a floating gate. The threshold voltage was shifted due to the phase transition of the GST layer, and the hysteretic behavior is opposite to that arising from charge trapping. Finite Element Modeling (FEM) was adapted, and a new simulation program was developed using c-interpreter, in order to analyze the small shift of threshold voltage. The results show that GST undergoes a partial phase transformation during the process of RESET or SET operation. A large $V_{TH}$ shift was observed when the thickness of the GST layer was scaled down from 50 nm to 25 nm. The novel 1 transistor PCM (1TPCM) can achieve a faster write time, maintaining a smaller cell size.

• 한국우주과학회:학술대회논문집(한국우주과학회보)
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• 한국우주과학회 2009년도 한국우주과학회보 제18권1호
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• pp.54.2-54.2
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• 2009

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.73-77
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• 2005

고분해능 투과전자현미경을 이용하여 PRAM소자의 상변화물질인 $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}(GST)$의 결정화에 관해 미세구조 분석을 수행하였다. 결정성을 측정하는 일반적인 방법인 XRD법에 비해 고분해능 투과전자현미경을 이용한 미세구조 분석은 XRD에서 분석할 수 없는 결정화 초기 양상을 분석할 수 있을 뿐만 아니라, 소자내부의 국부적인 영역과 같이 특정한 영역에서의 결정구조 및 원자배열에 관한 분석이 가능하였다. 이를 통해 GST박막의 전기적 특성이 결정립 크기에 직접적으로 연관성이 있음을 밝혀내었다. GST의 결정구조 및 원자배열에 관해서는, 제한시야전자회절 기법을 통해 준안정상에서의 GST는 FCC 구조를 가지고 안정상의 GST는 hexagonal 구조를 가짐을 보여주었으며, 고분해능 이미지 관찰을 통해 원자단위로 GST의 결정성을 규명하였다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제18권1호
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• pp.63-70
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• 1993

$^{125}I$가 0.035 MeV 준위로 붕괴할 때 K-각 전자포획붕괴에 의한 K-각 이중 이온화 현상에 대하여, 이중 vacancy가 채워지면서 방출되는 $K_{\alpha}^{II}$ X-선과 $K_{\alpha}^s$X-선을 동시계수하여 연구 분석하였다. 실험에 사용한 source는 $^{125}I$차 $^{125}Te^m$의 혼합시료이다. 한 대의 Ge(Li)검출기, 두 대의 NaI(T1)섬광검출기와 TPHC(Time-to-Pulse Height Converter)를 사용하여 동시스펙트럼을 분석한 다음 측정된 동시계수 $N(K_{\alpha}^{II},\;K_{\alpha}^s)$과 $K_{\alpha}$ X-선의 총 수인 $N(K_{\alpha})$을 얻었다. K-자 전자포획 당 이중 Vacancy가 형성될 때의 이중 이온화 확률 $P_{KK}$값, $2.15{\times}10^{-4}$을 구하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제47권6호
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• pp.715-719
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• 2009

본 연구에서는 DNA 정보를 상변화 물질의 전기저항 변화특성으로 검출할 수 있는 상변화 전극 기판을 개발하였다. 이를 위해 반도체 공정에서 사용하는 Al을 사용하여 전극 기판을 제작하였다. 하지만 주사전자현미경을 이용하여 Al 전극의 단면 상태를 확인해 본 결과 PETEOS(plasma enhanced tetraethyoxysilane) 내에서 보이드(void)가 발생하여 후속공정인 에치백과 세정공정 분위기에 과도하게 노출되어 심하게 손상되어 전극과 PETEOS 사이에 홀(hole)로 변형된다. 이 문제점을 해결하기 위하여 에치백 및 세정 공정을 진행하지 않으면서 $Ge_2Sb_2Te_5$(GST) 박막의 단차피복성(stepcoverage)을 좋게 할 수 있고, 열역학적으로 GST 박막과의 반응성을 고려했을 때 안정적이면서 비저항이 낮은 TiN 재료를 사용하여 상변화 전극 기판을 제작하였다. 주사전자현미경을 통하여 전극의 단면의 상태를 관찰하였으며 TiN 전극과 GST 박막이 정상적으로 연결되어 있는 것을 확인하였다. 또한 저항측정 장비를 사용하여 TiN 상변화 전극 기판 위에 증착된 GST의 비정질과 결정질의 저항을 측정하였고, GST의 비정질과 결정질저항의 차이는 약 1,000배 정도로 신호를 검출하는데 충분함을 확인하였다.

• 전기의세계
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• 제24권4호
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• pp.6-10
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• 1975

반도체와 그의 응용소자는 지난 20여년간 눈부식 발전을 이룩하였다. 이는 주로 단결정의 제작기술 진보에 의한 것으로 본다. 그러나 최근 단결정과는 전연 다른 유리질반도체가 국제회의에서도 그 우수성을 의논하기에 이르렀다. 유리질 반도체가 주목을 끌게 된겻은 1968년 Ovshinsky가 "무질서 구조에 있어서 가역적 스위칭현상"이라는 논문이 발표되고 유리질 반도체를 사용한 Ovonic 스위칭 소자의 출현에 기인된다. 유리질 반도체가 전기스위칭 작용, 기억작용을 나타낸다고 하는 Ovshinsky의 발표는 전자제치로서의 응용에 대해 찬반되는 의견이 있었지만 물성적 연구의 교량적인 역할을했다고 할 수 있다. 이런 반도체에 속하는 재료는 호칭도 여러가지로 유리질반도체, 비정질반도체 무정형반도체등으로 불리어진다. 단결정체가 각 격자간에 장거리질서를 갖는 반면 유리질 반도체는 무질서한 구조로 각 격자간에 단거리 질서를 갖는 것이 단결정과는 본질적으로 다른 점이라 본다. 유리 반도체의 종류는 첫째, 원소성 유리반도체로서 Ge, Si, Se, Te 들과 같이 단일원소로 된 겻과, 둘째 IV, V, VI족 원소로 된 공유결합 합금인 As$_{2}$Se$_{3}$-As$_{2}$Te$_{3}$ 계 Ge Si As Te계등의 칼코게나이드 유리등으로 금지대는 어느 것이나 2eV이하이다. 셋째 이론결합인 SiO $Al_{2}$O$_{3}$ Ta$_{2}$O$_{3}$Si$_{3}$N$_{4}$등의 산화물 및 질화물로 대표되는 분자성 비정질 물질로서 금지대는 2eV보다 큰 세종류로 크게 분류할 수 있다. 분류할 수 있다. 한다. 단 개개의 문제에 관한 구체적인 해석 또는 검토에 관하여는 다음 기회에 미루기로하고, 우선 여기서는 당면문제로서 대처하지 않으면 안될 자동주파수제어문제및 계통의 경제운용문제만에 한정하여, 이것을 우리나라의 현상과 관련시켜 개설하고, 이들의 자동화에 관한 기본적인 문제를 간단히 적어 보겠다. 가능하다. 제작완료된 ASIC은 기능시험을 완료했으며 실제 line-of-sight(LOS) 시스템 구현에 적용중이다. 시대를 살아 갈 회원들이다. '컨텐츠의 시대'가 개막되는 것이며, 신세기통신과 SK텔레콤은 선의의 경쟁 과 협력을 통해 이동인터넷 서비스의 컨텐츠를 개발해 나가게 될 것이다. 3배가 높았다. 효소 활성에 필수적인 물의 양에 따른 DIAION WA30의 라세미화 효율에 관하여 실험한 결과, 물의 양이 증가할수록 그 효율은 감소하였다. DIAION WA30을 라세미화 촉매로 사용하여 아이소옥탄 내에서 라세믹 나프록센 2,2,2-트리플로로에틸 씨오에스터의 효소적 DKR 반응을 수행해 보았다. 그 결과 DIAION WA30을 사용하지 않은 경우에 비해 반응 전환율과 생성물의 광학 순도는 급격히 향상되었다. 전통적 광학분할 반응의 최대 50%라는 전환율의 제한이 본 연구에서 찾은 DIAION WA30을 첨가함으로써 성공적으로 극복되었다. 또한 고체 염기촉매인 DIAION WA30의 사용은 라세미화 촉매의 회수 및 재사용이 가능하게 해준다.해준다.다. TN5 세포주를 0.2 L 규모 (1 L spinner flask)oJl에서 세포간의 응집현상 없이 부유배양에 적응,배양시킨 후 세포성장 시기에 따른 발현을 조사한 결과 1 MOI의 감염조건 하에서는 $0.6\times10^6$cell/mL의 early exponential시기의 세포밀도에서 72시간 배양하였을 대 최대 발현양을

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제29권1호
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• pp.51-55
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• 2012

A few high-mass X-ray binaries-consisting of an OB star plus compact companion-have been observed by Fermi and ground-based Cerenkov telescopes like High Energy Stereoscopic System (HESS) to be sources of very high energy (VHE; up to 30 TeV) ${\gamma}$-rays. This paper focuses on the prominent ${\gamma}$-ray source, LS 5039, which consists of a massive O6.5V star in a 3.9-day-period, mildly elliptical ($e{\approx}0.24$) orbit with its companion, assumed here to be an unmagnetized compact object (e.g., black hole). Using three dimensional smoothed particle hydrodynamics simulations of the Bondi-Hoyle accretion of the O-star wind onto the companion, we find that the orbital phase variation of the accretion follows very closely the simple Bondi-Hoyle-Lyttleton (BHL) rate for the local radius and wind speed. Moreover, a simple model, wherein intrinsic emission of ${\gamma}$-rays is assumed to track this accretion rate, reproduces quite well Fermi observations of the phase variation of ${\gamma}$-rays in the energy range 0.1-10 GeV. However for the VHE (0.1-30 TeV) radiation observed by the HESS Cerenkov telescope, it is important to account also for photon-photon interactions between the ${\gamma}$-rays and the stellar optical/UV radiation, which effectively attenuates much of the strong emission near periastron. When this is included, we find that this simple BHL accretion model also quite naturally fits the HESS light curve, thus making it a strong alternative to the pulsar-wind-shock models commonly invoked to explain such VHE ${\gamma}$-ray emission in massive-star binaries.