• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.112-113
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• 2006

In this paper. we investigated a characteristic of holographic grating data erasure with non-polarized beam at amorphous chalcogenide As-Ge-Se-S thin film. A sample of holographic grating data was formed with DPSS laser for setup. Then, the erasure process was performed with He-Ne laser vertically at sample. As-Ge-Se-S(single layer). Ag/As-Ge-Se-S(double layer) and As-Ge-Se-S/Ag/As-Ge-Se-S(multi-layer) are manufactured to compare their characteristic of erasure.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.110-111
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• 2006

In this paper, we investigated resistance characteristic of chalcogenide material for next generation ReRAM nonvolatile memory device with laser irradiation. A AES is used to test Ag doping ratio into a As-Ge-Se-S thin film. A sample resistance was observed in real time with He-Ne laser(632.8nm). As a result, resistance of thermal treated As-Ge-Se-S thin film was $500{\Omega}$ which is smaller than initial $1.3M{\Omega}$. A resistance of non-treated Ag/As-Ge-Se-S thin film was $200{\Omega}$ which is lower than $35M{\Omega}$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.55-56
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• 2006

We investigated the diffraction grating efficiency by the DPSS laser beam wavelength to improve the diffraction efficiency on AsGeSeS & Ag/ AsGeSeS thin film. Diffraction efficiency was obtained from DPSS(532nm)(P:P)polarized laser beam on AsGeSeS, Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/Ag/AsGeSeS thin films. As a result, for the laser beam intensity, 0.24 mW, single AsGeSeS thin film shows the highest value of 0.161% diffraction efficiency at 300 s and for 2.4 mW, it was recorded with the fastest speed of 50 s, which the diffraction grating forming speed is faster than that of 0.24 mW beam. Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/ Ag/ AsGeSeS multi-layered thin film also show the faster grating forming speed at 2.4 mW and higher value of diffraction efficiency at 0.24 mW.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권5호
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• pp.326-332
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• 2005

Phase transformation effects on mechanical properties of $Ge_2Sb_2Te_5$, which is a promising candidate material for Phase Change Random Access Memory (PRAM), were studied. $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films, which was thermally annealed with different conditions, were analyzed using XRD, AFM, 4-point probe method and reflectance measurement. As the temperature and the dwelling time increased, crystallity and grain size increased, which enhanced elastic modulus and hardness. Furthermore, N2 doping, which was used for better electrical properties, was proved to decrease elastic modulus and hardness of $Ge_2Sb_2Te_5$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1260_1261
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• 2009

A detailed investigation and structure of tested samples are clearly presented. As a reference, $Ge_1Se_1Te_2$/Sb only sample was also investigated. We used compound of Ge-Se-Te material for phase-change cell. Actually, the performance properties have been improved surprisingly then conventional Ge-Sb-Te. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this esperiment in order to solve that problem by doping-Sb.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.356-356
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• 2013

Monolithic 3D-IC는 현대 집적회로에서 interconnect로 인해 발생되는 여러 문제들을 해결하기 위해 새롭게 제시되고 있는 기술적 개념으로 구현 시 하위 소자 및 interconnet들에 영향을 주지 않는 저온공정이 필수적이다. 특히 germanium (Ge)은 낮은 녹는점 및 높은 캐리어 이동도 덕분에 3D-IC 구현 시 상위 소자의 channel 물질에 적합한 것으로 알려져 있다. 최근 이러한 Ge을 결정화하기 위해 solid phase crystallization (SPC), metal induced crystallization (MIC), laser annealing과 같은 결정화 방법들이 보고되고 있다. 현재까지 SPC 방법에 의해 얻어진 poly-Ge의 도핑농도 및 이동도와 같은 전기적 특성에 대한 분석은 수행된 바 있으나 3D-IC 공정에 적용이 가능한 MIC 기술을 통해 얻어진 poly Ge 필름에 대한 전기적 특성분석은 부족한 상황이다. 본 연구는 SPC 뿐만 아니라 MIC 방법을 통해 ${\alpha}$-Ge를 결정화시키고 얻어진 poly-Ge 필름의 전기적 특성을 XRD 및 hall effect measurement를 통해 분석하였다. 특히 일반적으로 Ge 내에서 p-type dopant로 동작을 하는 defect과 n-type dopant인 phosphorus 관계를 고려하여 여러 온도에서 SPC 및 MIC에 의해 얻어진 phosphorus doped poly-Ge 필름들의 전기적 특성을 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.101-102
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• 2009

SGOI MOSFETs with various Ge mole fractions were fabricated and compared to the SOI MOSFET. SGOI MOSFETs have a lager drain current and higher effective mobility than the SOI MOSFET as increased Ge mole fractions. The lattice constant difference causes lattice mismatch between the SiGe layer and the top-Si layer during the top-Si layer growth. However, SGOI MOSFETs have a lager leakage current at subthreshold region. Also, leakage current at subthreshold region increased with Ge mole fractions. This is attributable to the crystalline defects due to the lattice mismatch between the SiGe layer and the top-Si layer.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1428-1429
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• 2006

We investigated the diffraction efficiency, erasing property and rewriting property of diffraction grating with each wavelength of recording beam. A (P:P) polarized light was exposed on AsGeSeS and Ag/AsGeSeS thin film to form a diffraction grating by HeNe(635nm) laser and DPSS(532nm) laser. At the maximum efficiency condition, unpolarized HeNe laser beam was irradiated to erase 1ha generated diffraction grating. The HeNe laser showed more higher diffraction efficiency and the DPSS laser showed more faster diffraction grating time. At erasing and rewriting process, AsGeSeS(61%-85%)thin film showed better property than Ag doped Ag/AsGeSeS(53%-63%) double layer structured thin film.

• 한국철학논집
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• 제38호
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• pp.221-249
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• 2013

이 글의 목표는 양웅(揚雄)과 갈홍(葛洪)의 '현(玄)' 개념을 우주생성에 대한 담론을 중심으로 비교 고찰하는 것이다. '현' 개념의 연원은 선진시기 "노자(老子)"와 "주역(周易)"으로, 선진이후에 철학개념으로 확립되어 다양한 함의를 담게 되었다. 이 글은 다양한 철학적 함의를 지니는 '현' 개념을 양웅과 갈홍의 우주생성론을 중심으로 한정지어, 생성의 근원의 특징, 그로부터 만물로의 전개과정, 만물의 존재의 원리 등을 논의한다. 첫째, 양웅의 생성의 근원으로 서의 '현'은 최초의 원물질 상태에서 생성을 이끄는 원동력이자 생성의 각 단계에 적용하는 원리이고, 갈홍의 '현'은 생성의 근원이자 존재의 원리의 성격을 공유한다. 따라서 두 학자의 '현'은 '기일원론'의 사유방식과는 차별성을 지닌다. 둘째, 양웅과 갈홍의 '현' 개념은 우주생성론과 본체론의 논의를 일정부분 공유하고 있다. 양웅은 우주생성에 관한 논의를 중심으로 초보적으로 본체론적 사유를 펼치고, 갈홍은 우주생성론보다는 본체론적 사유를 전개한다. 셋째, 갈홍의 '현'은 양웅의 '현'을 수용 발전시킨 것이다. 갈홍은 양웅이 제시한 생성의 근원이자 생성의 각 단계에 적용되는 원리로서의 '현'의 의미를 수용하는 동시에, 존재의 원리의 측면을 부각시켰다. 넷째, 양웅과 갈홍의 '현' 개념은 두 학자의 전체 이론체계의 근간을 이룬다. 양웅은 '현' 개념을 우주와 인간 및 사회의 근원으로 삼아 현실사회의 문제를 해결하려 하였고, 갈홍은 '현'의 체득을 통해 신선과 장생불사의 근거로 삼는다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.156-156
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• 2010

A detailed investigation and structure of tested samples are clearly presented. As a reference, $Ge_1Se_1Te_2$/As only sample was also investigated. We used compound of Ge-Se-Te material for phase-change cell. Actually, the performance properties have been improved surprisingly then conventional Ge-Sb-Te. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this esperiment in order to solve that problem by doping-As with Ag layer.