• Nuclear Medicine and Molecular Imaging
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• 제41권1호
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• pp.49-53
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• 2007

목적: CT를 사용한 측정감쇠보정(measured attenuation correction; CT-MAC) PET 영상은 $^{68}Ge$을 사용한 분할감쇠보정(segmented attenuation correction; Ge-SAC) PET 영상보다 섭취값이 높은 것으로 알려져 있다. 이 연구에서는 정상인과 암으로 진단된 또는 암이 의심되는 환자를 대상으로 $^{18}F-FDG$ PET을 시행하고, 감쇠보정방법을 달리하여 각각 4가지 PET 영상을 얻고 이를 서로 정량적으로 비교하였다. 대상 및 방법: 5명의 정상인(남:여=4:1; 평균나이, $29.4{\pm}2.5$세)과 35명의 환자(남17, 여18; 평균나이 $52.7{\pm}15.2$세)를 대상으로 $^{18}F-FDG$ PET을 시행하였다. 먼저, CT 영상(140 KeV, 80 mAs)을 얻은 뒤 방출영상(5 min/bed)과 $^{68}Ge$ 투과영상(3 min/bed)을 차례로 얻었다. Ordered subsets expectation maximization (28 subsets, 2 iterations) 영상재구성법과 CT-MAC, CT-SAC, Ge-MAC, Ge-SAC의 4가지 감쇠보정방법을 사용하여 4가지 PET 영상을 얻었다. 정상인군에서는 대표적인 정상조직의, 환자군에서는 비정상적인 섭취를 보이는 병소의 SUV를 구하고, 이를 서로 비교 하였다. 결과: 정상인 군에서 CT-MAC 사용하여 감쇠보정한 PET 영상의 18개 정상조직의 SUV는 나머지 3가지 종류의 PET 영상에 비하여 모두 유의하게 높았다($3.1%{\sim}4.1%$; p<0.001). 환자군에서는 총 145개 병소의 국소 FDG 섭취증가 병변이 발견되었다. CT-MAC 사용한 PET 영상의 SUV 값은 나머지 3가지 PET 영상에 비하여 모두 유의하게 높았다($2.4%{\sim}5.1%$; p<0.001). Ge-MAC 사용한 PET 영상의 SUV 값은 CT-SAC와 Ge-SAC 사용한 PET 영상에 비하여 유의하게 높았다(p<0.001). 그러나, CT-SAC와 Ge-SAC PET 영상사이의 SUV에는 유의한 차이가 없었다. 폐병변에서는 감쇠보정방법사이에 섭취값이 유의한 차이가 없는 반면, 뼈병변에서는 이러한 차이가 가장 컸다($3.8%{\sim}9.6%$; p<0.01). 결론: $^{18}F-FDG$ PET 영상에서 섭취값은 CT-MAC로 감쇠보정을 했을 때에 가장 높다. CT 감쇠보정 및 MAC 사용, 2가지 모두가 이 차이에 기여했을 것이며, 이 중 MAC 사용이 더 크게 작용한 것으로 보인다. 감쇠보정방법이 다른 PET 영상들사이의 섭취값을 비교할 때는 이러한 차이를 고려해야 할 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.1080-1086
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• 2005

We have studied the Ge redistribution after dry oxidation and the oxide growth rate of $Si_{1-x}Ge_x$ epitaxial layer. Oxidation were performed at 700, 800, 900, and $1,000\;^{\circ}C$. After the oxidation, the results of RBS (Rutherford Back Scattering) & AES(Auger Electron Spectroscopy) showed that Ge was completely rejected out of the oxide and pile up at $Si_{1-x}Ge_x$ interface. It is shown that the presence of Ge at the $Si_{1-x}Ge_x$ interface changes the dry oxidation rate. The dry oxidation rate was equal to that of pure Si regardless of Ge mole fraction at 700 and 800$^{\circ}C$, while it was decreased at both 900 and $1,000^{\circ}C$ as the Ge mole fraction was increased. The dry of idation rates were reduced for heavy Ge concentration, and large oxiidation time. In the parabolic growth region of $Si_{1-x}Ge_x$ oxidation, the parabolic rate constant are decreased due to the presence of Ge-rich layer. After the longer oxidation at the $1,000^{\circ}C$, AES showed that Ge peak distribution at the $Si_{1-x}Ge_x$ interface reduced by interdiffusion of silicon and germanium.

• 한국재료학회지
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• 제18권6호
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• pp.302-306
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• 2008

Polycrystalline germanium (Ge) thin films were grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) using tetra-allyl germanium [$Ge(allyl)_4$], and germane ($GeH_4$) as precursors. Ge thin films were grown on a $TiN(50nm)/SiO_2/Si$ substrate by varying the growth conditions of the reactive gas ($H_2$), temperature ($300-700^{\circ}C$) and pressure (1-760Torr). $H_2$ gas helps to remove carbon from Ge film for a $Ge(allyl)_4$ precursor but not for a $GeH_4$ precursor. $Ge(allyl)_4$ exhibits island growth (VW mode) characteristics under conditions of 760Torr at $400-700^{\circ}C$, whereas $GeH_4$ shows a layer growth pattern (FM mode) under conditions of 5Torr at $400-700^{\circ}C$. The activation energies of the two precursors under optimized deposition conditions were 13.4 KJ/mol and 31.0 KJ/mol, respectively.

• 대한방사선방어학회:학술대회논문집
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• 대한방사선방어학회 2009년도 추계 학술발표
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• pp.44-45
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• 2009

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권10호
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• pp.1543-1548
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• 2005

Two isostructural new alkaline earth germanium nitrides, $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$, were obtained as single crystals from constituent elements in molten Na. They both crystallize in space group $P_{mmn}$ (No. 59) with a = 4.0007(8), b = 17.954(3), c = 9.089(2) $\AA$, Z = 2, and a = 4.1620(2), b = 18.841(1), c = 9.6116(5) $\AA$, Z = 2, for $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$, respectively. Their crystal structure contains features for both Zintl and nitride phases: zigzag anionic chain of $_{\infty}Ge^{2-}$, and dumbbell-shaped bent anion of ${GeN_2}^{4-}$. Counter cations of Sr or Ba wrap these anionic units in a channel-like arrangement. Unlike in other germanium nitrides, bond lengths of both Ge-N arms of the ${GeN_2}^{4-}$, are same in $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.635-641
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• 2004

본 논문에서는 802.113 무선 근거리 통신망(wireless LAM)용 5.25GHz 저잡음 증폭기(LNA)에 대해 고가 장비를 사용하지 않고도 전압이득, 잡음지수 및 입력 임피던스를 측정할 수 있는 새로운 형태의 고주파 81ST(Built-In Self-Test, 자체내부검사)회로 설계 및 검사 기술을 제안한다. 본 연구에서 제작된 BIST 회로는 기존의 고가 검사 장비 대신 고주파 회로의 결함검사나 성능검사에 적용될 수 있다. 이러한 BIST 회로는 1V의 공급전압에서 동작하며, 0.18$\mu\textrm{m}$ SiGe 공정으로 제작되어 있다. 이러한 접근방법은 입력 임피던스 정합과 출력 전압 측정을 이용한다. 본 방법에서는 DUT(Device Under Test: 검사대상이 되는 소자)와 BIST 회로가 동일 칩 상에 설계되어 있기 때문에 측정할 때 단지 디지털 전압계와 고주파 전압 발생기만이 필요하며, 측정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있다. BIST 회로가 차지하는 면적은 LNA가 차지하는 전체면적의 약 18%에 불과하다.

• 한국광학회지
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• 제18권3호
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• pp.221-225
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• 2007

근적외선에서 발광하는 새로운 증폭 매질인 Bi 첨가 알루미노실리케이트 유리의 용융 온도를 낮추면서도 증폭 특성이 향상될 수 있도록 금속 산화물을 첨가한 샘플을 제작하여 분광학적 특성을 분석하였다. $Li_{2}O$의 조성비가 증가하면 형광스펙트럼의 반폭치는 증가하지만 형광 강도가 저하되고, $GeO_{2}$의 영향으로는 반폭치와 형광 강도가 동시에 증가하였다. $GeO_{2}$를 첨가한 시료에서 광 증폭 특성을 측정한 결과, 이전의 벌크 샘플에서 얻었던 것보다 우수한 증폭 특성을 가지고 있음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.285-296
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• 2005

Reduced pressure chemical vapor deposition technology has been used to study SiGe heterostructure epitaxy and device issues, including SiGe relaxed buffers, proper control of Ge component and crystalline defects, two dimensional delta doping, and their influence on electrical properties of devices. From experiments, 2D profiles of B and P presented FWHM of 5 nm and 20 nm, respectively, and doses in 5×10/sup 11/ ∼ 3×10/sup 14/ ㎝/sup -2/ range. The results could be employed to fabricate SiGe/Si heterostructure field effect transistors with both Schottky contact and MOS structure for gate electrodes. I-V characteristics of 2D P-doped HFETs revealed normal behavior except the detrimental effect of crystalline defects created at SiGe/Si interfaces due to stress relaxation. On the contrary, sharp B-doping technology resulted in significant improvement in DC performance by 20-30 ％ in transconductance and short channel effect of SiGe HMOS. High peak concentration and mobility in 2D-doped SiGe heterostructures accompanied by remarkable improvements of electrical property illustrate feasible use for nano-sale FETs and integrated circuits for radio frequency wireless communication in particular.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.49-52
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• 2002

A new method is developed to extract model parameters of SiGe HBT equivalent circuit including the base impedance and base-collector junction capacitance. Using this method, all resistances and capacitances of SiGe HBT are independently determined from measured S-parameters using two-port parameter formula. This method is proposed to reduce possible errors generated from global optimization process, and its accuracy has been verified by finding good agreements between measured and modeled current / power gain up to 18 GHz.

• 대한디지털의료영상학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.9-18
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• 2003

디지털 영상 검출기와 디스플레이 기술의 발달과 의료영상전달시스템(PACS)의 출현은 전통적 필름방식에 비하여 디지털 방식으로 방사선과 영상을 획득하고 전송, 저장하는 매우 효과적인 수단을 제공하고 있다. 2002년 8월, 연세의료원 세브란스병원은 진단 영상 판독 목적으로 18 대의 CRT(Braco View, Belgium)와 32대의 평판 LCD(Totoku Electric Co., Ltd., Japan) 디스플레이 장치를 GE full-PACS(GE 메디칼시스템코리아 : GEMSK)와 연계하여 설치 완료하였다. 본 연구에서, 기하학적 왜곡, 반사, 휘도 반응, 휘도 균일도, 분해능, 노이즈,베일링 글레어, 칼라 균일도 항목들을 AAPM TG18 보고서 9.0에 따라서 시각적 그리고 부분적으로는 정량적인 방법으로 인수검사를 실시하여 보고한다. 사용된 장비는 색도계로도 사용되는 간편한 휘도계, TG18 테스트 패던, AAPM Tg18 AT plug-in software(Barco View Ltd., Kortrijk, Belgium)이었다. 칼라 균일도를 제외한 모든 테스트 결과는 AAPM TG18에서 권고하는 기준에 일치하였으며 진단 영상 판독에 사용하기에 전적으로 수락할 수 있는 성능이었다. 결론으로, 사용된 인수검사는 단지 인수 검사 표준을 제공하는 것 뿐만 아니라 품질검사(QC)의 지침, 판독 환경의 최적화 그리고 교체 시기나 업그레이드 시기를 결정하여주는 중요한 역할을 할 수 있을 것이다.