• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권4호
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• pp.204-207
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• 2016

Experimental study of UV-irradiated O₂/H₂ gas phase cleaning for PMMA (Polymethylmethacrylate) removal is carried out in a load-locked reactor equipped with a UV lamp and PBN heater. UV enhanced O₂/H₂ gas phase cleaning removes polymethylmethacrylate (PMMA) better at lower process pressure with higher content of H₂. O₂ gas compete for UV (184.9 nm) absorption with PMMA producing O₃, O(¹D) and lower dissociation of PMMA. In our experimental conditions, etching reaction of PMMA at the substrate temperature between 75℃ and 125℃ had activation energy of about 5.86 kcal/mol indicating etching was controlled by surface reaction. Above the 180℃, PMMA removal was governed by a supply of reaction gas rather than by substrate temperature.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권11호
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• pp.985-993
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• 2006

An experiment to find out the removal mechanism of PEG(polyethyleneglycol) by using UV-enhanced $O_2$ GPC (gas phase cleaning) at low substrate temperature below $200^{\circ}C$ was executed under various process conditions, such as substrate temperature, UV exposure, and $O_2$ gas. The possibility of using $UV/O_2$ GPC as a low-temperature in-situ cleaning tool for organic removal was confirmed by the removal of a PEG film with a thickness of about 200 nm within 150 sec at a substrate temperature of $200^{\circ}C$. Synergistic effects by combining photo-dissociation and photo oxidation can only remove the entire PEG film without residues within experimental splits. In $UV/O_2$ GPC with substrate temperatures higher than the glass transition temperature, the substantial increase in the PEG removal rate can be explained by surface-wave formation. The photo-dissociation of PEG film by UV exposure results in the formation of end aldehyde by dissociation of back-bone chain and direct decomposition of light molecules. The role of oxygen is forming peroxide radicals and/or terminating the dis-proportionation reaction by forming peroxide.

• 한국재료학회지
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• 제24권8호
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• pp.429-433
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• 2014

As the fabrication technology used in FPDs(flat-panel displays) advances, the size of these panels is increasing and the pattern size is decreasing to the um range. Accordingly, a cleaning process during the FPD fabrication process is becoming more important to prevent yield reductions. The purpose of this study is to develop a FPD cleaning system and a cleaning process using a two-phase flow. The FPD cleaning system consists of two parts, one being a cleaning part which includes a two-phase flow nozzle, and the other being a drying part which includes an air-knife and a halogen lamp. To evaluate the particle removal efficiency by means of two-phase flow cleaning, silica particles $1.5{\mu}m$ in size were contaminated onto a six-inch silicon wafer and a four-inch glass wafer. We conducted cleaning processes under various conditions, i.e., DI water and nitrogen gas at different pressures, using a two-phase-flow nozzle with a gap distance between the nozzle and the substrate. The drying efficiency was also tested using the air-knife with a change in the gap distance between the air-knife and the substrate to remove the DI water which remained on the substrate after the two-phase-flow cleaning process. We obtained high efficiency in terms of particle removal as well as good drying efficiency through the optimized conditions of the two-phase-flow cleaning and air-knife processes.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권5호
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• pp.504-509
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• 1999

In-situ cleaning and subsequent silicon epitaxial film growth were performed in a load-locked reactor equipped with Hg-grid UV lamp and PBN heater to obtain the smooth and contaminant-free underlying surface and develop low-temperature epitaxial film growth process. The removals of organic and native oxide were investigated using UV-excited $O_2$ and $NF_{3}/H_{2}$, and the effect of the surface condition was examined on the quality of silicon epitaxial film grown at temperature as low as $750^{\circ}C$. UV-excited gas phase cleaning was found to be effective in removing the organic and native oxide successfully providing a smooth surface with RMS roughness of 0.5$\AA$ at optimal condition. Crystalline quality of epitaxial film was determined by smoothness of cleaned surface and the presence of native oxide and impurity. Crystalline defects such as dislocation loops or voids due to the surface roughness were observed by XTEM.

• 한국항해항만학회지
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• 제40권1호
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• pp.1-6
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• 2016

본 연구에서는 선박에서 발생하는 대기오염물질을 처리하기 위해 사용되는 습식 스크러버를 이용한 배기가스 세정시스템(EGCS: Exhaust Gas Cleaning System)에서 발생되는 폐수를 재이용 할 수 있는 순환시스템을 개발하기 위해 진행되었다. 선박 배기가스 DePM, DeSOx 순환처리장치 (Recycle system)의 세정수의 입자성물질과 분산유를 효과적으로 제거할 수 있는 수 처리 시스템을 개발한 결과 원심분리형 Purifier만으로는 미세한 분산유의 처리가 어렵다는 결과가 도출되어 원심분리형 Purifier 후처리로 유수분리 경사 분리판을 이용한 유수분리기의 일종인 Coalescer를 본 시스템에 적용하였다. Coalescer는 2차 분산 상태의 에멀젼화 된 미세 기름입자를 합착시켜 분리하는 기술이다. 선박 배기가스 DePM, DeSOx 순환처리장치 (Recycle system)에서 배출되는 세정수를 Purifier와 Coalescer를 이용하여 처리한 결과 입자성물질은 55% 분산유는 유입수 대비 99%이상 처리되는 것을 확인하였다. 따라서 선박 대기오염 저감을 위한 습식세정탑 시스템에 본 세정수 처리시스템을 도입하면 세정수로서 재사용이 가능하다고 판단된다.

• 청정기술
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• 제5권1호
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• pp.62-77
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• 1999

전자 및 컴퓨터 산업의 발전으로 반도체 산업은 비약적으로 발전하고 있다. 그러나 반도체 제조 공정에서 필수적으로 사용되는 각종 환경 오염 물질에 대한 규제가 세계적으로 강화되고 있어 반도체 업계의 적극적인 환경 대응책이 없이는 반도체 수출에 대한 선진국의 제재를 피하기 어렵다. 따라서 본 연구에서는 청정 기술 측면에서, 반도체 산업의 환경영향 개선을 위한 세정 공정의 기술적 대체 방안에 대하여 조사하였다. 세정 공정의 대안으로서 기상 세정 공정, UV 사용 공정, 플라즈마 사용 공정을 조사하였으며, 각 공정의 장단점을 비교하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2001년도 춘계학술대회 발표논문집
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• pp.79-81
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• 2001

저압 기상 영역에서 Anhydrous HF 가스와 Methanol vapor를 사용하는 산화막 식각공정을 수행하기 위하여 (1) 반응기 부피의 최소화, (B) 공정압력의 최소화, (3) 고순도 알루미나 Reactor 적용, (4) Cluster화의 개념을 적용한 VPC 장치를 제작하였다. Wafer의 온도, HF의 분압 및 Working Pressure 등의 공정변수에 따른 Oxide Wafer의 식각특성의 변화를 확인하였다. 또한 Etch Uniformity를 향상시키기 위하여 Shower Head 구조를 변경시켜서 실험하였으며, CFD Simulation을 이용하여 Reactor내에서의 HF gas 및 Methanol vapor의 분율을 예측하였다.

• 한국연초학회지
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• 제36권1호
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• pp.12-19
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• 2014

A matrix solid-phase dispersion (MSPD) method was developed for extracting and cleaning-up the selected agrochemicals in tobacco using gas chromatography-mass spectrometry with selected ion monitoring (GC/MS-SIM). Different parameters of the method were investigated and optimized, such as the type of solid-phase (alumina, $C_{18}$ and Florisil) and eluent (acetone, acetonitrile, ethylacetate and n-hexane). The best results were obtained using 0.5 g of tobacco sample, 1.0 g of $C_{18}$ as dispersant sorbent, 1.0 g of Florisil as clean-up sorbent and acetonitile saturated with n-hexane as eluting solvent. The method was validated using tobacco samples fortified with agrochemicals at their different concentration levels. This method gave good linearity for the selected agrochemicals of ranging from $0.01{\mu}g/mL$ to $0.1{\mu}g/mL$. Recoveries of the selected agrochemicals in tobacco were more than 80 % and reproducibilities were found to be better than 10 % RSD. Those results suggested that the analytical procedure including MSPD method in combining with GC/MS could be applicable to the rapid determination often the selected agrochemicals in tobacco.

• 한국진공학회지
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• 제5권3호
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• pp.239-244
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• 1996

비정질 Si 막의 증착을 위해 승온시 $Si_2H_6$ 가스를 주입함으로써 Si 표면의 $SiO_2$ 의 형성을 방지할 수 있었다. 또한 이렇나 공정을 이용하여 증착된 비정질 Si 의 후열처리에 의한 고상 에피텍시 성장이 가능하였다. 승온시 $Si_2H_6$ 가스 주입에 의한 표면 $SiO_2$의 형성 방지는 증착 승온시 SiHx 분위기를 만들어 줌으로써 , Si 기판표면의 passivation H의 탈착과 동시에 일어나는 반응기 잔류 가스중에 의한 O의 흡착대신 SiHx를 흡착시킴으로써 가능한 것으로 판단된다. 이러한 방법을 이용하여 기존에 보고된 고온 cleaning 공정없이도 고품위의 결정성을 갖는 에피텍시 막을 $600^{\circ}C$미만의 저온 공정으로 제조할 수 있었다.

• 청정기술
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• 제18권4호
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• pp.419-425
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• 2012

본 연구는 황 원소와 질소 원소가 도핑된 이산화티타늄의 특성을 조사하고 8-와트(W) 일반 램프와 가시광선 영역의 발광 다이오드 조사 조건에서 낮은 농도수준의 가스상 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA)의 광촉매적 분해능에 대하여 조사하였다. 또한, 이소프로필 알코올의 광촉매 분해시 발생되는 아세톤의 생성에 대해서도 조사하였다. 황 원소와 질소 원소가 도핑된 이산화티타늄의 표면 조사결과, 두 촉매들은 가시광선 조사(visible light-emitting-diodes, LEDs)에 의해 효율적으로 활성화될 수 있는 것으로 나타났다. 두 촉매 모두에 대하여, 공기 유량이 감소함에 따라 이소프로필 알코올의 제거 효율이 증가하는 것으로 나타났다. 황 도핑 촉매의 경우, 유량이 0.1 L $min^{-1}$일 때 이소프로필 알코올 제거효율이 거의 100%로 나타난 반면에 유량이 2.0 L $min^{-1}$일 때 이소프로필 알코올 제거효율은 39%로 나타났다. 질소 도핑 촉매의 경우에는, 유량이 0.1 L $min^{-1}$일 때 이소프로필 알코올 제거효율이 거의 100%로 나타난 반면에 유량이 2.0 L $min^{-1}$일 때 이소프로필 알코올 제거효율은 90% 이상으로 나타났다. 이소프로필 알코올 제거 효율과는 달리, 유량 감소에 따라 아세톤 생성율은 감소하는 것으로 나타났다. 결과적으로, 아세톤 생성을 최소화하고 이소프로필 알코올 제거 효율을 높이기 위해서는 질소 도핑 촉매를 낮은 유량 조건에서 작동시키는 것이 나은 것으로 나타났다. 또한, 이소프로필 알코올 제거를 위해 가시광선 조사 발광 다이오드보다 8-와트 일반램프가 효율적인 것으로 나타났다.