Reactive Ion Etching of InP, InGaAs and InAIAs by SiCl$_4$ and Cl$_2$ Gases: Effects of Gas Flow Rate, rf Power, Process Pressure and Ar Addition
(SiCl$_4$ 와 Cl$_2$ 가스에 의한 InP, InGaAs 및 InAIAs의 반응성 이온 식각: 가스유량, rf 전력, 공정압력, Ar 첨가의 영향)
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- Proceedings of the IEEK Conference
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- 2001.06b
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- pp.25-28
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- 2001