Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.46
no.8
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pp.6-11
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2009
The electro-optical characteristics of the Liquid Crystal on Silicon (hereinafter "LCOS") micro-display on vertically alignment (VA) mode were studied with 3-dimensional LC code. 5 different cell gaps, such as 1.4 ${\mu}m$, 1.8 ${\mu}m$, 2.1 ${\mu}m$, 2.4 ${\mu}m$ and 2.8 ${\mu}m$, were selected. The reflectance-voltage (R-V) characteristics, distribution of reflected light, reflectance, optical fill factor and contrast ratio were calculated and investigated depending on various cell gaps. Due to the surface anchoring effect, higher cell gap showed higher reflectance. However, considering the optical fill factor and contrast ratio, middle-height 2.1 ${\mu}m$ showed the best electro-optical characteristic. 0.7 inch Full-HD LCOS panels having same geometry and material property were fabricated. The reflected light intensity and contrast ratio were measured and the measured results were well-matched to the calculated results.
To implement full automation in pipe welding, it si most important to develop special sensors and their related systems which act like human operator when detecting irregular groove conditions. In this study, an automatic pipe Gas Metal Arc Welding (GMAW) system was proposed to full control pipe welding procedure with intelligent sensor systems. A five-axes manipulator was proposed for welding torch to automatically access to exact welding position when pipe size and welding angle were given. Pool status and torch position were measured by using a weld-pool image monitoring and processing technique in root-pass welding for weld seam tracking and weld pool control. To overcome the intensive arc light, pool image was captured at the instance of short circuit of welding power loop. Captured image was processed to determine weld pool shape. For weld seam tracking, the relative distance of a torch position from the pool center was calculated in the extracted pool shape to move torch just onto the groove center. To control penetration of root pas, gap was calculated in the extracted pool image, and then weld conditions were controlled for obtaining appropriate penetration. welding speed was determined with a fuzzy logic, and welding current and voltage were determined from a data base to correspond to the gap. For automatic fill-pass welding, the function of human operator of real time weld seam control can be substituted by a sensor system. In this study, an arc sensor system was proposed based on a fuzzy control logic. Using the proposed automatic system, root-pass welding of pipe which had gap variation was assured to be appropriately controlled in welding conditions and in torch position by showing sound welding result and good seam tracking capability. Fill-pass welding by the proposed system also showed very successful result by tracking along the offset welding line without any control of human operator.
Seo, Hyun-Woong;Kim, Mi-Jeong;Choi, Jin-Young;Hong, Ji-Tae;Park, Sung-Jin;Kim, Hee-Je
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2006.06a
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pp.199-201
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2006
A lot of researches and experiments have been performed to make more efficient dye-sensitized solar cell. Among them, insertion of a grid electrode in DSC is one method to increase overall performance as being shortened distance of electrons' movement by diffusion. In this paper, we measured overall characteristics which is included voltage-current characteristic curve, efficiency, fill factor by comparison between DSC without and with grid electrode. As a result, we got maximum 1.8 times increase of efficiency and approximately 1.7 times rise of fill factor. And we experimented 8, 10, 12, 14mm of grid gap and compared their results to optimize grid gap which is able to incite the most effective movement of electrons. Consequently, we got the result that electrons' movement is the most effect ive when grid gap is approximately 12mm.
This paper presents a comprehensive computer simulation of hydrogenated amorphous p-i-n silicon solar cells. The physical mechanism governing solar cell operation has been modeled and solved numerically by Runge-Kutta-Gill method. Effects of gap state density, dopant impurity, diffusion length and interface recombination velocity on solar cell performance are investigated. Numerical results show that the electric field in i-region is not uniform but depends strongly on voltage and position. A rather poor fill factor may be due to the electric field variation and short diffusion length. It is found out that the life time should be improved in order to increase a fill factor and a conversion efficiency.
Deopsition of thermal quality SiO2 using a high density plasma ECR CVD process has been demonstrated to give void and seam free gap fill of high aspect ratio metallization structures with a simple oxygen-silane chemistry. This is achieved by continuous sputter etching of the film during the deposition process. A two-step process is utilized to deposit a composite layer for higher manufacturing efficiency. The first step, which has a deposition rate of approximately 0.5 $\mu$m/min., is used to provide complete gap fill between the metal lines. The second step, which has a deposition rate of up to 1.5 $\mu$m/min., is used to deposit a total thickness of 2.0$\mu$m for the intermetal dielectric film. The topography of this composite film is very compatible with subsequent chemicl mechanical polishing(CMP) planarization processing.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.3
no.2
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pp.69-75
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2003
Cell transistor and data retention time characteristics were studied in 90 nm design rule 512M-bit DRAM, for the first time. And, the characteristics of cell transistor are investigated for different STI gap-fill materials. HDP oxide with high compressive stress increases the threshold voltage of cell transistor, whereas the P-SOG oxide with small stress decreases the threshold voltage of cell transistor. Stress between silicon and gap-fill oxide material is found to be the major cause of the shift of the cell transistor threshold voltage. If high stress material is used for STI gap fill, channel-doping concentration can be reduced, so that cell junction leakage current is decreased and data retention time is increased.
Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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2003.10a
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pp.67-82
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2003
. High potentiality of Digital broadcasting Industry . Low performance of digitalization policy ㆍSollen-Sein Gap makes a bad mood to the digital broadcasting industry . Fill up the gap with aggressive digital policy No stimuli, no move .But need understanding of throughput input isn't all. Digital is common language therefore all information market will be converged as soon as you can imagine
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.10
no.3
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pp.5-15
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2007
A welding structures is generally composed of dissimilar steel materials in order to reduce weight cost, and has a gap to fill the welding agent. Also, heat flow analysis should be fulfilled for structure existing of gap to figure out residual stress which is generated after welding. Since mechanical properties of welding structure composed of dissimilar steel is more fragile than mechanical properties of welding structure consisted of same material, heat flow analysis verifying this should be fulfilled as well. Therefore, on this research, heat flow analysis about dissimilar steel weldment consisted of gap existing AISI304 and AISI630 is practiced so that it could be a basic data of research about mechanical properties of gap existing dissimilar steel welding part which is going to be studied later on. During heat flow analysis, heat input model which based on Gaussian profile and using volume heat flux was newly consisted and applied. In addition, for verifying of analysis on this research, gap existing dissimilar steel weldment which had gap of 0.25mm and was welded using Nd-YAG. The welding profile and temperature distribution for weldment during welding was compared to the result which was gotten through heat flow analysis. Both of those results corresponded each other.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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