• 한국전자파학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.625-629
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• 2003

GaAs PIN 다이오드를 이용하여 저손실 고출력 MMIC 리미터를 설계하고 제작하였다. 고전력 수용 능력을 증가시키기 위하여 새로운 GaAs PIN 다이오드 에피구조를 제안하였다. 2종류의 리미터 회로를 설계하고 그리미팅 전력을 측정하였다. 측정결과에서 리미팅 전력은 설계회로 토폴로지에 따라 달라졌다. 제작된 2단 리미터의 리미팅 전력은 14 ㎓에서 각각 17 ㏈m과 23 ㏈m으로 측정되었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제9권3호
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• pp.159-163
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• 2009

This paper presents the design and implementation of Q-band MMIC phase shifters using InGaAs PIN diodes. The topology using a thin-film microstrip line(TFMS) has been proposed to achieve the desired phase-shift as well as good loss characteristics. Five single-bit MMIC phase shifters have been implemented by using a developed BCB(benzocyclobutene)-based multi-layer fabrication technology. The developed phase shifters have less than 3.4 dB of insertion loss and better than 11 dB of input and output return loss in the frequency range of 43 to 47 GHz. To the authors' knowledge, this is the first demonstration of high-performance InGaAs PIN diode-based MMIC phase shifters operating at Q-band frequencies.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.451-458
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• 2002

6-18 GHz 주파수대역에서 사용되는 흡수형의 SP3T 및 SP8T 스위치 모듈을 설계 및 제작하였다. 스위치 모듈에 사용된 MMIC 칩의 에피구조는 저 손실과 고 전력용으로 설계되었다. 최대입력전력은 SP3T 스위치 모듈이 2 W이고 SP8T 스위치 모듈이 1 W이다. 200 nsec의 고속 스위칭을 위한 구동회로를 모듈에 내장하였다. 모듈의 최대삽입손실은 SP3T 및 SP8T에 대해 각각 2.8 dB, 4.2 dB로 측정되었다. 입ㆍ출력포트간 분리도는 모두 55 dB 이상을 얻을 수 있었다. 두 스위치 모듈은 전자전 시스템에 적용하기 위한 관련 환경시험을 모두 통과하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.782-787
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• 2000

광대역 고출력 SP3T MMIC GaAs PIN 다이오드 스위치를 설계, 제작하고 특성을 측정하였다. 전력단속능력을 개선시키기 위하여 다이오드의 버퍼층을 저온 버퍼와 초격자 버퍼로 이루어진 2층 구조로 설계하였다. 개발된 다이오드의 항복전압은 65V이고 순방향 정압강하는 1.3V 이었다. MMIC 스위치는 마이크로스트립 라인형으로 구현되었고 인덕턴스가 낮은 via hole 공정을 이용하여 신호를 접지하였다. 평면형 구조보다 더 낮은 기생성분과 진성영역에서 고품질을 갖는 수직형 에피텍셜 PIN 구조를 사용하여 우수한 마이크로파 성능을 얻었다. 제작된 SP3T 스위치의 고출력 특성은 14.5GHz CW에서 입력전력을 8dBm부터 32dBM 까지 증가시킬 때 삽입손실은 0.6dB보다 작은, 분리도는 50dB보다 크게 측정되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.441-443
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• 1995

A new optical-resistive voltage divider, which consists of light emitting diode, optic fiber, PIN-photo diode and a high qualify shielding resistive divider, whose total response time is 7.35 [ns], has been obtained. The optical to electrical signal converter was constructed with GaAsP series light emitting diode. The response characteristics have been verified by applying the Marx impulse voltage generator experimentally. Comparing with the performance of conventional resistive voltage divider, the characteristics of the proposed optical-resistive voltage divider are more excellent in step response and less sensitive to electromagnetic interference.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제40권9호
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• pp.392-397
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• 2003

Lange 커플러를 이용한 반사구조 위상변위기는 광대역에서 위상변이를 얻는데 사용되는 회로이다. 이런 5-비트 반사구조에서 33.75°는 대개 11.25°와 22.5°를 동시에 "on"시켜서 얻는 방법이 사용되어져 왔다. 본 논문은 33.75° 위상특성을 개선하기 위하여 GaAs PM 다이오드와 리액티브 부하로 구성된 별도의 회로를 제안하였으며 MMIC로 구현하였다. 2-6 GHz에서 제안된 회로는 기 발표 논문에 비하여 33.75°를 기준으로 할 때 평균 4.7° 개선된 특성을 얻었다. 기존 회로와 비교할 때 삽입손실 및 반사손실은 거의 변화가 없었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권1B호
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• pp.175-182
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• 2000

적외선을 이용한 수/발광 다이오드에 집적소자를 혼합한 Hybrid형 단거리 광무선 통신용 원칩모듈을 개발하였다. 발광다이오드는 850nm 의 적외선파장을 30$^{\circ}$지향각을 갖는 AlGaAs계 고속신호용으로서 전파지연이 60 ns 이며, PIN 포토다이오드는 Si계 반도체 수광소자로써 450-1050nm의 파장대에서 수광 흡수율이 양호하고 필터겸용 블록 에포시렌즈를 750nm 파장 저역대를 여과시켰다. 데이터 전송속도는 115.2 kbps이며 IrDA1.0 SIR 표준조건에서 동작이 양호함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.319-320
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• 2007

We researched basic study about electrical characteristics of Zinc Selenide (Faraday Cell), which is known for various temperature of good-performance, that applied measuring current or protecting instrument by Optical Current Transducer, on Gas Insulated Switchgear. Measuring System consists of VCSEL produced 850nm IR Laser, Pin Photo Diode made of GaAs surveyed as Optical Power Meter, and Optical Fibers specified Multi-mode. We observed optical output changes during measurement of currents increasing by 100[A] in range from 0[A] to 1,000[A] and set temperature condition increasing by $5[^{\circ}C]$ in a range from $30[^{\circ}C]\;to\;60[^{\circ}C]$.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송공학회 1996년도 학술대회
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• pp.27-31
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• 1996

In this paper, The SSPA(Solid State Power Amplifier) is 100 watts amplifier which is used with C-Band Satellite communication Up-Link frequency, 5.875 ∼6.425 GHz. SSPA requires more output power than is available from a single GaAs FET with result it is necessary to combine the output of many device. To achieve a high power, it is important to make a good N-way power divider which has a small different phase, good combining efficiency and high power handling capability. The reliability of Power GaAs FET decrease with increasing junction temperature, power amplifier in general dissipate amount of power. It is important to provide them with a heatsink and a temperature compensation circuit to dispose of the unwanted heat. To compensate temperature, Using PIN diode attenuator, it is enable to get a precision gain control. The output power of the SSPA is more than 100 watt with which the TWTA (Traveling-Wave Tube Amplifier) can be replaced. Each stage was measured by the Network analyzer PH8510C, Power meter Booton 42BD, The gain is more than 53 dB, flatness is less than 1.5 dB.