• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제2권2호
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• pp.30-37
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• 1991

GaAs MESFET의 소신호 등가 모델에서 외부 푀로 성분들을 결정하는 개선된 방법을 제시하였다. 정화간 내부 회로 성분값들을 구하기 위하여 외부 회로 성분들을 제거하는 것이 중요하다. 전송선로를 포함한 기생 인덕터와 커패시터로 이루어지 ㄴ외부 회로를 정립하고, 산란 행렬로부터 이들의 값을 구한 후에 내부 회로 성분을 구하였다. 특히 기생 인덕턴스와 커패시턴스값들은 주파수에 따라 거의 일정한 변화를 보였다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제3권1호
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• pp.11-19
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• 1992

본 연구에서는 초광대역증폭기를 설계하고자 GaAs MESFET 소신호 동가회로에 인덕터 피킹소자를 첨가하여 캐패시턴스의 영향을 감소시키는 주파수 피킹현상에 대하여 분석하였다. GaAs MESFET의 소신호 둥가회로의 전달함수로 부터 인턱터 피킹소자의 최적값을 유도하였으며, 매 우 균일이득을 갖는 귀환증폭모듈을 실현하였다. 실 주파수법에 의하여 입력과 출력단의 엄피던스정합회로를 설계하여 초광대역 마이크로파증폭기를 구현하였으며 컴퓨터 시률레이션에 의하여 셜계된 증폭기의 이득의 오차는 O.lGHz-12GHz에서 O.56dB의 매우 균일한 이득을 얻을 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제16권7호
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• pp.628-639
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• 1991

GaAs MESFET 모델의 정확한 매채변수 값을 구하기 위하여 바이어스 의존성을 바탕으로 3가지 바이어스 변화에 대한 S-,파라미터 측정만으로 모델 매개변수를 추출할 수 있는 새로운 계산 방법을 제시한다. Weighted Broyden update방법의 최적화 과정에서 얻어지는 오차 함수에 대한 매개 변수의 검토를 이용하여 전형 및 비전형 매개 변수의 유일해를 결정한다. 제안된 방법을 적용하기 위해 Marterka & Kacprzak 모델을 사용하였으며 추출한 매개변수 값의 정당성을 측정치와 비교함으로서 입증하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.755-758
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• 2003

본 논문에서 단거리전용통신(DSRC)용 OBE에 사용되는 5.8GHz 송신측 ASK와 PA를 one-chip화하여 MMIC로 설계를 및 제작하였다. 설계된 ASK-PA는 3V 단일 공급전원을 사용하였고, 능동 소자로서 GaAs MESFET을 사용하였다. ASK는 회로의 복잡도를 줄이기 위해 직접변조 방식을 채택하였고, 인접채널 간섭의 영향을 줄이기 위하여 드레인 제어 변조회로를 사용하였다. 또한 전력증폭기는 2단으로 하여 AB급으로 동작하도록 전압분배 바이어스회로로 구성하였다. 측정결과 3V의 공급전압에서 전체이득 20.63dB, 송신출력 7.8dBm으로 나타냈다. 공정은 ETRI 0.5㎛ GaAs MESFET 공정을 사용하였고, Chip size는 1.2mm×l.4mm이다.

• 한국통신학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.360-368
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• 1988

$Al_2$$O_3$ 基板위에 14-14.5GHz 低雜音 MIC 增幅器를 設計하였다. COMSAT 硏究所에서 開發한 GaAsMESFET를 使用하여 設計된 增幅器는 Super-Compact 프로그램을 利用하여 利得이 7dB以上. 雜音指數는 2dB以下가 되도록 最適設計하였다. 增幅器의 利得은 7-7.7dB, 雜音指數는 3.8-4.3dB로 測定되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.445-448
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• 1999

In this Paper, we present simple physical model of the Capacitance characteristics for GaAs MESFET\`s in wide temperatures. In this model, gate-source and gate-drain capacitances are represented by analytical expressions which are classified into three different regions for bias voltage. This model contained the temperature dependent variable that is the built-in voltage and the depletion width. Using the equations obtained in this work a submicron gate length MESFET has simulated and theoretical result are in good agreement with the experimental measurement.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권6A호
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• pp.697-704
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• 2004

본 논문에서 0.5$\mu\textrm{m}$ GaAs MESFET을 이용하여 5GHz대 무선랜에 사용 가능한 MMIC 가변이득 저잡음 증폭기를 설계 및 제작하였다. 이득과 잡음성능이 우수한 증가형 GaAs MESFET과 선형성이 좋은 공핍형 MESFET 조합의 캐스코드 구조로 저잡음 증폭기를 설계하기 위하여 Turlington의 점근선법을 이용하여 MESFET의 비선형 전류 전압특성에 대한 거동 모델 방정식을 도출하였다. 이로부터 캐스코드 증폭기의 공통 소오스 FET는 4${\times}$50$\mu\textrm{m}$ 크기의 증가형 MESFET으로 공통 게이트 FET는 2${\times}$50$\mu\textrm{m}$ 크기의 공핍형 MESFET으로 설계하였다. 제작된 가변이득 저잡음 증폭기의 잡음지수는 4.9GHz에서 2.4dB, 가변 이득범위는 17dB이상, IIP3는 -4.8dBm이며, 12.8mW의 전력을 소비하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.492-498
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• 2003

본 논문은 캐스코드결합에 의한 마이크로파 자기발진믹서를 설계하기 위하여 믹서가 최적 변환이득을 나타내는 바이어스 조건에 대해 분석하였다. 마이크로파 자기발진믹서는 두 개의 GaAs MESFET를 케스코드 결합시켰으며 상위 MESFET는 비교적 높은 Q값을 가지는 유전체공진기에 의해서 발진기로 동작시키고 아래쪽 FET는 저잡음 특성과 최적의 변환이득을 나타내는 믹서로서 동작시켰다. 분석결과 드레인 전압은 $V_{ds}=2.5V$이고 게이트바이어스 전압은 $V_{gs1}=-0.2V와 \;V_{g2}=0V$로 선정하였을 때 설계된 5.15Ghz의 발진기 출력은 5.92dBm, 위상잡음은 -132.0dBc@100KHz, 믹서의 변환손실은 약 -3dB를 나타내어 이론에 의한 자기발진믹서를 설계할 수 있음을 보였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권11호
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• pp.21-28
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• 2008

본 논문에서는 단 채널 GaAs MESFET의 포화영역에서의 I-V 특성을 도출하기 위한 해석적 모델을 제안하였다. 기존의 단 채널 GaAs MESFET에 대한 해석이 채널 pinch-off의 개념이 도입되는 모델이었던 반면, 본 논문에서는 저자의 소도 포화 영역이 유한한 채널 폭을 갖으면서 전류 연속 조건을 만족하도록 공핍영역의 2차원 전위 분포 식을 도출하였다. 또한 소도 포화영역의 길이를 채널 전체 길이, 채널 도핑 농도, 게이트 전압 및 드레인 전압의 함수로 도출하여 포화영역에서의 Early 효과를 보다 합리적으로 설명할 수 있음을 보이고 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.550-553
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• 2001

In this study, unity current gain frequency f$\_$T/ of GaAs MESFET is predicted with different temperatures up to 400 $^{\circ}C$. Temperature dependence parameters of the device including intrinsic carrier concentration n$\_$i/ effective mass, depletion width are considered to be temperature dependent. Small signal parameters such as gate-source, gate dran capacitances C$\_$gs/ C$\_$gd/ are correlated with transconductance g$\_$m/ to predict the unity current gain frequency. The extrinsic capacitance which plays an important roles in high frequency region has been taken into consideration in evaluating total capacitance by using elliptic integral through the substrate. From the results, f$\_$T/ decreases as the temperature increases due to the increase of small signal capacitances and the mobility degradation. Finally the extrinsic elements of capacitances have been proved to be critical in deciding f$\_$T/ which are originated from the design rule of the device.