The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science (한국전자파학회지:전자파기술)

The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science (한국전자파학회)
권호 표지

Extraction of Extrinsic Parameters for GaAs MESFET by S-parameters

S-파라미터를 이용한 GaAs MESFET의 외부 파라미터 추출

  • 조영송 (아주대학교 전자공학과) ;
  • 나극환 (광운대학교 전자공학과) ;
  • 박광호 (과학기술대학교 전자공학과) ;
  • 신철재 (아주대학교 전자공학과)
  • Published : 1991.06.01
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Abstract

The modified method which determines the extrinsic parameters at the small signal equivalent model for GaAs MESFET is presented. It is important that extrinsic parameters are completely eliminated, in order to calculate exact intrinsic parameters. Extrinsic circuit is established by transmission lines, parasitic inductors and capacitors. After these are extracted by S-parameters, intrinsic parameters are calculated. Especially, frequency dependence of parastic inductance and capacitance is considerally constant.

GaAs MESFET의 소신호 등가 모델에서 외부 푀로 성분들을 결정하는 개선된 방법을 제시하였다. 정화간 내부 회로 성분값들을 구하기 위하여 외부 회로 성분들을 제거하는 것이 중요하다. 전송선로를 포함한 기생 인덕터와 커패시터로 이루어지 ㄴ외부 회로를 정립하고, 산란 행렬로부터 이들의 값을 구한 후에 내부 회로 성분을 구하였다. 특히 기생 인덕턴스와 커패시턴스값들은 주파수에 따라 거의 일정한 변화를 보였다.

Keywords