• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.167-170
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• 2004

The stochiometric mix of evaporating materials for the $CuGaT_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnance. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the $CuGaTe_2$ polycrystal, it was found tetragonal structure whose lattice constant $a_0$ and $c_0$ were 6.025 ${\AA}$ and 11.931 ${\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, $CuGaTe_2$ mixed crystal was deposited on throughly etched semi-insulator GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $670^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$ respectively, and the thickness of the single crystal thin films is $2.1{\mu}m$. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the $CuGaTe_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit coupling ${\Delta}s.o$ and the crystal field splitting ${\Delta}cr$ were $0.079\underline{1}eV$ and $0.246\underline{3}eV$ at 10 K, respectively. From the PL spectra at 10K, the peaks corresponding to free bound excitons and D-A pair and a broad emission band due to SA is identified. The binding energy of the free excitons are determined to be $0.047\underline{0}eV$ and the dissipation energy of the donor-bound exciton and acceptor-bound exciton to be $0.049\underline{0}eV$, $0.055\underline{8}eV$, respectively.

• 건축역사연구
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• 제19권6호
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• pp.209-232
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• 2010

This thesis is to analyze the origin and transformation of the official building registers of Korean traditional temples, and also to suggest the amendment of their wrong archives. Especially, this study is to examine these subjects focused on Beomeo-sa which has maintained fine registers. The results are as follow; 1. In Chosun Dynasty, the Ip-an had been used, and in the period of Daehan-Empire, the Ga-gei had been used as each official registers for the common buildings. The other hand, the lists of properties and the legal registers had been used as official registers for the temple buildings between 1911 and 1962. 2. The current official building registers have been firstly recorded under in 1962. At that time, the current official registers have been also recorded for the Buddhist temple buildings. 3. Most of the official building registers of Buddhist temples are incomplete. Especially, these have usually the indistinct building names and wrong building areas. These were mainly caused by direct copying of the old registers recorded in 1956, the period of Buddhist confusion. Furthermore, the registers have been poorly operated by monks and offices. 4. Therefore, the registers has to be corrected as follow; The omitted buildings have to be added and the duplicated buildings have to be removed in the summary heading registers. The indistinct building names recorded in 1956 have to be correct into actual proper building names. The wrong building areas recorded in 1956 have to be correct into actual measurement building areas.

• 고전문학과교육
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• 제33호
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• pp.211-253
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• 2016

문학 작품은 그것을 향유하는 계층에 따라 향유 방식과 텍스트 등에서 다양한 모습을 보여주고 있다. 동시에 문학 작품의 향유 방식도 시간의 흐름에 따라 변화되었다. 그런데 현재처럼 언제 어디서든 자유롭게 문학 작품을 향유할 수 있는 것과 달리 20세기 중반 즉 1950~1960년, 1970년대까지 문학 작품은 누구나 다 향유할 수 있었던 것은 아니었다. 그것을 아는 방법은 실제 그 시대를 살았던 사람을 만나서 확인하는 것밖에 없을 것이다. 본고에서는 경북 북부 내륙 지역, 영덕과 울진의 사례 조사에 이어 청송지역에서는 고전소설이 어떻게 향유되었는지를 2015년 3월부터 2016년 7월까지 청송에서의 현지 조사를 통해 살펴보았다. 그 결과 청송 지역은 고전소설 향유 양상에 있어 북부권과 남부권이 다소 차이를 보이고 있었다. 북부권이 반가의 양반이라는 나름의 자부심을 가지고 있으면서 가사나 고전소설의 향유층을 형성한 반면, 남부권에서는 반가나 동성의 집성촌이라는 의식을 찾을 수 없었을 뿐만 아니라 고전소설을 향유한 계층도 거의 없었다. 이는 사회 문화적인 문제와 경제적 이유가 어느 정도 작용한 것이 아닐까 한다. 그리고 청송 지역도 경북 북부의 다른 지역과 마찬가지로 고전소설과 가사에 대한 장르 인식에 따른 이중성을 엿볼 수 있었다. 그러나 경북 북부의타 지역과 달리 고전소설에 대한 거부감이나 가사에 대한 무조건적 자긍심 등이 눈에 띄게 드러나지는 않는다. 그 예로 청송 지역에서는 고전소설을 주로 향유한 계층에서는 고전소설 작품이 비교적 다양하게 읽히고 있었는데 비해 가사를 주로 향유한 계층에서는 작품의 다양성이 없었다는 점을 들수 있겠다. 가사는 겨우 <한양가> 정도만 거론되고 있었다. 고전소설의 향유에 있어서 송소고택과 찰방공종택은 같은 가문이고 동시에 이웃해 있으면서도 고전소설에 대한 인식을 달리 하고 있었다. 송소고택에서는 어른들이 고전소설을 비교적 자유롭게 향유할 수 있었기에 소설에 대해 부정적 시각은 가지고 있지 않았다. 그런데 찰방공종택의 경우 시어른들이 고전소설은 전혀 읽지 않았지만 가사는 직접 지어 읽을 정도로 적극적으로 향유했다. 이 두 사례는 같은 집안이면서도 고전소설에 대해 어떻게 다르게 인식하고 있는지를 보여주는 것이라 하겠다. 청송 지역의 고전소설 향유 양상에 대한 실증적 조사는 20세기 중반 고전소설이 어떻게 향유되고 있었는가를 아는 소중한 자료가 될 것이다. 아울러 현장 조사에서 일부 제보자들이 타계했거나, 혹은 나이가 많아서 기억을 잘 하지 못하는 점들을 고려해본다면 이러한 실증적 조사는 좀 더 일찍 이루어졌다면 하는 개인적 아쉬움도 없지 않다. 이제 고전소설의 향유 양상에 대해 기억할 수 있는 더 이상의 제보자들을 찾을 수 없다는 점에서 이 논문이 고전소설을 다양하게 연구할 수 있는 좋은 자료가 될 수 있기를 바란다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.158-158
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• 2003

수평 전기로에서 CuGaTe2 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 CuGaTe2 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 위에 성장하였다. CuGaTe2 단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 67$0^{\circ}C$, 41$0^{\circ}C$로 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성이 10K에서 측정한 광발광 스펙트럼은 954.5nm (1.2989eV) 근처에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 139arcsec로 가장 작게 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Paw방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 8.72$\times$$10^{23}$개/㎥, 3.42$\times$$10^{-2}$$m^2$/V.s였다. 상온에서 CuGaTe2 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 1.22 eV였다 Band edge에 해당하는 광전도도peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Varshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 1.3982 eV, $\alpha$= 4.27$\times$$10^{-4}$ eV/K, $\beta$= 265.5 K로 주어졌다. CuGaTe2 단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10K에서 측정된 $\Delta$cr (crystal Field splitting)은 0.0791eV, $\Delta$s.o (spin orbit coupling)는 0.2463eV였다. 10K에서 광발광 봉우리의 919.8nm (1.3479eV)는 free exciton(Ex), 954.5nm (1.2989eV)는 donor-bound exciton 인 I2(DO,X)와 959.5nm (1.2921eV)는 acceptor-bound exciton 인 I1(AO,X) 이고, 964.6nm(1.2853eV)는 donor-acceptor pair(DAP) 발광, 1341.9nm (0.9239eV)는 self activated(SA)에 기인하는 광발광 봉우리로 고찰되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.273-280
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• 2002

The stochiometric mix of evaporating materials for the CuGaTe$_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnance. For extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CuGaTe$_2$ polycrystal, it was found tetragonal structure whose lattice constant a$\_$0/ and c$\_$0/ were 6.025 ${\AA}$ and 11.931 ${\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, CuGaTe$_2$ mixed crystal was deposited on throughly etched semi-insulator GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were 670 $^{\circ}C$ and 410 $^{\circ}C$ respective1y, and the thickness of the single crystal thin films is 2.1 $\mu\textrm{m}$. The crystalline structure of single crystalthin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of van der Pauw and studied on carrier density and mobility dependence on temperature. The carrier density and mobility of CuGaTe$_2$ single crystal thin films deduced from Hall data are 8.72${\times}$10$\^$23/㎥, 3.42${\times}$10$\^$-2/㎡/V$.$s at 293K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the CuGaTe$_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit coupling Δs.o and the crystal field splitting Δcr were 0.0791 eV and 0/2463eV at 10K, respectively. From the PL spectra at 10K, the peaks corresponding to free bound excitons and D-A pair and a broad emission band due to SA is identified. The binding energy of the free excitons are determined to be 0.0470eV and the dissipation energy of the donor -bound exciton and acceptor-bound exciton to be 0.0490eV, 0.00558eV, respectively.

• 혜화의학회지
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• 제16권1호
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• pp.41-59
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• 2007

From the study of prescription on low back pain, the following conclusions are obtained. 1. Among classified cause of low back pain, ShinHur(腎虛) lowback pain and its prescription was most mentioned. 2. Prescriptions such as ChungAWhan(靑娥丸), KookBangAnShinWhan(局方安腎丸) BoSooDan(補髓丹) BaekBaeWhan(百倍丸) DooChungWhan(杜沖丸) JangBonDan(壯本丹) NokKakWhan(鹿角丸) were used in ShinHur(腎虛) type low back pain. 3. Prescription such as TaekRanTang(澤蘭湯) JiRyongSan(地龍散) YoeShinSan(如神散) ShinKookJoo(神麴酒) SoeGuenSan(舒筋散) were used in JwaSumJilBak(閃挫跌撲) type low back pain. 4. Prescription such as ChangChulTang(蒼朮湯) JumTongTang(拈痛湯) ChulBuTang(朮附湯) YiChoChangBaekSan(二炒蒼栢散) were used in SeupYoel(濕熱) type low back pain. 5. Prescription such as ChunGoongYookGaeTang(川芎肉桂湯) GaMiSaMulTang(加味四物湯) PaHoelSanDongTang(破血散疼湯) JiRyongSan(地龍散) were used in UhHoel(瘀血) type low back pain. 6. Prescription such as (蒼術復煎散) (五積散) (摩腰丹) (滲濕湯) were used in HanSeup(寒濕) type low back pain. 7. Prescription such as GaMiYiJinTang(加味二陳湯) GongYeonDan(控涎丹) SaMoolTangHapYiJinTangGaMi(四物湯合二陳湯加味) were used in DamUem(痰飮) type low back pain. 8. Prescription such as OhJukSanGaMi(五積散加味) OhYakSoonGiSanGaMi(烏藥順氣散加味) GaMiYongHoSan(加味龍虎散) SoSokMyoungTang(小續命湯) were used in Poong(風) type low back pain. 9. Prescription such as (四物湯合二陳湯) (仰腰湯) were used in SikJuk(食積) type low back pain and (五積散) (煨腎散) (三花神祐丸) in Seup(濕) type low back pain. 10. Prescription such as ChilKiTang(七氣湯) ChimHyangGangKiTang(沈香降氣湯) ChoKiSan(調氣散) InSamSoonKiSan(人參順氣散) were used in Ki(氣) type low back pain.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.84-84
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• 2003

The ZnSe epilayers were grown on the GaAs substrate by hot wall epitaxy. After the ZnSe epilayers treated in the vacuum-, Zn-, and Se-atmosphere, respectively, the defects of the epilayer were investigated by means of the low-temperature photoluminescence measurement. The dominant peaks at 2.7988 eV and 2.7937 eV obtained from the PL spectrum of the as-grown ZnSe epilayer were found to be consistent with the upper and the lower polariton peak of the exciton, I$_2$ (D$^{\circ}$, X), bounded to the neutral donor associated with the Se-vacancy. This donor-impurity binding energy was calculated to be 25.3meV The exciton peak, lid, at 2.7812 eV was confirmed to be bound to the neutral acceptor corresponded with the Zn-vacancy. The I$_1$$\^$d/ peak was dominantly observed in the ZnSe/GaAs:Se epilayer treated in the Se-atmosphere. This Se-atmosphere treatment may convert the ZnSe/GaAs:Se epilayer into the p-type. The SA peak was found to be related to a complex donor like a (V$\sub$se/ - V$\sub$zn/) - V$\sub$zn-/

• 한국결정성장학회지
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• 제13권3호
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• pp.105-110
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• 2003

The ZnSe epilayers were grown on the GaAs substrate by hot wall epitaxy. After the ZnSe epilayers treated in the vacuum-, Zn-, and Se-atmosphere, respectively, the defects of the epilayer were investigated by means of the low-temperature photoluminescence measurement. The dominant peaks at 2.7988 eV and 2.7937 eV obtained from the PL spectrum of the as-grown ZnSe epilayer were found to be consistent with the upper and the lower polariton peak of the exciton, $I_{2}$ ($D^{\circ}$, X), bounded to the neutral donor associated with the Se-vacancy. This donor-impurity binding energy was calculated to be 25.3 meV, The exciton peak, $I_{1}^{d}$ at 2.7812 eV was confirmed to be bound to the neutral acceptor corresponded with the Zn-vacancy. The $I_{1}^{d}$ peak was dominantly observed in the ZnSe/GaAs : Se epilayer treated in the Se-atmosphere. This Se-atmosphere treatment may convert the ZnSe/GaAs : Se epilayer into the p-type. The SA peak was found to be related to a complex donor like a $(V_{se}-V_{zn})-V_{zn}$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.120-123
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• 2003

The ZnSe epilayers were grown on the GaAs substrate by hot wall epitaxy. After the ZnSe epilayers treated in the vacuum-, Zn-, and Se-atmosphere, respectively, the defects of the epilayer were investigated by means of the low-temperature photoluminescence measurement. The dominant peaks at 2.7988 eV and 2.7937 eV obtained from the PL spectrum of the as-grown ZnSe epilayer were found to be consistent with the upper and the lower polariton peak of the exciton, $I_2$ ($D^{\circ}$, X), bounded to the neutral donor associated with the Se-vacancy. This donor-impurity binding energy was calculated to be 25.3 meV. The exciton peak, $I_1^d$, at 2.7812 eV was confirmed to be bound to the neutral acceptor corresponded with the Zn-vacancy. The $I_1^d$ peak was dominantly observed in the ZnSe/GaAs:Se epilayer treated in the Se-atmosphere. This Se-atmosphere treatment may convert the ZnSe/GaAs:Se epilayer into the p-type. The SA peak was found to be related to a complex donor like a $(V_{Se}-V_{Zn})-V_{Zn}$.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권6호
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• pp.425-433
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• 2000

수평 전기로에서 $CuGaTe_2$다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $CuGaTe_2$단결정 박막을 반절연성 GaAs (100) 위에 성장하였다. $CuGaTe_2$단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 $670^{\circ}C$, $410^{\circ}C$로 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성이 10K에서 측정한 광발광 스펙트럼은 954.5 nm(1.2989 eV) 근처에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 139arcsec로 가장 작게 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 $8.72{\times}10{23}$개 $\textrm m^3$, $3.42{\times}10^{-2}$ $\textrm m^2$/V.s였다. 상온에서 $CuGaTe_2$단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 1.22 eV였다. Bandedge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 varshni 관계식으로 설명되었으며, varshni 관계식의 상수값은 $E_g$(0) = 1.3982 eV, $\alpha$ = $4.27{\times}10^{-4}$eV/K, $\beta$ = 265.5K로 주어졌다. $CuGaTe_2$단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10K에서 측정된$\Delta$cr(crystal field splitting)은 0.0791 eV, $\Delta$s.o(spin orbit coupling)는 0.2463 eV였다. 10K에서 광발광 봉우리의 919.8nm(1.3479 eV) free exciton($E_x$), 954.5nm(1.2989 eV)는 donor-bound exciton 인 $I_2(D^0,X)$와 959.5nm(1.2921 eV)는 acceptor-bound exciton 인 $I_1(A_0, X)$이고, 964.6nm(1.2853 eV)는 donor-acceptor pair(DAP) 발광, 1341.9nm(0.9239 eV)는 self activated(SA)에 기인하는 광발광 봉우리로 고찰되었다.