The low voltage DC-DC Converter(LDC) is used for various electronic devices of electric vehicle. Depending on the growth of the car, the capacity of power conversion circuits must be increased. They have to provide the high efficiency and the high load capacity. The phase shift controlled full-bridge converter can be designed for LDC. The operating characteristics are considered through by simulation.
Recent experiments have shown the 'size effects' in micro/nano scale. But the classical plasticity theories can not predict these size dependent deformation behaviors because their constitutive models have no characteristic material length scale. The Mechanism - based Strain Gradient(MSG) plasticity is proposed to analyze the non-uniform deformation behavior in micro/nano scale. The MSG plasticity is a multi-scale analysis connecting macro-scale deformation of the Statistically Stored Dislocation(SSD) and Geometrically Necessary Dislocation(GND) to the meso-scale deformation using the strain gradient. In this research we present a study of nano-indentation by the MSG plasticity. Using W. D. Nix and H. Gao s model, the analytic solution(including depth dependence of hardness) is obtained for the nano indentation , and furthermore it validated by the experiments.
A high speed address recovery technique for AC plasma display Panel(PDP) is proposed. By removing the GND switching operation, the recovery speed can be increased and switching loss due to GND switch also becomes to be reduced. The proposed method is able to perform load-adaptive operation by controlling the voltage level of energy recovery capacitor, which prevents increasing inefficient power consumption caused by circuit loss during recovery operation. Thus, the technique shows the minimum address power consumption according to various displayed images, different from Prior methods operating in fixed mode regardless of images. Test results with 50" HD single-scan PDP(resolution = 1366$\times$768) show that less than 350ns of recovery time is successfully accomplished and about 54% of the maximum power consumption can be reduced, tracing minimum power consumption curves.
마이크로 스케일에서 다결정 재료의 소성 거동을 살펴볼 때, 결정의 geometrically necessary dislocation(GND) 효과에 의한 소성 구배(plastic gradient)의 고려는 재료의 소성 거동에 큰 영향을 미칠 수 있다. 본 연구에서는 소성 구배의 영향을 살펴보기 위하여 다결정 고체(polycrystalline solids)의 거동을 유한요소해석을 이용하여 살펴보았다. 소성 구배의 영향을 살펴보기 위하여 구배 경화 계수(gradient hardness coefficient)와 먼 거리 변형률에 대한 재료 길이 변수(material length parameter)가 사용되었다. 재료 길이 변수의 영향을 살펴보기 위해, 재료 길이 변수의 차이에 따른 다결정 고체의 거동을 분석하였다. 또한 소성 구배 효과의 고려와 재료 길이 변수의 변화에 따라서 다결정 고체 내부에 위치한 단결정이 받는 영향을 살펴보았다. 재료 길이 변수에 따라 결정이 받는 영향을 비교하여, GND에 의한 다결정 고체 거동의 영향을 확인하였다.
A high speed address recovery technique for AC plasma display panel(PDP) is proposed. By removing the GND switching operation, the recovery speed can be increased and switching loss due to GND switch also becomes to be reduced. The proposed method is able to perform load-adaptive operation by controlling the voltage level of energy recovery capacitor, which prevents increasing inefficient power consumption caused by circuit loss during recovery operation. Thus, th e technique shows the minimum address power consumption according to various displayed images, different from prior methods operating in fixed mode regardless of images. Test results with 50' HD single- scan PDP(resolution : $1366{\times}768$) show that less than 350ns of recovery time is successfully accomplished and about $54\%$ of the maximum power consumption can be reduced, tracing minimum power consumption curves.
본 논문에서는 폴더형 휴대 단말기에서 머리와 단말기가 인접해지는 통화 조건에서의 방사 전력을 향상시킬 수 있는 방법을 제시하였다. 향상된 방사 성능을 분석하기 위해 자유 공간에 EUT만 있을 경우와 머리 팬텀이 함께 있을 경우에 EUT의 TRP를 측정하였고 단말기의 구조 중 팬텀 조건에서의 TRP(Total Radiated Power) 감쇄에 영향을 주는 요소들을 가인자로 설정하고 변경 실험을 하였다. TRP의 가인자 중 실제로 영향을 주는 것으로 나타난 인자들은 안테나의 길이와 위치, 폴더의 각도, 안테나 주변의 그라운드 연결 방법이었고 이 부분들을 개선하여 팬텀 적용시 TRP의 감쇄가 개선전보다 약 5 dB 향상될 수 있음을 확인할 수 있었다.
본 논문에서는 이동통신 기기에서 ESD(ElectroStatic Discharge) 보호소자로 흔히 사용되는 TVS(Transient Voltage Suppressor) diode로 야기되는 잡음 신호가 안테나 무선감도 저하에 미치는 영향에 대해 분석하였다. 다양한 기능을 가진 스마트폰의 경우, 좁은 실장 공간으로 인해 스피커가 안테나 영역 근처에 존재할 수 있고, 스피커로 유입되는 ESD로부터 오디오 증폭기를 보호하기 위한 TVS가 안테나 GND로 사용되어지는 영역에 위치할 수 있다. 스피커를 구동시키는 class-D 증폭기에서 발생하는 디지털 오디오 신호와 안테나에서 커플링되어 스피커로 전달되어진 CDMA(Code Division Multiple Access) RF(Radio Frequency) 통신 신호가 TVS에 의해 믹싱되고, 안테나의 GND로 누설되어 안테나 무선감도를 저하시키는 현상에 대해 실험적 분석후 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 이를 통해 비선형적인 ESD 보호소자가 신호의 원치 않는 결합통로가 되는 문제를 사전에 차단할 수 있을 것으로 보인다.
The changes in the electrical characteristics of CMOS ICs due to coupling with a narrow-band electromagnetic wave were analyzed in this study. A magnetron (3 kW, 2.45 GHz) was used as the narrow-band electromagnetic source. The DUT was a CMOS logic IC and the gate output was in the ON state. The malfunction of the ICs was confirmed by monitoring the variation of the gate output voltage. It was observed that malfunction (self-reset) and destruction of the ICs occurred as the electric field increased. To confirm the variation of electrical characteristics of the ICs due to the narrow-band electromagnetic wave, the pin-to-pin resistances (Vcc-GND, Vcc-Input1, Input1-GND) and input capacitance of the ICs were measured. The pin-to-pin resistances and input capacitance of the ICs before exposure to the narrow-band electromagnetic waves were $8.57M{\Omega}$ (Vcc-GND), $14.14M{\Omega}$ (Vcc-Input1), $18.24M{\Omega}$ (Input1-GND), and 5 pF (input capacitance). The ICs exposed to narrow-band electromagnetic waves showed mostly similar values, but some error values were observed, such as $2.5{\Omega}$, $50M{\Omega}$, or 71 pF. This is attributed to the breakdown of the pn junction when latch-up in CMOS occurred. In order to confirm surface damage of the ICs, the epoxy molding compound was removed and then studied with an optical microscope. In general, there was severe deterioration in the PCB trace. It is considered that the current density of the trace increased due to the electromagnetic wave, resulting in the deterioration of the trace. The results of this study can be applied as basic data for the analysis of the effect of narrow-band high-power electromagnetic waves on ICs.
본 논문에서는 주파수 1.525GHz~1.665GHz 넓은 대역에서 동작하는 이중편파 패치안테나를 설계 및 제작하였다. 넓은 대역폭 및 고 이득을 갖기 위해 GND기판으로 부터 Air층을 높게 적용하였으며, 광대역 축비 및 고 이득을 갖기 위해 기생패치를 적용하여 원하는 데이터를 얻을 수 있도록 하였다. 그 결과 안테나의 정재파비(VSWR)는 전 대역에서 1.9 이하를 나타내며, 반사손실 S11과 S22는 전 대역에서 -10dB이하로 시뮬레이션과 유사한 특성 결과를 얻었다. LHCP(Left Hand Circular Polarization) 및 RHCP(Right Hand Circular Polarization)의 격리 특성은 시뮬레이션 특성보다 더 개선되어 전 대역에서 -13dB이하로 만족한 결과를 얻었다.
SRAM에서 쓰기 전력을 줄이기 위하여 소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAM을 제안하였다. 메모리 셀의 소스 전압을 GND에서 V/sub T/로 올리고 비트라인과 데이터버스의 프리차지 전압을 V/sub DD/에서 V/sub DD/-V/sub T/로 낮춤으로써 비트라인과 데이터버스의 스윙 전압을 줄였다. 이것은 면적의 증가와 속도 감소 없이 SRAM의 쓰기 전력을 크게 줄여준다. 8K×32비트의 SRAM이 0.25um CMOS 공정으로 제작되었다. 제작된 SRAM은 2.5V 전원과 300MHz 동작 주파수에서 쓰기 동작의 소모전력을 45% 줄였고, 최대 동작 주파수는 330MHz였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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