• 한국산업정보학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.1-8
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• 2013

본 논문은 수동소자를 사용하지 않고 선형성 향상을 얻는 가변이득증폭기(VGA, variable gain amplifier) 설계에 관련된 것이다. 이 제안된 VGA는 전류 귀환 증폭기 구조를 이용하고, 이득은 입력단과 귀환부의 트랜스컨덕턴스(GM) 비로 얻어진다. 선형성과 높은 이득을 얻기 위하여 귀환 트랜스컨덕턴스에 전류 분할 기법과 소스 축퇴(degeneration) 기법을 사용하였다. 이득의 변화는 가변 정류기로 입력 트랜스컨덕턴스의 바이어스 전류를 변화시켜 얻을 수 있다. 이 VGA는 $0.35{\mu}m$ CMOS공정을 사용하여 설계하였고, 저 전력을 위해 sub-threshold 영역에서 동작시키게 하였다. 가변 이득은 23dB~43dB의 결과를 얻도록 하였고, 소모 전류는 3.3V에서 $2.82{\mu}A{\sim}3{\mu}A$ 이다. 이 VGA가 차지하는 칩 면적은 $120{\mu}m{\times}100{\mu}m$이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.1105-1108
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• 2003

In this paper, we have fabricated the hydrogenated n-channel polysilicon thin film transistor (TFT) with LDD structure and have analyzed the hot carrier degradation characteristics by electrical stress. We have compared the threshold voltage (Vth), sub-threshold slope (S), and trans-conductance (Gm) for devices with LDD (Lightly Doped Drain) structure and non-LDD at same active sizes. We have analyzed the hot carrier effects by the hydrogenation in devices. As a analyzed results, the threshold voltage, sub-threshold slope for n-channel poly-si TFT were increased, trans-conductance was decreased. The effects of hydrogenation in n-channel poly-si TFT with LDD structure were shown the lower variations of characteristics than devices of the non-LDD structure with nomal process.