• Journal of Ecology and Environment
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• 제45권4호
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• pp.174-181
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• 2021

Background: Euphorbia jolkinii Boiss. is a perennial species native to Jeju Island and the southern coastal area of Korea. Particularly on Jeju Island, the yellow flowers of E. jolkinii Boiss. have a high ornamental value because of their contrast with basalt. This study was conducted to investigate the effects of different temperatures (5, 15, 20, and 25 ℃) and gibberellic acid (GA₃) concentrations (0, 10, 100, or 1000 mg/L) on seed dormancy and germination of E. jolkinii. In addition, we classified the seed dormancy type and compared types with those of other species in the same genus. Results: The number of seeds with viable embryos and endosperms was approximately 66%. The final germination percentages at 5, 15, 20, and 25 ℃ were 51.7%, 83.5%, 2.6%, and 0.0%, respectively. In GA₃ concentration experiments, the final germination percentages of 0, 10, 100, and 1000 mg/L were 83.5%, 91.7%, 79.1%, and 83.4%, respectively, at 15 ℃ conditions, and 0.0%, 6.9%, 13.2%, and 27.3%, respectively, at 25 ℃. Conclusions: Germination improved at temperatures of 15 ℃ or lower. Furthermore, GA₃ treatment effectively reduced germination times. Thus, the seeds of E. jolkinni were classified as having non-deep physiological dormancy.

• 한국자원식물학회지
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• 제30권1호
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• pp.50-57
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• 2017

본 연구는 식의약소재로 활용 가치가 높은 늘어진장대(Arabis pendula L.)의 대량증식을 위한 기초연구로 종자의 형태적 특성과 발아특성을 규명하고, 최적 발아조건을 규명하고자 수행되었다. 늘어진장대 종자는 종피에 날개가 있는 원형으로 색은 진갈색이며, 너비 1.47 mm, 길이 1.25 mm이고, 배는 굴곡형이며 무배유종자이다. 온도와 광조건 실험에서, 종자 발아는 $20^{\circ}C$, 암조건에서 가장 우수하였다(49.7%). 그러나 암조건에서는 유묘가 약하고 웃자랐으며, 자엽이 작고 말려있는 특징을 보였다. 종자 발아와 유묘의 생육을 촉진하기 위하여 종자를 다양한 농도의 $GA_3$ 희석액(0, 200, 500, 1,000 mg/L)에 침지하여 전처리 한 후 파종하였다. 연구 결과, $GA_3$ 희석액 500 mg/L처리구에서 종자 발아율이 가장 높고(97.3%), 발아 소요기간이 짧았으며(8.1일), 유묘의 생육 또한 왕성하였다. 연구의 결과, 늘어진장대 종자의 최적 발아조건은 $GA_3$ 500 mg/L희석액에 침지처리($4^{\circ}C$, dark, 24시간)하여 $20^{\circ}C$에 파종하여 15일 동안 발아시키는 것으로 확인되었다.

• 한국자원식물학회:학술대회논문집
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• 한국자원식물학회 2022년도 추계학술대회
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• pp.46-46
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• 2022

본 연구의 목적은 약용과 식용으로서의 활용도가 높은 일당귀[Angelica acutiloba (Siebold & Zucc.) Kitagawa]의 GA₃농도에 따른 생육특성을 확인하고, 최적의 재배기술 개발 및 지속가능한 안정적인 작물생산에 대한 기초자료의 제공에 있다. 연구재료는 강원도 태백시에 위치하는 일당귀 재배농가에서 2021년 10월에 채종한 종자를 구입하였고, 영주시 풍기읍에 위치한 연구온실에서 연구를 수행하였다. 일당귀의 종자를 증류수에 48시간 침지 후 GA₃농도 4조건(50 ppm, 100 ppm, 500 ppm, 1,000 ppm)에 24시간 처리 후 72구 포트에 파종 후 출아율과 생육특성을 조사하였다. 연구결과 일당귀 종자는 16일이 경과한 시점부터 출아를 시작하였고, 500 ppm처리구에서 73.3%로 가장 높은 출아율을 나타냈다. 생육특성조사는 출아 후 40일(1차)과 80일(2차) 경과된 시점에서 총 2회를 수행하였는데 1차 생육조사에서는 주근길이와 직경을 제외한 모든 생육특성에서 처리구별 생육의 차이가 확인되지 않았으나 2차 생육조사에서는 지상부와 지하부의 모든 생육특성에서 처리구별 생육의 차이가 확인되었다. 잎수(6.3개)와 주근길이(4.26 cm)는 500 ppm처리구에서 가장 높은 생육량을 나타냈고, 지상부 높이(21.81 cm), 잎길이(9.0 cm), 잎너비(10.77 cm), 주근직경(5.71 mm)은 1,000 ppm처리구에서 가장 높은 생육량을 나타냈다. 따라서 GA₃ 처리에 따른 일당귀의 생육특성은 생육초기보다 후기로 갈수록 발현량이 높게 나타나는 것으로 판단된다. 또한 저농도의 GA₃처리보다 500-1,000 ppm 사이의 처리농도가 적합한 것으로 판단되며, 추후 일당귀의 유용성분 분석을 통한 이화학적 연구가 추가된다면 최적의 재배기술 확립을 통한 안정적인 작물 생산에 기여할 수 있을 것이라 사료된다.

• The Journal of Korean Physical Therapy
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• 제15권3호
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• pp.16-44
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• 2003

Skeletal muscle regeneration is a vital process for various muscle myopathies and muscular adaptation to physiological overload. Angiogenesis is the key event in the process of muscle regeneration, and vascular endothelial growth factor(VEGF) plays an important role in it. The purpose of this study was to evaluate the effect of GaAlAs(830nm) laser and immunoreactivity of VEGF on angiogenesis after muscle contusion injury. Muscle contusion injury was induced in the triceps surae muscle by dropping a metal bead(31.4g). GaAlAs laser irradiation(power 20 mW, frequency 2000 Hz, treatment time 15 min) was applied directly to the skin of injured muscle daily for seven days. The experimental group I was irradiated immediately by laser after injury, whereas the experimental group II was irradiated after 1 day of injury. The control group was non-irradiated. The results of this study were as follows. 1. In morphological observation, there were no significant changes in experimental and control groups for 7 days. At 3 days, however, the splited muscle fibers were observed in experimental groups, and the muscle atrophy and granular tissue viewed at 7 days in control group. 2. The VEGF was expressed in muscle fiber that located in the interspace between gastrocnemius and soleus muscles. As the time coursed, the immunoreactivity of VEGF also seemed to be strong in the individual muscle fibers. 3. The experimental group I & II showed higher immunoreactivity of VEGF than control group(p<0.05). Then, the experimental group I showed higher than group II especially(p<0.05). These data suggest GaAlAs semiconduct diode laser irradiation(830nm) enhanced angiogenesis in the skeletal muscle induced contusion injury, and immediate laser irradiation after injury promoted the angiogenesis greatly than after 1 day of injury.

• 대한화학회지
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• 제48권4호
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• pp.371-378
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• 2004

기존의 $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ 녹색 발광 형광체는 주로 CRT (Cathode Ray Tube)용이나 FED (Field Emission Display), 그리고 EL (Electroluminescence)용 발광소자로 많이 연구되어졌다. 현재는 장파장 영역의 여기 특성을 이용한 LED (Light Emitting Diode)용 형광체로 주목 되어지고 있다. $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ 형광체의 일반적 합성 방법은 Flux를 이용하여 인체에 유해한 $H_2S$나 $CS_2$ 기체를 사용할 뿐만 아니라 높은 합성온도, 긴 반응시간 및 공정이 복잡한 단점을 지니고 있다. 따라서 본 실험은 황화물계 원료인 SrS, $Ga_2S_3$ 그리고 EuS를 출발 물질로 하여 $H_2S$ 기체를 사용하지 않고 혼합 기체$(5% H_2/95% N_2)$를 사용해 환원 분위기 하에서 $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$을 합성하였다. 그리고 다양한 합성 조건과 LED용으로 사용되기 위해 수세처리와 Sieving 과정을 거친 형광체의 발광특성을 검토하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.143-144
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• 2010

3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 40% 이상의 광변환 효율로 많은 주목을 받고 있다[1]. 삼중 접합 태양전지의 하부 셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용된다. Ge위에 성장될 III-V족 단결정막으로서 Ge과 격자상수가 일치하는 GaInP나 GaAs가 적합하고, 성장 중 V족 원소의 열확산으로 인해 Ge과 pn접합을 형성하게 된다. 이때 GaInP의 P의 경우 GaAs의 As보다 확산계수가 낮아 태양전지 변환효율향상에 유리한 얇은 접합 형성이 가능하고, 표면 에칭효과가 적기 때문에 GaInP를 단결정막으로 선택하여 p-type Ge기판 위 성장으로 단일접합 Ge구조 제작이 가능하다. 하지만 이종접합 구조 성장으로 인해 발생한 계면사이의 전위나 미세결함들이 결정막내부에 존재하게 되며 이러한 결함들은 광학소자 응용 시 비발광 센터로 작용할 뿐 아니라 소자의 누설전류를 증가시키는 원인으로 작용하여 태양전지 변환효율을 감소시키게 된다. 이에 결함감소를 통해 소자의 전기적 특성을 향상시키고자 수소 열처리나 플라즈마 공정을 통해 수소 원자를 박막내부로 확산시키고, 계면이나 박막 내 결함들과 결합시킴으로서 결함들의 비활성화를 유도하는 연구가 많이 진행되어 왔다 [2][3]. 하지만, 격자불일치를 갖는 GaInP/Ge 구조에 대한 수소 열처리 및 불순물 준위의 거동에 대한 연구는 많이 진행되어 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 Ga0.45In0.55P/Ge구조에 수소 열처리 공정을 적용을 통하여 단결정막 내부 및 계면에서의 결함밀도를 제어하고 이를 통해 태양 전지의 변환효율을 향상시키고자 한다. <111> 방향으로 $6^{\circ}C$기울어진 p-type Ge(100) 기판 위에 유기금속화학증착법 (MOCVD)을 통해 Si이 도핑된 200 nm의 n-type GaInP층을 성장하여 Ge과 단일접합 n-p 구조를 제작하였다. 제작된 GaInP/Ge구조를 furnace에서 250도에서 90~150분간 시간변화를 주어 수소열처리 공정을 진행하였다. 저온 photoluminescence를 통해 GaInP층의 광학적 특성 변화를 관찰한 결과, 1.872 eV에서 free-exciton peak과 1.761 eV에서 Si 도펀트 saturation에 의해 발생된 D-A (Donor to Acceptor)천이로 판단되는 peak을 검출할 수 있었다. 수소 열처리 시간이 증가함에 따라 free-exciton peak 세기 증가와 반가폭 감소를 확인하였고, D-A peak이 사라지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 수소 열처리에 따른 단결정막 내부의 수소원자들이 얕은 불순물(shallow impurity) 들로 작용하는 도펀트들이나, 깊은 준위결함(deep level defect)으로 작용하는 계면근처의 전위, 미세결함들과의 결합으로 결함 비활성화를 야기해 발광세기와 결정질 향상효과를 보인 것으로 판단된다. 본 발표에서는 상술한 결과를 바탕으로 한 수소 열처리를 통한 박막 및 계면에서의 결함준위의 거동에 대한 광분석 결과가 논의될 것이다.

• 농업과학연구
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• 제19권1호
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• pp.9-15
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• 1992

성숙기(成熟期)의 기온저하(氣溫低下)로 품질저하(品質低下)를 초래 하는 중부지방(中部地方)의 '풍수(豊水)' 재배(栽培)에 있어서 gibberellin paste의 처리효과(處理效果)가 과실(果實)의 비대생장(肥大生長)과 숙기(熟期) 및 품질(品秩)에 미치는 영향(影響)을 조사(調査)한 결과(結果) 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 유과기(幼果期)의 $GA_{3+4+7}$ paste 처리(處理)는 GA의 지속적(持續的)인 공급(供給)으로 과실(果實)의 비대(肥大)를 촉진(促進)시킬 뿐 아니라 절대적 생장량(生長量)을 증가(增加)시킬 수 있는 것으로 밝혀졌다. 성숙기(成熟期)에 과육(果肉)의 경도(硬度)가 다소 감소(減少)되었지만 기타의 품질(品秩)에 미치는 영향(影響)은 인정(認定)되지 않았다. 하지만 $GA_3$의 효과(效果)는 인정(認定)되지 않았다. $GA_{3+4+7}$의 처리(處理)는 과실(果實)의 ethylehe 발생(發生)에는 큰 영향(影響)을 미치지 않았지만 지색(地色)의 변화(變化)를 촉진(促進)시켜 성숙기(成熟期)를 3~5일 정도(程道) 앞당길 수 있었다. 따라서 본 연구(硏究)의 결과(結果)는 중부지방(中部地方)의 '풍수(豊水)' 재배(栽培)에 있어 상품성(商品性)이 높은 과실(果實)의 생산기술(生産技術)로 활용(活用)할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국재료학회지
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• 제20권12호
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• pp.661-668
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• 2010

Cu(In,Ga)$Se_2$(CIGS) photovoltaic thin films were electrodeposited on Mo/glass substrates with an aqueous solution containing 2 mM $CuCl_2$, 8 mM $InCl_3$, 20 mM $GaCl_3$ and 8mM $H_2SeO_3$ at the electrodeposition potential of -0.6 to -1.0 V(SCE) and pH of 1.8. The best chemical composition of $Cu_{1.05}In_{0.8}Ga_{0.13}Se_2$ was found to be achieved at -0.7 V(SCE). The precursor Cu-In-Ga-Se films were annealed for crystallization to chalcopyrite structure at temperatures of 100-$500^{\circ}C$ under Ar gas atmosphere. The chemical compositions, microstructures, surface morphologies, and crystallographic structures of the annealed films were analyzed by EPMA, FE-SEM, AFM, and XRD, respectively. The precursor Cu-In-Ga-Se grains were grown sparsely on the Mo-back contact and also had very rough surfaces. However, after annealing treatment beginning at $200^{\circ}C$, the empty spaces between grains were removed and the grains showed well developed columnar shapes with smooth surfaces. The precursor Cu-In-Ga-Se films were also annealed at the temperature of $500^{\circ}C$ for 60 min under Se gas atmosphere to suppress the Se volatilization. The Se amount on the CIGS film after selenization annealing increased above the Se amount of the electrodeposited state and the $MoSe_2$ phase occurred, resulting from the diffusion of Se through the CIGS film and interaction with Mo back electrode. However, the selenization-annealed films showed higher crystallinity values than did the films annealed under Ar atmosphere with a chemical composition closer to that of the electrodeposited state.

• 한국약용작물학회지
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• 제3권1호
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• pp.30-34
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• 1995

본(本) 시험(試驗)은 참당귀(當歸) 종자(種子)의 발아율(發芽率) 향상(向上)과 균일(均一)한 묘생산(苗生産)을 위한 기초자료(基礎資料)를 얻고자 온도(溫度), 광(光), $GA_3$처리(處理)와 저장방법(貯藏方法)이 발아(發芽)에 미치는 영향(影響)을 알아보고자 수행(遂行)한 시험결과(試驗結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 발아온도(發芽溫度)는 $25^{\circ}C$에서 발아율(發芽率) 87.3%와 발아세(發芽勢) 68.0%로 가장 높고, 평균발아(平均發芽) 일수(日數)도 14.1일(日)로 가장 짧았다. 2. 광조건(光條件)에서의 발아율(發芽率)은 90.7%, 암조건(暗條件)에서는 65.7%로 광조건(光條件)에서 발아(發芽)가 양호(良好)하였다. 3. 종자(種予)의 발아력(發芽力)은 채종후(採種後) 165일(日) 보관(保管)은 $4^{\circ}C$와 $-10^{\circ}C$건조(乾燥) 저장(貯藏)에서는 각각(各各) 92.0와 91.3%로 높았으며, 상온(常溫)에서는 80.3%, 그 이후(以後)에는 급격(急激)히 발아율(發芽率)이 떨어졌다. 4. $GA_3$처리(處理)에 따른 발아율(發芽率)은 $4^{\circ}C$저장(貯藏) 종자(種字)는 $GA_3$ 10ppm에서 49.9%로 무처리(無處理) 29.0%보다 20.9% 증가(增加)되었으며, $-10^{\circ}C$저장(貯藏) 종자(種子)는 6ppm에서 63.0%로 무처리(無處理) 31.3% 보다 31.7% 증가(增加)되었다.

• Molecules and Cells
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• 제19권3호
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• pp.334-341
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• 2005

Plants are sessile and rely on a wide variety of growth hormones to adjust growth and development in response to internal and external stimuli. We have identified a gene, designated NAN, encoding a basic helix-loop-helix (bHLH) transcription factor that regulates cell elongation and seed germination in plants. NAN has an HLH motif in its C-terminal region but does not have any other discernible homologies to bHLH proteins. A bipartite nuclear localization signal is located close to the HLH motif. An Arabidopsis mutant, nan-1D, in which NAN is activated by the insertion of the 35S enhancer, exhibits growth retardation with short hypocotyls and curled leaves. It is also characterized by reduced seed germination and apical hook formation, symptomatic of GA deficiency or disrupted GA signaling. The phenotypic effects of nan-1D were increased by treatment with paclobutrazol (PAC), an inhibitor of gibberellic acid (GA) biosynthesis. NAN is constitutively expressed throughout the life cycle. Our observations indicate that NAN has a housekeeping role in plant growth and development, particularly in seed germination and cell elongation, and that it may modulate GA signaling.