• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권5호
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• pp.537-542
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• 2014

The three-dimensional (3-D) NAND flash structure with fully charge storage using edge fringing field effect is presented, and its programming characteristic is evaluated. We successfully confirmed that this structure using fringing field effect provides good program characteristics showing sufficient threshold voltage ($V_T$) margin by technology computer-aided design (TCAD) simulation. From the simulation results, we expect that program speed characteristics of proposed structure have competitive compared to other 3D NAND flash structure. Moreover, it is estimated that this structural feature using edge fringing field effect gives better design scalability compared to the conventional 3D NAND flash structures by scaling of the hole size for the vertical channel. As a result, the proposed structure is one of the candidates of Terabit 3D vertical NAND flash cell with lower bit cost and design scalability.

• Current Optics and Photonics
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• 제3권6호
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• pp.510-515
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• 2019

In this paper, we introduce a 1.3-㎛ 25-GHz waveguide-integrated vertical PIN type Ge-on-Si photodetector fabricated using a multi-project wafers service based on fringing field analysis in the depletion region. In general, 1.3-㎛ photodetectors fabricated using a commercial foundry service can achieve limited bandwidths because a significant amount of photo-generated carriers are located within a few microns from the input along the device length, and they are influenced by the fringing field, leading to a longer transit time. To estimate the response time, we calculate the fringing field in that region and the transit time using the drift velocity caused by the field. Finally, we compare the estimated value with the measured one. The photodetector fabricated has a bandwidth of 20.75 GHz at -1 V with an estimation error of <3 GHz and dark current and responsivity of 110 nA and 0.704 A/W, respectively.

• 전기학회논문지
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• 제61권4호
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• pp.606-611
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• 2012

The similarity, analogy and equivalence between the phenomenon due to electric and magnetic dipoles have been discussed in the open literature for different situations. Here we are presenting the numerical proof of the trajectory of leakage electric field due to a semi-infinite electric dipole layer in the external periphery and the electric field in the space between oppositely charged surfaces. The result is also valid for the fringing electric field of a parallel plate capacitor. The result is also proved to be a dual of Amp$\grave{e}$re's law in the electrostatics due to a semi-infinite electric dipole layer.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.214-214
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• 2010

단위면적 당 메모리 집적도를 높이기 위해 플래시 기억소자의 크기를 줄일 때, 셀 사이의 거리의 감소에 의한 간섭효과가 매우 커져 소자 크기의 축소가 한계에 도달하고 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 본 연구에서는 fringing field 효과를 이용한 SONOS 구조 게이트 위에 금속 공간층을 가지는 플래시 메모리 소자를 연구하였다. 소자에 소스와 드레인에 도핑을 하는 공정단계를 거치지 않아도 되는 fringing field 효과를 이용한 SONOS 구조를 가진 기억소자에서 트랩층 양 쪽에 절연막을 증착하고 게이트 외측으로부터 트랩층 양 쪽 절연막까지 금속을 증착시켜 금속 공간층을 형성하였다. 게이트에 전압을 인가할 때 트랩층 절연막 외측의 금속 공간층 영역에도 동시에 전압이 인가되므로 게이트가 스위칭 역할을 충분히 하게 하기 위해서 트랩층 양 쪽 절연막 두께를 블로킹 산화막 두께와 같게 하였다. 소자의 누설전류를 감소하기 위하여 채널 아래 부분에 boron으로 halo 도핑을 하였다. 제안한 기억소자가 fringing field 효과에 의해 동작하는 것을 확인하기 위하여 Sentaurus를 사용하여 제시한 SONOS 구조를 가진 기억소자의 전기적 특성을 조사하였다. 시뮬레이션을 통해 얻은 금속 공간층이 있을 때와 없을 때에 대한 각 상태에서 같은 조건으로 트랩층에 전하를 트랩 시켰을 때 포획된 전하량이 변하였다. 각 상태에서 제어게이트에 읽기 전압을 인가하여 전류-전압 특성 곡선을 얻었으며, 각 상태에서의 문턱전압의 변화를 통해 금속 공간층이 있을 때 간섭효과가 감소하였다.

• 한국진공학회지
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• 제5권4호
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• pp.278-283
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• 1996

Field terminator를 이용하여 singl path cylindrical mirror analyser를 제작하였다. 먼저 컴퓨터 모의실험을 바탕으로 CMA의 원통형 전극양단에서 fringing field effect를 최소로 하여 log-scale의 등전위면을 그대로 유지하는 terminator의 전압비와 위치 등을 구하였다. 계산된 전압을 직렬로 연결된 금속산화물저항으로 만든 voltage divider로 field terminator에 직접 인가하여 CMA의 fringing field effect를 줄이는 방법으로 개발하였다. 이 방법으로 제작된 CMA의 분해능이 $\Delta$E/E=0.4% 이상임을 확인하였다.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제16권5호
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• pp.96-100
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• 2007

Condenser lens and objective lens are used to demagnify the image of the crossover to the final spot size. In lens, electrons are focused by magnetic fields. This fields is fringing field. It is important in electron focusing. Electron focusing occurs the radial component field and axial component field. Radial component produces rotational force and axial component produces radial force. Radial force causes the electron's trajectory to curve toward the optic axis and corss it. Focal length decreases as the current of lens increases. In this paper, we use the focal length for desiging the hardware of lens current control and present the results.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.351-355
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• 2003

본 논문에서는 누설 전계(fringing field)가 일어나는 패치 종단 부분은 그대로 두고 전송선로로 등가해석할 수 있는 패치 중앙 부분의 전기적인 경로를 변화시켜 안테나를 소형화하였다. 시뮬레이션 툴은 Ensemble을 사용하였으며 제안된 안테나를 일반적인 마이크로스트립 안테나와 소형화 정도, 이득, 대역폭, 복사패턴 등을 비교하였다. 결과적으로 제안된 안테나는 일반적인 정사각형 마이크로스트립 안테나에 비하여 대역폭이 감소되는 단점 이 있는 반면 안테나의 면적 이 44 % 가량 감소되었으며, X-pol 특성 이 40 dB 가량 개선되는 결과를 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.925-933
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• 1991

캐버티(Cavity)이론을 적용하여 원통면사각패치 마이크로스트립 공진기를 해석한다. 후린 정전자계(fringing field)로 인한 공진주파수의 오차를 최소화 시키는 방법으로써 실효유전상수 개념을 적용하여 공진주파수를 계산한다. 실험을 위하여 3.0GHz에서 동작하는 전송형원통면사각패치 마으크로스트립 공진기를 설계 제작하였다. 공진주파와 반사손실에 대한 측정 결과는 각각 3.019GHz, -32.78dB로써 이론값과 거의 일치하였다

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제9권4호
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• pp.1343-1348
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• 2014

The low frequency noise in Silicon Nanowire Field Effect Transistors is analyzed by characterizing the gate electrode dependence on various geometrical parameters. It shows that gate electrodes have a strong impact in the flicker noise of Silicon Nanowire Field effect transistors. Optimization of gate electrode was done by comparing different performance metrics such a DIBL, SS, $I_{on}/I_{off}$ and fringing capacitance using TCAD simulations. Molybdenum based gate electrode showed significant improvement in terms of high drive current, Low DIBL and high $I_{on}/I_{off}$. The noise power sepctral density is reduced by characterizing the device at higher frequencies. Silicon Nanowire with Si3N4 spacer decreases the drain current spectral density which interms reduces the fringing fields there by decreasing the flicker noise.

• 한국자기학회지
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• 제7권6호
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• pp.321-326
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• 1997

유량을 정밀조정하는 콘트롤 밸브의 핵심 부품인 magnet unit를 해석하였다. 유한요소법을 이용하여 자석과 요크가 이루는 자기회로를 분석하여 공극에 흐르는 자속과 코일이 받는 힘을 계산하고 이를 측정치와 비교하였다. 시뮬레이션 결과 공극자장은 3 ~ 5 kOe, 추력상수는 27.5 N/A, 퍼미언스 게수는 22.1 이었으며 측정치와 잘 일치하였다. 또한 시뮬레이션을 통하여 reluctance factor는 1.1 fringing factor는 1.4 임을 알 수 있었다.