The object of this paper is to introduce the concept of a pair of semi-compatible self-maps in a fuzzy metric space to establish a fixed point theorem for four self-maps. It offers an extension of Vasuki [10] to four self-maps under the assumption of semi-compatibility and compatibility, repsectively. At the same time, these results give the alternate results of Grebiec [5] and Vasuki [9] as well.
This paper introduces the notion of semi-compatible self-maps in 2-metric spaces and establishes a fixed point theorem for four self-maps, satisfying an implicit relation through semi-compatibility of a pair of self-maps. This results in another fixed point theorem for four expansion maps which generalizes and improves many results of Kang et. al. [5] with an application.
With approval from the Asia Pacific Metrology Program Working Group on Materials Metrology (APMP WGMM), an international comparison for sheet resistance standards for silicon wafers was firstly conducted among Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS) in Korea, CMS/ITRI in Taiwan, and NIM in China, which are national metrology institutes (NMIs), from August 2011 to January 2012. The sheet resistance values of the standards are $10{\Omega}$, $100{\Omega}$, and $1000{\Omega}$; the measurement was conducted in sequence at KRISS, CMS/ITRI, NIM, and KRISS again using the four-point probe method with single and dual configuration techniques. The reference value for the measurement results of the three NMIs was obtained through averaging the values of the three results for each sheet resistance range. The differences between the reference value and the measured values is within 0.22% for $10{\Omega}$, 0.17% for $100{\Omega}$, and 0.12% for $1000{\Omega}$. Therefore, the international consistency for conducting sheet resistance measurements is confirmed within 0.22% through the APMP WGMM approved comparison.
$2000{\AA}-SiO_2/Si(100)$ and $560{\AA}-Si_3N_4/Si(100)$ wafers, which are 10 cm in diameter, were directly bonded using a rapid thermal annealing method. We fixed the anneal time of 30 second and varied the anneal temperatures from 600 to $1200^{\circ}C$. The bond strength of bonded wafer pairs at given anneal temperature were evaluated by a razor blade crack opening method and a four-point bonding method, respectively. The results clearly slow that the four-point bending method is more suitable for evaluating the small bond strength of 80~430 mJ/$\m^2$ compared to the razor blade crack opening method, which shows no anneal temperature dependence in small bond strength.
A handheld sheet resistance meter that can easily and quickly measure the sheet resistance of indium tin oxide films was developed. The dual-configuration four-point probe method was adopted for this instrument, which measured sheet resistance in the range from $0.26{\Omega}/sq$. to $2.6k{\Omega}/sq$. with 0.3 % ~ 0.5 % uncertainty. The screen of the instrument displayed the sheet resistance when the probe was in contact with the sample surface and the value continued to be displayed during the probe contact. Even after separating the probe from the surface, the value was still displayed on the screen and could be read easily. A feature of the instrument was the use of the dual-configuration technique to reduce edge effects markedly compared with the single-configuration technique and its ease of operation without applying correction factors for sample size and thickness.
In this paper, we present a fast Fourier transform (FFT) processor with four parallel data paths for multiband orthogonal frequency-division multiplexing ultra-wideband systems. The proposed 128-point FFT processor employs both a modified radix-$2^4$ algorithm and a radix-$2^3$ algorithm to significantly reduce the numbers of complex constant multipliers and complex booth multipliers. It also employs substructure-sharing multiplication units instead of constant multipliers to efficiently conduct multiplication operations with only addition and shift operations. The proposed FFT processor is implemented and tested using 0.18 ${\mu}m$ CMOS technology with a supply voltage of 1.8 V. The hardware- efficient 128-point FFT processor with four data streams can support a data processing rate of up to 1 Gsample/s while consuming 112 mW. The implementation results show that the proposed 128-point mixed-radix FFT architecture significantly reduces the hardware cost and power consumption in comparison to existing 128-point FFT architectures.
To combine the mechanical advantages of ceramics with those of metals, one often uses both materials within one composite component. But, as known, they have different material properties and fracture behaviors. In this study, a four-point bending test is carried out on $Si_3N_4$ joined to ANSI 304L stainless steel with a Ti-Ag-Cu filler and a Cu interlayer at room temperature to evaluate their longitudinal strain behaviors. And, to detect localized strain, a couple of strain gages are pasted near the joint interfaces of the ceramic and metal sides. The normal strain rates are varied from $3.33{\times}10^5$ to $3.33{\times}10^{-1}s^{-1}$ Within this range, the experimental results showed that the four-point bending strength and the deflection of the interlayer increased with increasing the strain rate.
Seo, Do-Won;Lim, Jae-Kyoo;Jeon, Yang-Bae;Yoon, Ho-Cheol
대한용접접합학회:학술대회논문집
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대한용접접합학회 2002년도 Proceedings of the International Welding/Joining Conference-Korea
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pp.688-693
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2002
Adhesive bonding is becoming one of the popular joining techniques in metal industries, since it has some advantages over other techniques such as welding and diffusion bonding, e.g., any dissimilar metals are easily adhesive-bonded together. In this study, the experiments were carried out in order to provide the statistical data with strength evaluation methods: tension, shear and four-point bending tests for thermoplastic epoxy resin based adhesive-bonded metal joints. We should certificate on the probability of the adhesive strength that has the tendency of brittle fracture, the adhesive bonding strength between metals with thermoplastic adhesive has the best probability at four-point bending test. The strength testing method that has higher probability is four-point bending test, shear test and tensile test in order.
본 연구는 수면변화의 전파특성을 이용한 4점법(four-point method of characteristics)의 선형화이론을 개수로의 불정류해석에 적용하는 문제와 관련하여, 직사각형 만입에서 본 해석모형에 대한 1차원 정진동 수치 검정실험을 실시하였고, 2차원 불정류의 해석에 있어서 안정성(stability) 문제에 대하여 검토하였다. 본 해석모형은 수위변화가 수심에 비해 충분히 작은 흐름의 경우에 효과적으로 간편하게 사용할 수 있음을 알 수 있었다.
To establish the reliability of a packaging structures, adhesion testing of key interfaces is a critical task. Due to the material mismatch, the interface may be prone to delamination failure due to conditions during the manufacturing of the product or just from the day-to-day use. To assess the reliability of the interface adhesion strength testing can be performed during the design phase of the product. One test method of interest is the four-point bending (4PB) adhesion strength test method. This test method has been implemented in a variety of situations to evaluate the adhesion strength of interfaces in bimaterial structures to the interfaces within thin film multilayer stacks. This article presents a review of the 4PB adhesion strength testing method and key implementations of the technique in regards to semiconductor packaging.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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