본 연구는 전력용 스위칭 소자로 널리 활용되고 있는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)소자로서 NPT(Non Punch Through) IGBT 구조에 기반 한 새로운 구조의 IGBT를 제안하였다. 제안된 구조는 기존 IGBT 구조의 P-베이스 영역 우측 부분에 N+를 도입함으로 N-드리프트 영역의 정공분포를 N+영역으로 밀집시켜 턴-오프 시 정공의 흐름을 개선, 기존 구조보다 더 빠른 턴-오프 시간과 더 낮은 순방향 전압강하를 갖는 구조이다. 또한 P+를 게이트 우측 하단에 형성함으로써 순방향 전압 강하 특성을 개선시키기 위해 도입한 캐리어 축적 층인 N+에 의해 발생하는 낮은 래치-업 특성과 낮은 항복 전압 특성을 개선시킨 구조이다. 시뮬레이션 결과 제한된 구조의 턴-오프와 순방향 전압강하는 기존 구조대비 각각 0.3us, 0.5V 향상된 특성을 보였다.
본 연구에서는 고도에 따른 간섭 유동과 공력특성을 파악하고, 측추력 제트에 사용된 기체의 종류에 따라 다화학종 가스제트의 확산을 고려한 유동해석을 수행하였다. 공기제트에 비해서 임의로 가정한 다화학종 가스 제트를 사용하는 경우 충격파의 위치와 제트의 확산 영역이 동체전방으로 이동한다. 이로 인해 표면의 고압영역이 앞으로 나가며 같은 조건에서 보다 높은 피칭 모멘트를 갖는다. 또한 고온효과의 적용에 따라 압력분포 예측에 차이를 보였다. 그리고 저고도의 측추력제트 유동 구조와 비교했을 때 중고도 유동조건에서 주변 대기의 낮은 밀도로 측추력 제트의 두께가 더 크며, 넓은 영역에 걸쳐 확산된다.
The permeate flux decline due to membrane fouling can be addressed using a variety of theoretical stand-points. Judicious selection of an appropriate theory is a key toward successful prediction of the permeate flux. The essential criterion f3r such a decision appears to be a detailed characterization of the feed solution and membrane properties. Modem theories are capable of accurately predicting several properties of colloidal systems that are important in membrane separation processes from fundamental information pertaining to the particle size, charge, and solution ionic strength. Based on such information, it is relatively straight-forward to determine the properties of the concentrated colloidal dispersion in a polarized layer or the cake layer properties. Incorporation of such information in the framework of the standard theories of membrane filtration, namely, the convective diffusion equation coupled with an appropriate permeate transport model, can lead to reasonably accurate prediction of the permeate flux due to colloidal fouling. The schematic of the essential approach has been delineated in Figure 5. The modern approaches based on appropriate cell models appear to predict the permeate flux behavior in crossflow membrane filtration processes quite accurately without invoking novel theoretical descriptions of particle back transport mechanisms or depending on adjust-able parameters. Such agreements have been observed for a wide range of particle size ranging from small proteins like BSA (diameter ${\~}$6 nm) to latex suspensions (diameter ${\~}1\;{\mu}m$). There we, however, several areas that need further exploration. Some of these include: 1) A clear mechanistic description of the cake formation mechanisms that clearly identifies the disorder to order transition point in different colloidal systems. 2) Determining the structure of a cake layer based on the interparticle and hydrodynamic interactions instead of assuming a fixed geometrical structure on the basis of cell models. 3) Performing well controlled experiments where the cake deposition mechanism can be observed for small colloidal particles (< $1\;{\mu}m$). 4) A clear mechanistic description of the critical operating conditions (for instance, critical pressure) which can minimize the propensity of colloidal membrane fluting. 5) Developing theoretical approaches to account for polydisperse systems that can render the models capable of handing realistic feed solutions typically encountered in diverse applications of membrane filtration.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권4호
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pp.495-502
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2014
Fast recovery diodes (FRDs) were developed using the $p^{{+}{+}}/n^-/n^{{+}{+}}$ epitaxial layers grown by low temperature epitaxy technology. We investigated the effect of electrostatic discharge (ESD) stresses on their electrical and switching properties using current-voltage (I-V) and reverse recovery time analyses. The FRDs presented a high breakdown voltage, >450 V, and a low reverse leakage current, < $10^{-9}$ A. From the temperature dependence of thermal activation energy, the reverse leakage current was dominated by thermal generation-recombination and diffusion, respectively, at low and high temperature regions. By virtue of the abrupt junction and the Pt drive-in for the controlling of carrier lifetime, the soft reverse recovery behavior could be obtained along with a well-controlled reverse recovery time of 21.12 ns. The FRDs exhibited excellent ESD robustness with negligible degradations in the I-V and the reverse recovery characteristics up to ${\pm}5.5$ kV of HBM and ${\pm}3.5$ kV of IEC61000-4-2 shocks. Likewise, transmission line pulse (TLP) analysis reveals that the FRDs can handle the maximum peak pulse current, $I_{pp,max}$, up to 30 A in the forward mode and down to - 24 A in the reverse mode. The robust ESD property can improve the long term reliability of various power applications such as automobile and switching mode power supply.
Botulinum toxin type A (BoNT-A), onabotulinumtoxinA (Botox) was approved by the United States Food and Drug Administration for temporary improvement of glabellar lines in patients 65 years and younger in 2002, and has also been used widely for aesthetic purposes such as hyperhidrosis, body shape contouring, and other noninvasive facial procedures. BoNT-A inhibits presynaptic exocytosis of acetylcholine (ACh)-containing vesicles into the neuromuscular junction at cholinergic nerve endings of the peripheral nervous system, thereby paralyzing skeletal muscles. ACh is the most broadly used neurotransmitter in the somatic nervous system, preganglionic and postganglionic fibers of parasympathetic nerves, and preganglionic fibers or postganglionic sudomotor nerves of sympathetic nerves. The scientific basis for using BoNT-A in various cosmetic procedures is that its function goes beyond the dual role of muscle paralysis and neuromodulation by inhibiting the secretion of ACh. Although the major target organs for aesthetic procedures are facial expression muscles, skeletal body muscles, salivary glands, and sweat glands, which are innervated by the somatic or autonomic nerves of the peripheral cholinergic nerve system, few studies have attempted to directly explain the anatomy of the areas targeted for injection by addressing the neural physiology and rationale for specific aesthetic applications of BoNT-A therapy. In this article, we classify the various cosmetic uses of BoNT-A according to the relevant component of the peripheral nervous system, and describe scientific theories regarding the anatomy and physiology of the cholinergic nervous system. We also review critical physiological factors and conditions influencing the efficacy of BoNT-A for the rational aesthetic use of BoNT-A. We hope that this comprehensive review helps promote management policies to support long-term, safe, successful practice. Furthermore, based on this, we look forward to developing and expanding new advanced indications for the aesthetic use of BoNT-A in the future.
A newly proposed grouting simulation method, the sequential diffusion solidification method was introduced into the numerical simulation of combined bi-borehole grouting. The traditional, critical and difficult numerical problem for the temporal and spatial variation simulation of the slurry is solved. Thus, numerical simulation of grouting and blocking of flowing water in karst conduits is realized and the mechanism understanding of the combined bi-borehole technology is promoted. The sensitivity analysis of the influence factors of combined bi-borehole grouting was investigated. Through orthogonal experiment, the influences of proximal and distal slurry properties, the initial flow velocity of the conduit and the proximal and distal slurry injection rate on the blocking efficiency are compared. The velocity variation, pressure variation and slurry deposition phenomenon were monitored, and the flow field characteristics and slurry outflow behavior were analyzed. The interaction mechanism between the proximal and distal slurries in the combined bi-borehole grouting is revealed. The results show that, under the orthogonal experiment conditions, the slurry injection rate has the greatest impact on blocking. With a constant slurry injection rate, the blocking efficiency can be increased by more than 30% when using slurry with weak time-dependent viscosity behavior in the distal borehole and slurry with strong time-dependent viscosity behavior in the proximal borehole respectively. According to the results of numerical simulation, the grouting scheme of "intercept the flow from the proximal borehole by quick-setting slurry, and grout cement slurry from the distal borehole" is put forward and successfully applied to the water inflow treatment project of China Resources Cement (Pingnan) Limestone Mine.
본 논문은 대학의 연구활동을 특허라는 창을 통하여 들여다보고자 하였다. 특허인용정보가 있는 미국 특허를 이용하여 우리나라의 대학 특허를 기업 특허와 대비시켜 대학 특허의 특성을 분석하였다. 일반적으로 기업 특허와 대학 특허는 전자는 전유성(appropriability) 측면에서 그리고 후자는 기초성(basicness) 측면에서 차이가 있는 것으로 본다. 그런데 기초성 측면에서 우리나라 대학 특허는 기업 특허와 크게 두드러진 차이를 보이지 않는 것으로 나타났다. 다음으로 특허인용함수모형을 이용하여 특허의 질 또는 수준을 기업과 대학 사이에 비교해 보았다. 기업 특허는 자체인용이 상당수 포함되어 있는데, 이를 감안하면 전방인용에 있어서는 대학 특허와 기업 특허는 큰 차이를 보이지 않는 것으로 나타났다. 자체인용 비중이 높을수록 특허의 전유성 정도가 높은 경향이 있다는 선행연구를 상기하면, 기업 특허의 전유성 정도가 높게 나오는 것을 확인할 수도 있었다. 미국과 유럽을 대상으로 한 선행연구에서는 대학 특허가 대체로 기업 특허와 비교하여 인용빈도 측면에서 뒤지지 않는 것으로 분석되고 있다. 외국의 대학 특허 분석결과와 본 논문의 우리나라 대학 특허 분석결과를 대비시키면, 우리나라 대학 특허는 전반적인 수준이나 영향력 측면에서는 기업 특허에 미치지 못하며, 이는 우리나라대학의 특허활동이 최근에야 활성화된 데 기인한 것으로 추론된다. 이러한 분석 결과는 향후 대학의 연구수준을 제고하기 위한 노력을 보다 체계화해야 한다는 것을 시사하며, 최근 진행되고 있는 정부의 기초연구 정책방향 전환이나 대학 내의 자체적인 개혁 움직임을 간접적으로 지지한다. 정부의 정책 전환과 함께 학내의 개선 노력이 합치되면 향후 우리나라 대학의 특허인용도 및 영향력이 훨씬 높아지게 될 것으로 기대할 수 있다.
비정질실리콘은 빛을 받으면 자유전자와 자유정공이 무수히 발생하여 전류 또는 전압의 형태로 나타나는 광전변환 재료이다. 이를 광다이오드로 사용하기 위해서는 금속 박막(Thin film)과 결합하여 쇼트키 다이오드로 만드는 기술이 효과적이다. 본 연구에서는 광다이오드의 신뢰성 및 특성을 개선하기 위하여 크롬실리사이드를 기존의 방식과 달리 하부 전극으로 크롬금속 박막을 증착한 후 그 위에 사일렌(SiH4)가스를 사용해서 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 진공 증착장비로 최적의 비정질실리콘 박막을 얇게 (100$\AA$) 만들어 열처리를 통하여 크롬실리사이드 박막을 형성 한 후 광다이오드 소자를 제조한다. 이렇게 형성된 크롬실리사이드 광 다이오드를 사용하여 암전류와 광전류를 측정찬 결과 기존의 방식보다 우수한 성능이 나타났고, 공정도 단순화 할 수 있었으며 그리고 신뢰성도 개선되었다.
Au 또는 Pt를 확산시켜 실리콘 $p^{+}-n$ 접합 다이오드를 제작하였다. Au 또는 Pt의 확산을 $800{\sim}1010^{\circ}C$, 산소 및 질소분위기에서 실시하여 다이오드의 전기적 특성을 분석하였으며, Au 또는 Pt가 확산된 시편을 산소분위기의 $800{\sim}1010^{\circ}C$에서 2차 열처리를 실시한후 이 처리가 소자의 전기적 특성에 미치는 효과에 대해 고찰하였다. $1010^{\circ}C$의 온도에서 1차 확산결과 Pt가 확산된 다이오드의 누설전류는 Au가 확산된 다이오드 누설전류의 75배 였다. $1010^{\circ}C$, 질소분위기에서 1시간동안 Pt가 확산된 시편을 산소분위기에서 $800^{\circ}C$, 1시간동안 2차 열처리하였을 경우에 1차 열처리한 것보다 누설전류가 1/1100로 감소되었다. 초고속 실리콘 $p^{+}-n$ 접합 스위칭 다이오드의 특성을 만족하기 위해서는, Pt를 $1010^{\circ}C$, 질소분위기에선 1시간 확산시킨후 2차 열처리를 $800^{\circ}C$, 산소분위기에서 1시간동안 열처리하는 것이 최적 조건임을 알 수 있었다. 이때 다이오드의 제특성은 역회복시간 4ns, 항복전압 138V, 누설전류1.7nA 그리고 순방향 전압이 1V였다.
본 연구에서는 Pavitt(1984)의 산업별 기술혁식패턴론을 토대로 한국 제조업의 산업별 혁신원천과 기술혁신패턴을 비교 분석하였다. 이에 따라 과학기술정책연구원 "2005년 기술혁신활동조사표: 제조업" DB 자료를 사용하여 공급자지배산업, 생산집약적산업, 과학기반산업으로 구분하고 계량모형을 이용하여 실증 분석하였는데, 주요 실증결과는 다음과 같다. 첫째 혁신정보의 원천 측면에서 공급자지배산업에서는 기업외부정보의 혁신 기여도가 높고, 과학기반산업과 생산집약적 산업에서는 기업내부정보의 혁신 기여도가 높았다. 둘째 외부지식활용방식 측면에서는 공급자지배산업에서는 외부지식구매, 과학기반산업에서는 공동개발, 생산집약적 산업에서는 외부지식구매와 공동개발이 혁신성과에 기여하는 것으로 나타났다. 셋째 외부기관과의 지식연계 측면에서는 공급자 지배산업은 공급업체, 생산집약적산업은 고객업체, 과학기반산업에서는 대학 연구기관과의 연계가 기술혁신에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 나타났다. 이와 같은 결과로부터 과학기술산업은 산학연 지식연계, 생산 집약적 산업은 기업간 지식연계, 공급자지배산업은 외부지식의 흡수능력 배양 등 산업별 기술패턴을 고려한 혁신지원정책이 필요하다는 시사점을 얻고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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