Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.263-263
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2013
This work examines the dynamic properties of ice surfaces in vacuum for the temperature range of 140~180 K, which extends over the onset temperatures for ice sublimation and the phase transition from amorphous to crystallization ice. In particular, the study focuses on the transport processes of excess protons and chloride ions in ice and their segregative behavior to the ice surface. These phenomena were studied by conducting experiments with a relatively thick (~100 BL) ice film constructed with a bottom $H_2O$ layer and an upper $D_2O$ layer, with excess hydronium and chloride ions trapped at the $H_2O$/$D_2O$ interface as they were generated by the ionization of hydrogen chloride. The migration of protons, chloride ions, and water molecules to the ice film surface and their H/D exchange reactions were measured as a function of temperature using the methods of low energy sputtering (LES) and Cs+ reactive ion scattering (RIS). Temperature programmed desorption (TPD) experiments monitored the desorption of water and hydrogen chloride from the surface. Our observations indicated that both hydronium and chloride ions migrated from the interfacial layer to segregate to the surface at high temperature. Hydrogen chloride gas desorbs via recombination reaction of hydronium and chloride ions floating on the surface. Surface segregation of these species is driven by thermodynamic potential gradient present near the ice surface, whereas in the bulk, their transport is facilitated by thermal diffusion process. The finding suggests that chlorine activation reactions of hydrogen chloride for polar stratospheric ice particles occur at the surface of ice within a depth of at most a few molecular layers, rather than in the bulk phase.
Kim, Hyun-Pil;Jeong, Ha-Young;Ham, Dong-Hyeon;Lee, Yong-Surk
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.32
no.2A
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pp.188-194
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2007
In order to become ubiquitous world, the compatibility of wireless machines has become the significant characteristic of a communication terminal. Thus, SDR is the most necessary technology and standard. However, among the environment which has different communication protocol, it's difficult to make a terminal with only hardware using ASIC or SoC. This paper suggests the processor that can accelerate several communication protocol. It can be connected with main-processor, and it is specialized PHY layer of network The C-program that is modeled with the wireless protocol IEEE802.11a and IEEE802.11b which are based on widely used modulation way; OFDM and CDM is compiled with ARM cross compiler and done simulation and profiling with Simplescalar-Arm version. The result of profiling, most operations were Viterbi operations and complex floating point operations. According to this result we suggested a co-processor which can accelerate Viterbi operations and complex floating point operations and added instructions. These instructions are simulated with Simplescalar-Arm version. The result of this simulation, comparing with computing only one ARM core, the operations of Viterbi improved as fast as 4.5 times. And the operations of complex floating point improved as fast as twice. The operations of IEEE802.11a are 3 times faster, and the operations of IEEE802.11b are 1.5 times faster.
Here, the surface characteristics of the dielectric were controlled by introducing the self-assembled monolayers (SAMs) as the intermediate layers on the surface of the AlOx dielectric, and the electrical performances of the organic charge modulated transistor (OCMFET) were significantly improved. The organic intermediate layer was applied to control the surface energy of the AlOx gate dielectric acting as a capacitor plate between the control gate (CG) and the floating gate (FG). By applying the intermediate layers on the gate dielectric surface, and the field-effect mobility (μOCMFET) of the OCMFET devices could be efficiently controlled. We used the four kinds of SAM materials, octadecylphosphonic acid (ODPA), butylphosphonic acid (BPA), (3-bromopropyl)phosphonic acid (BPPA), and (3-aminopropyl)phosphonic acid (APPA), and each μOCMFET was measured at 0.73, 0.41, 0.34, and 0.15 cm2V-1s-1, respectively. The results could be suggested that the characteristics of each organic SAM intermediate layer, such as the length of the alkyl chain and the type of functionalized end-group, can control the electrical performances of OCMFET devices and be supported to find the optimized fabrication conditions, as an efficient sensing platform device.
This study investigates the nitrogen dioxide (NO2) sensing characteristics of an Si MOSFET gas sensor with a tungsten trioxide (WO3) sensing layer deposited using the sputtering method. The Si MOSFET gas sensor consists of a horizontal floating gate (FG) interdigitated with a control gate (CG). The WO3 sensing layer is deposited on the interdigitated CG-FG of a field effect transistor(FET)-type gas sensor platform. The sensing layer is deposited with different thicknesses of the film ranging from 100 nm to 1 ㎛ by changing the deposition times during the sputtering process. The sensing characteristics of the fabricated gas sensor are measured at different NO2 concentrations and operating temperatures. The response of the gas sensor increases as the NO2 concentration and operating temperature increase. However, the gas sensor has an optimal performance at 180℃ considering both response and recovery speed. The response of the gas sensor increases significantly from 24% to 138% as the thickness of the sensing layer increases from 100 nm to 1 ㎛. The sputtered WO3 film consists of a dense part and a porous part. As reported in previous work, the area of the porous part of the film increases as the thickness of the film increases. This increased porous part promotes the reaction of the sensing layer with the NO2 gas. Consequently, the response of the gas sensor increases as the thickness of the sputtered WO3 film increases.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2009.05a
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pp.31.1-31.1
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2009
Carbon nanotubes (CNTs) are attractive material because of their superior electrical, mechanical, and chemical properties. Furthermore, their geometric features such as a large aspect ratio and a small radius of curvature at tip make them ideal for low-voltage field emission devices including backlight units of liquid crystal display, lighting lamps, X-ray source, microwave amplifiers, electron microscopes, etc. In field emission devices for display applications, the phosphor anode is positioned against the CNT emitters. In most case, light generated from the phosphor by electron bombardment passes through the anode front plate to reach observers. However, light is produced in a narrow depth of the surface of the phosphor layer because phosphor particles are big as much as several micrometers, which means that it is necessary to transmit through the phosphor layer. Hence, a drop of light intensity is unavoidable during this process. In this study, we fabricated a transparent cathode back plate by depositing an ultra-thin film of single walled CNTs (SWCNTs) on an indium tin oxide (ITO)-coated glass substrate. Two types of phosphor anode plates were employed to our transparent cathode back plate: One is an ITO glass substrate with a phosphor layer and the other is a Cr-coated glass substrate with phosphor layer. For the former case, light was radiated from both the front and the back sides, where luminance on the back was ~30% higher than that on the front in our experiments. For the other case, however, light was emitted only from the cathode back side as the Cr layer on the anode glass rolled as a reflecting mirror, improving the light luminance as much as ~60% compared with that on the front of one. This study seems to be discussed about the morphologies and field emission characteristics of CNT emitters according to the experimental parameters in fabricating the lamps emitting light on the both sides or only on the cathode back side. The experimental procedures are as follows. First, a CNT aqueous solution was prepared by ultrasonically dispersing purified SWCNTs in deionized water with sodium dodecyl sulfate (SDS). A milliliter or even several tens of micro-liters of CNT solution was deposited onto a porous alumina membrane through vacuum filtration. Thereafter, the alumina membrane was solvated with the 3 M NaOH solution and the floating CNT film was easily transferred to an ITO glass substrate. It is required for CNT film to make standing CNTs up to serve as electron emitter through an adhesive roller activation.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.10
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pp.1052-1059
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2003
In this paper, we proposed the directional coupler using two layer microstrip substrate which is improved coupling and isolation. Also, we notified a design method. Modified re-entrant mode coupler is the structure added to the aperture on the ground plane in order to improving the coupling value. And, by adding to slits on the floating conductor, this structure has good performance in isolation, VSWR according to S$\sub$11/, and phase difference. As a result, proposed re-entrant mode microstrip directional coupler has about 1.5 dB more higher coupling and 20 dB more higher isolation than conventional coupler. And because this coupler has good performance in phase difference, it can be used multi-section coupler.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.482-483
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2011
Graphene is a good candidate for the future nano-electronic materials because it has excellent conductivity, mobility, transparency, flexibility and others. Until now, most graphene researches are focused on the nano electronic device applications, however, biological application of graphene has been relatively less reported. We have fabricated a deoxyribonucleic acid (DNA) conjugated graphene field-effect transistor (FET) and measured the electrical transport characteristics. We have used graphene sheets grown on Ni substrates by chemical vapour deposition. The Raman spectra of graphene sheets indicate high quality and only a few number of layers. The synthesized graphene is transferred on top of the substrate with pre-patterned electrodes by the floating-and-scooping method [1]. Then we applied adhesive tapes on the surface of the graphene to define graphene flakes of a few micron sizes near the electrodes. The current-voltage characteristic of the graphene layer before stripping shows linear zero gate bias conductance and no gate operation. After stripping, the zero gate bias conductance of the device is reduced and clear gate operation is observed. The change of FET characteristics before and after stripping is due to the formation of a micron size graphene flake. After combined with 30 base pairs single-stranded poly(dT) DNA molecules, the conductance and gate operation of the graphene flake FETs become slightly smaller than that of the pristine ones. It is considered that DNA is to be stably binding to the graphene layer due to the ${\pi}-{\pi}$ stacking interaction between nucleic bases and the surface of graphene. And this binding can modulate the electrical transport properties of graphene FETs. We also calculate the field-effect mobility of pristine and DNA conjugated graphene FET devices.
Fresh specimens of the aquatic macrophyte, Spirodela polyrhiza, have been examined employing scanning and transmission electron microscopy. Observations revealed the occurrence of microbial colonization during development. Submerged parts of the small, free-floating S. polyrhiza body exhibited a variety of microorganisms such as bacteria, cyanobacteria, and diatoms throughout their development. However, immature and/or young plants normally demonstrated much less microbial colonization compared to mature plants. During the study, heavy colonization by the microorganisms was routinely encountered at maturity, especially in the fully developed abaxial fronds and root caps. The mucilaginous layer was shown along the root caps, and the microorganisms appeared to be either clustered or attached to this layer. In contrast, only moderate degrees of colonization were observed in the root, and little to no colonization was observable in the adaxial frond surface. Transmission electron microscopy clearly demonstrated the microbial colonization to be external in the S. polyrhiza specimen examined in the current study. The association between the microorganisms and S. polyrhiza has been considered non-harmful, as no frond senescence and almost no mechanical penetration of the plant by the microorganisms were noticed during the study.
Electrical soundings and profilings were conducted for mapping the leachate in the region of Nanji - Do Landfill site. The results of electrical surveys conducted in the landfill area show that the basal leachate is formed at the height about 30 m above the mean sea level and that there is abundant floating leachate over the basal leachate. The surveys conducted around the landfill reveal that the groundwater which may be contaminated by the leachate from the landfill flows to the Han River. The top of the basement rock in this area has been severely affected by polluted groundwater. The layer which is thoroughly saturated with leachate in this region has the very low resistivity value below 10 ohm - m and this low resistivity value indicates that the groundwater and geology are severely contaminated by the leachate and wastes of the landfill.
Adhesion strength of single layer ceramic capacitor sheet was measured using a peel testing system developed in this study. The peel test specimens with various dimensions were prepared from the ceramic sheet cast on the PET film. In peel test, the sheet specimen was adhered on the glass jig floating on the liquid media, which was designed to minimize the friction, and the specimen was then pulled up by micro-actuator. During the separation of the sheet from the PET film, peel force was measured. To normalize the testing condition, 3 different widths of the specimen were selected: 5, 10 and 20 mm. was used Furthermore, testing speed effect was investigated in this study. From the resullts using various testing conditions, the standard method for the peel strength testing may be suggested. Based on the testing condition, effect of peel angle on the strength was experimentally examined. It was found that the adhesive strength for the ceramic sheet is nearly identical, irrespective of the specimen width ranged from 5 to 20 mm, while the adhesive strength was increased with increasing testing speed. Furthermore, the strength was shown to be dependent on the peel angle.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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