• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권2호
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• pp.286-291
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• 2015

For highly scalable NAND flash memory applications, a compact ($4F^2/cell$) nonvolatile memory architecture is proposed and investigated via three-dimensional device simulations. The back-channel program/erase is conducted independently from the front-channel read operation as information is stored in the form of charge at the backside of the channel, and hence, read disturbance is avoided. The memory cell structure is essentially equivalent to that of the fully-depleted transistor, which allows a high cell read current and a steep subthreshold slope, to enable lower voltage operation in comparison with conventional NAND flash devices. To minimize memory cell disturbance during programming, a charge depletion method using appropriate biasing of a buried back-gate line that runs parallel to the bit line is introduced. This design is a new candidate for scaling NAND flash memory to sub-20 nm lateral dimensions.

• 한국분무공학회지
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• 제3권2호
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• pp.24-33
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• 1998

The characteristics of liquefied butane spray are expected to be different from conventional diesel fuel spray, because a kind of flash boiling spray is expected when the back pressure is below the saturation vapor pressure of the butane(0.23MPa at $25^{\circ}C$). An accumulator type pintle injector and its fuel delivery system has been simulated in ruder to give injection pressure, needle lift and rate of fuel injected. The governing equation were solved by finite difference metho. The injection duration was controlled by solenoid valve. Spray behaviors such as a transient spray tip penetration, spray angle and SMD were calculated based on the empirical correlations in case that the back pressure is both above the vapor pressure of the butane and below that of butane. When the back preassure is below the vapor pressure of the fuel, conventional correlation is modified to represent the effect of flash boiling.

• 한국항행학회논문지
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• 제15권5호
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• pp.801-807
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• 2011

본 대부분의 기업들은 업무 프로세스가 전산화되어 있기 때문에 전산장애나 재해로 인해 시스템이 다운되면 기업의 신뢰성과 사업의 연속성에 치명적인 악영향을 미칠 수 있다. 이에 따라 기업에서는 데이터 손실이 없는 비즈니스 연속성에 대한 관심이 고도화되는 실정이다. 본 논문에서는 시스템 장애를 물리적 장애와 논리적 장애로 분리하여 정의하고 실시간 데이터백업에 필요한 IOPS 성능을 개선하기 위한 Flash SSD를 이용하는 CDP 시스템을 제안하였다. Flash SSD를 사용한 CDP의 IOPS 성능을 측정하기 위하여 실험 시스템을 구성하고, 블록크기의 변화에 따른 IOPS를 실험한 결과, Flash SSD를 이용한 CDP 시스템의 IOPS 성능이 S-ATA에 비해 약 50배 향상되는 것으로 확인하였다.

• 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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• 한국전산유체공학회 2008년도 12th Asian Congress of Fluid Mechanics
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• pp.48.2-48.2
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• 2008

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.452-454
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• 2001

This paper described the calculation results of lightning flashover rate on the 345kV and 154kV transmission system of KEPCO. The back-flashover rate and shielding failure rate was calculated by FLASH(lightning flashover rate calculation program from IEEE) and KEPRI's own program which is based on the EGM(Electro Geometrical Model) method. The estimated lightning flashover late of 345kV transmission system of double circuit was 1.0 flash per 100km-year, and the lightning flashover rate of 154kV transmission line was 2.0 flash Per 100km-year approximately.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제16권9호
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• pp.898-903
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• 2010

Google의 Android phone이나 Apple의 iPhone과 같은 스마트폰들이 대중화됨에 따라, 플래시 메모리용 고성능 고신뢰 파일시스템에 대한 필요성이 증가되고 있다. 본 논문에서는 YAFFS(Yet Another Flash File System)의 성능 개선 및 신뢰성 향상을 위한 기법을 제안한다. 구체적으로, 파일시스템의 마운트 시간 단축 및 성능 향상을 위해 메타데이터와 유저 데이터의 분리 할당 기법을 도입하였으며, 유저 데이터의 인덱싱 정보를 메타데이터에 추가하였다. 또한 신뢰도 향상을 위해 메타 데이터 블록과 유저 데이터 블록에 대한 마모도 평준화 기법을 도입하였다. 제안된 기법은 1GB의 NAND 플래시 메모리를 가지는 시스템에서 실제 구현되었다. 실험을 통해 제안된 기법이 기존 YAFFS에 비해 6배의 마운트 시간감소와 약 4배의 벤치마크 성능 향상 그리고, 평균 14%의 삭제 횟수 감소 및 마모도 평준화의 효과가 있음을 보인다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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• pp.773-774
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• 2012

• 전기의세계
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• 제29권1호
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• pp.65-72
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• 1980

Arstrong-Whitehead theory on effective shielding and shielding failure is extended so that it is applicable to vertical line configuration the existing approaches on back-flash rate calculation are summerized and compared in particular on Model Line, and the usefulness of the whitehead approach is suggested.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.1983-1993
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• 1993

본 논문에서는 full-flash A/D 변환기에서 전력소모를 줄이는 방법과 그의 회로를 제안하였다. Full-flash A/D 변환기에서 해상도가 증가하면 전압비교기의 수는 지수함수적으로 증가하며 모든 전압비교기가 항상 동작하여 전력 소모가 많으므로 제안하는 구조에서는 입력 신호의 크기에 까라 그 영역에 해당하는 위치에 있는 전압비교기를 선택적으로 켜줌으로써 전력 소모를 줄인다. 입력 신호의 크기를 판별하기 위하여 입력 신호의 범위를 찾는 회로를 설계하였다. 클리치 잡음을 줄일 수 있는 클럭 발생회로를 설계하여 사용함으로써 전압 비교기의 전류원에서 발생하는 잡음을 일반적인 클럭을 사용했을 때와 비교하여 1/4로 줄였다. 설계한 A/D 변환기는 out-off 주파수가 5GHz 인 1.2 m의 BiCMOS 공정으로 제작하였다. 이는 350Msamples /s의 변환 속도를 가지며 소모 전력은 900mW이다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권3호
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• pp.118-123
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• 2020

In this paper, the design method of asynchronous nonvolatile memory module that can efficiently process and store large amounts of data without loss when the power turned off is proposed and implemented. PSRAM, which takes advantage of DRAM and SRAM, was used for data processing, and NAND flash memory was used for data storage and backup. The problem of a lot of signal interference due to the characteristics of memory devices was solved through PCB design using high-density integration technology. In addition, a boost circuit using the super capacitor of 0.47F was designed to supply sufficient power to the system during the time to back up data when the power is off. As a result, an asynchronous nonvolatile memory module was designed and implemented that guarantees reliability and stability and can semi-permanently store data for about 10 years. The proposed method solved the problem of frequent data loss in industrial sites and presented the possibility of commercialization by providing convenience to users and managers.