• 대한임베디드공학회논문지
• /
• 제18권1호
• /
• pp.31-40
• /
• 2023

Recent advances in flash technologies, such as 3D processing and multileveling schemes, have successfully increased the flash capacity. Unfortunately, these technology advances significantly degrade flash's reliability due to a smaller cell geometry and a finer-grained cell state control. In this paper, we propose an asymmetric BER-aware reliability optimization technique (aBARO), new flash optimization that improves the flash reliability. To this end, we first reveal that bit errors of 3D NAND flash memory are highly skewed among flash cell states. The proposed aBARO exploits the unique per-state error model in flash cell states by selecting the most error-prone flash states and by forming narrow threshold voltage distributions (for the selected states only). Furthermore, aBARO is applied only when the program time (tPROG) gets shorter when a flash cell becomes aging, thereby keeping the program latency of storage systems unchanged. Our experimental results with real 3D MLC and TLC flash devices show that aBARO can effectively improve flash reliability by mitigating a significant number of bit errors. In addition, aBARO can also reduce the read latency by 40%, on average, by suppressing the read retries.

• 융합신호처리학회논문지
• /
• 제8권3호
• /
• pp.205-210
• /
• 2007

본 논문에서는 고속으로 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하기 위한 Flash A/D 변환기를 설계하였다. 해상도는 6-Bit로 설계하였으며, Flash A/D 변환기의 단점인 전력손실과 칩의 면적을 줄이기 위하여 CMOS 트랜지스터의 원리인 Threshold Inverter Quantization(TIQ) 구조를 이용하였다. TIQ로 동작시키기 위한 CMOS 트랜지스터 크기는 HSPICE의 반복적인 시뮬레이션 결과로 결정하였다. Flash A/D 변환기의 변환속도를 낮추는 Encoder 부분은 ROM이나 PLA 구조를 이용하지 않고 속도와 소비전력에서 우수하지만 설계과정이 복잡한 Fat Tree Encoder를 사용하였다. 제조공정은 Magna 0.18um CMOS에 Full Custom 방식으로 설계하였다. 시뮬레이션 결과 1.8 V 전원전압에 최대소비전력은 38.43 mW이며 동작속도는 2.7 GSPS를 얻을 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제25권4호
• /
• pp.778-781
• /
• 2021

본 논문에서는 SPICE를 사용한 16단 3D NAND Flash memory compact modeling을 제안한다. 동일한 structure와 simulation 조건에서 Down Coupling Phenomenon(DCP)과 Natural Local Self Boosting(NLSB)에 대한 channel potential을 Technology Computer Aided Design(TCAD) tool Atlas(Silvaco^TM)와 SPICE로 simulation하고 분석했다. 그 결과 두 현상에 대한 TCAD와 SPICE의 channel potential이 매우 유사한 것을 확인할 수 있었다. SPICE는 netlist를 통해 소자 structure를 직관적으로 확인할 수 있다. 또한, simulation 시간이 TCAD에 비해 짧게 소요된다. 그러므로 SPICE를 이용하여 3D NAND Flash memory의 효율적인 연구를 기대할 수 있다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제14권5호
• /
• pp.537-542
• /
• 2014

The three-dimensional (3-D) NAND flash structure with fully charge storage using edge fringing field effect is presented, and its programming characteristic is evaluated. We successfully confirmed that this structure using fringing field effect provides good program characteristics showing sufficient threshold voltage ($V_T$) margin by technology computer-aided design (TCAD) simulation. From the simulation results, we expect that program speed characteristics of proposed structure have competitive compared to other 3D NAND flash structure. Moreover, it is estimated that this structural feature using edge fringing field effect gives better design scalability compared to the conventional 3D NAND flash structures by scaling of the hole size for the vertical channel. As a result, the proposed structure is one of the candidates of Terabit 3D vertical NAND flash cell with lower bit cost and design scalability.

• 전자공학회논문지
• /
• 제53권7호
• /
• pp.17-26
• /
• 2016

본 논문에서는 무선 통신 시스템 및 휴대용 비디오 처리 시스템과 같은 다양한 시스템 반도체 응용을 위한 12비트 60MS/s 0.18um CMOS Flash-SAR ADC를 제안한다. 제안하는 Flash-SAR ADC는 고속으로 동작하는 flash ADC의 장점을 이용하여 우선 상위 4비트를 결정한 후, 적은 전력 소모를 갖는 SAR ADC의 장점을 이용하여 하위 9비트를 결정함으로써 해상도가 증가함에 따라 동작 속도가 제한이 되는 전형적인 SAR ADC의 문제를 줄였다. 제안하는 ADC는 전형적인 Flash-SAR ADC에서 고속 동작 시 제한이 되는 입력 단 트랙-앤-홀드 회로를 사용하지 않는 대신 SAR ADC의 C-R DAC를 단일 샘플링-네트워크로 사용하여 입력 샘플링 부정합 문제를 제거하였다. 한편, flash ADC에는 인터폴레이션 기법을 적용하여 사용되는 프리앰프의 수를 절반 수준으로 줄이는 동시에 SAR 동작 시 flash ADC에서 불필요하게 소모되는 전력을 최소화하기 위해 스위치 기반의 바이어스 전력 최소화 기법을 적용하였다. 또한 고속 동작을 위해 SAR 논리회로는 TSPC 기반의 D 플립플롭으로 구성하여 범용 D 플립플롭 대비 논리회로 게이트 지연시간을 55% 감소시킴과 동시에 사용되는 트랜지스터의 수를 절반 수준으로 줄였다. 시제품 ADC는 0.18um CMOS 공정으로 제작되었으며, 측정된 DNL 및 INL은 12비트 해상도에서 각각 최대 1.33LSB, 1.90LSB이며, 60MS/s 동작 속도에서 동적성능은 최대 58.27dB의 SNDR 및 69.29dB의 SFDR 성능을 보인다. 시제품 ADC의 칩 면적은 $0.54mm^2$이며, 1.8V 전원전압에서 5.4mW의 전력을 소모한다.

• 한국안전학회지
• /
• 제24권2호
• /
• pp.42-47
• /
• 2009

The flash point and the AIT(auto-ignition temperature) are the most important combustible properties used to determine the potential for the fire and explosion hazards of flammable material. In order to know the accuracy of data in MSDS(Material Safety Data Sheet), the flash point of n-acids were measured by using Pensky-Martens closed cup tester(ASTM D93), Setaflash closed cup tester(ASTM D3278), Tag open cup tester(ASTM D1310) and Cleveland open cup tester(ASTM D92). Also, the AIT of n-acids were measured by using ASTM E659-78 tester. The measured the flash points and the AIT were compared with literatures and MSDS in KOSHA. The measured the flash points and the AIT were different from those in literatures and MSDS. Therefore, This paper shows that it is needed to investigate the MSDS compatibility of n-acids for the fire safety objectives.

• 한국가스학회지
• /
• 제13권4호
• /
• pp.40-45
• /
• 2009

MSDS 자료의 적정성을 고찰하기 위해 크실렌 이성질체에 대해 Pensky-Martens 밀폐식(ASTM D93), Setaflash 밀폐식(ASTM D3278), Tag 개방식(ASTM D1310), Cleveland 개방식(ASTM D92) 장치 등을 이용하여 인화점을 측정하였으며, 또한 최소자연발화온도는 ASTM E659-78장치를 사용하여 측정하고, 문헌값들과 한국산업안전보건공단의 MSDS 자료와 비교하였다. 그 결과, 측정된 인화점과 최소자연발화온도는 이들과 차이를 나타내어 안전의 목적을 위해 연소특성치 고찰이 필요함을 알 수 있었다.

• 한국군사과학기술학회지
• /
• 제17권5호
• /
• pp.585-590
• /
• 2014

A permanent vertical magnetization should be obtained to counteract induced vertical magnetization due to the earth's background field during the Flash D demagnetization process. A vertical susceptibility is needed to calculate a extra-permanent magnetization, which is needed to control the permanent vertical magnetization in stage 2 of Flash D demagnetization and added to the final vertical permanent magnetization. Two susceptibilities were found in this paper. One is obtained from the extra-magnetization. The other is obtained by magnetic field measurement from the scaled physical vessel when the vessel is excited by vertical magnetic field. The initial susceptibility by the extra-magnetization was 0.101~0.109 and the one from the measured magnetic field was 0.122. Two susceptibilities have a good agreement each other. From this paper, it is found that the susceptibility is able to appllied to calculate the extr-magnetization.

• 한국방재학회 논문집
• /
• 제10권4호
• /
• pp.81-88
• /
• 2010

최근 들어 기상 이변에 따라 단시간 동안에 특정 소유역에 집중하는 호우 또는 초과우량에 의한 국지성 돌발홍수가 빈번히 발생함에 따라, 이로 인한 인명과 재산의 상당한 위험과 손실은 전 세계적인 것으로서 우리나라도 증가일로에 있다. 돌발홍수는 일반적으로 급경사 소유역에서 집중적인 강우에 의해 발생하여 빠른 유출과 토석류를 동반하기 때문에, 홍수피해를 대비하기 위한 사전 홍수예보시간이 부족할 정도로 급격히 빠른 홍수의 특성을 보인다. 본 연구의 목적은 대상유역의 확률강우량으로부터 돌발홍수지수(flash flood index, FFI)를 산정하여 돌발홍수의 심각성 정도를 정량적으로 분석하고자 한다. 특히 미계측 유역하천에서의 지역 홍수예 경보를 위한 기초자료를 제공할 수 있도록, 대상유역에 대하여 상대적인 돌발홍수심도를 제시할 수 있는 FFI-D-F(돌발홍수지수-지속시간-빈도) 관계곡선을 개발하였다. 또한 FFI-D-F 관계곡선은 현존 및 계획 방재시설물의 돌발홍수 대응능력 및 잔여홍수위험 평가에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제14권5호
• /
• pp.566-571
• /
• 2014

Channel-stacked 3D NAND flash memory is very promising candidate for the next-generation NAND flash memory. However, there is an inherent issue on cell size variation between stacked channels due to the declined etch slope. In this paper, the effect of the cell variation on the incremental step pulse programming (ISPP) characteristics is studied with 3D TCAD simulation. The ISPP slope degradation of elliptical channel is investigated. To solve that problem, a new programming method is proposed, and we can alleviate the $V_T$ variation among cells and reduce the total programming time.