• 제목/요약/키워드: Film Defect Detection

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초미세 패턴 칩-온-필름을 위한 자동 결함 검출 시스템 개발 (Automatic Defect Detection System for Ultra Fine Pattern Chip-on-Film)

  • 류지열;노석호
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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    • pp.775-778
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    • 2010
  • 본 논문에서는 초미세 패턴($24{\mu}m$ 이하의 선폭, $30{\mu}m$ 이하의 피치)을 가진 칩-온-필름(Chip-on-Film, COF)에 발생한 결함을 자동으로 검출할 수 있는 시스템을 제안한다. 개발된 시스템은 COF 패턴으로부터 대표적으로 발생하는 결함들, 즉 개방(open), 단락(hard short), mouse bite(near open) 및 near short(soft short)을 자동으로 신속히 검출할 수 있는 기술이 적용되어 있다. 특히 초미세 패턴의 경우, near open 및 near short과 같은 결함 검출이 불가능한 기존 검출시스템의 문제점을 극복한 기술이 제안되어 있다. 본 논문에서 제안하는 결함 검출 원리는 미세 선의 결함유무에 따른 저항 변화를 자동으로 검출하고, 그 미세한 변화를 좀 더 자세하게 판별하기 위해 고주파 공진기(resonator)를 적용하고 있다. 제안된 시스템은 미세 패턴을 가진 COF 제작 과정에서 발생한 결함을 신속히 검출할 수 있기 때문에 COF 불량 검사에 소요되는 많은 경비를 줄일 수 있으리라 기대한다.

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TFT-LCD 셀 영상에서 주기적인 셀 패턴 제거 기반 결함검출 (Defect detection based on periodic cell pattern elimination in TFT-LCD cell images)

  • 정영탁;이승민;박길흠
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제41권3호
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    • pp.251-257
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    • 2017
  • 본 논문에서는 TFT-LCD 셀 영상에서 퓨리에 변환을 이용한 주기적인 셀 패턴 제거에 기반한 결함검출 방법을 제안한다. 셀 영상은 결함검출을 어렵게 하는 주기적인 셀 패턴을 포함하므로 패턴 제거가 중요하다. 먼저 셀 영상에 대해 퓨리에 변환을 이용하여 스펙트럼을 구하고, 스펙트럼에서 큰 값의 계수는 셀 패턴에 관련된 계수이므로 적응적 필터를 이용하여 큰 값의 계수를 제거한다. 그리고 필터링된 스펙트럼을 역 퓨리에 변환을 이용하여 셀 패턴이 제거된 영상을 얻는다. 다음으로 셀 패턴이 제거된 영상에서 STD 방법으로 결함을 검출한다. TFT-LCD 셀 영상에 대해 제안 방법의 타당성을 검증한 결과, 제안 방법이 우수한 결함검출 성능을 가짐을 확인하였다.

디지털영상을 이용한 치근이개부 실험병소의 판독능에 관한 연구 (An experimental study on the readability of digital images in the furcal bone defects)

  • 강형욱;황의환;이상래
    • Imaging Science in Dentistry
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    • 제33권2호
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    • pp.71-77
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    • 2003
  • Purpose : To evaluate and compare the efficacy of digital radiographic images in the detection of bone loss at the bifurcation area of the mandibular first molar with traditional film-based periapical radiographs, Materials and Methods : One dried human mandible with minimal periodontal bone loss around the first molar was selected and an artificial alveolar bone defect at the bifurcation area was serially prepared over 18 steps. Images were taken using a direct CCD-based system and with F-speed periapical films. The images were evaluated by seven interpreters (3 radiologists, 3 periodontologists, and 1 general dentist) using a 5-point confidence rating scale. Results : The readability of both periapical radiographs and digital image increased as the size of the artificial lesion and exposure time increased (p < 0.05). Periapical radiographs offered greater readability of smaller bone defects than digital images, and the coefficient of variation of mean score between periapical radiographs and digital images showed a significant difference. Conclusion : The experimental results indicate that a significant difference in the coefficient of variation of mean score exists between periapical radiographs and digital images, and that traditional film-based periapical images offer greater readability of smaller bone defects than digital images can presently offer.

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Characterization of carrier transport and trapping in semiconductor films during plasma processing

  • Nunomura, Shota;Sakata, Isao;Matsubara, Koji
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.391-391
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    • 2016
  • The carrier transport is a key factor that determines the device performances of semiconductor devices such as solar cells and transistors [1]. Particularly, devices composed of in amorphous semiconductors, the transport is often restricted by carrier trapping, associated with various defects. So far, the trapping has been studied for as-grown films at room temperature; however it has not been studied during growth under plasma processing. Here, we demonstrate the detection of trapped carriers in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films during plasma processing, and discuss the carrier trapping and defect kinetics. Using an optically pump-probe technique, we detected the trapped carriers (electrons) in an a-Si:H films during growth by a hydrogen diluted silane discharge [2]. A device-grade intrinsic a-Si:H film growing on a glass substrate was illuminated with pump and probe light. The pump induced the photocurrent, whereas the pulsed probe induced an increment in the photocurrent. The photocurrent and its increment were separately measured using a lock-in technique. Because the increment in the photocurrent originates from emission of trapped carriers, and therefore the trapped carrier density was determined from this increment under the assumption of carrier generation and recombination dynamics [2]. We found that the trapped carrier density in device grade intrinsic a-Si:H was the order of 1e17 to 1e18 cm-3. It was highly dependent on the growth conditions, particularly on the growth temperature. At 473K, the trapped carrier density was minimized. Interestingly, the detected trapped carriers were homogeneously distributed in the direction of film growth, and they were decreased once the film growth was terminated by turning off the discharge.

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다결정 실리콘 박막으로 구성된 Metal-Semiconductor-Metal 광검출기의 제조 (Metal-Semiconductor-Metal Photodetector Fabricated on Thin Polysilicon Film)

  • 이재성;최경근
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제30권5호
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    • pp.276-283
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    • 2017
  • A polysilicon-based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector was fabricated by means of our new methods. Its photoresponse characteristics were analyzed to see if it could be applied to a sensor system. The processes on which this study focused were an alloy-annealing process to form metal-polysilicon contacts, a post-annealing process for better light absorption of as-deposited polysilicon, and a passivation process for lowering defect density in polysilicon. When the alloy annealing was achieved at about $400^{\circ}C$, metal-polysilicon Schottky contacts sustained a stable potential barrier, decreasing the dark current. For better surface morphology of polysilicon, rapid thermal annealing (RTA) or furnace annealing at around $900^{\circ}C$ was suitable as a post-annealing process, because it supplied polysilicon layers with a smoother surface and a proper grain size for photon absorption. For the passivation of defects in polysilicon, hydrogen-ion implantation was chosen, because it is easy to implant hydrogen into the polysilicon. MSM photodetectors based on the suggested processes showed a higher sensitivity for photocurrent detection and a stable Schottky contact barrier to lower the dark current and are therefore applicable to sensor systems.

인공지능 기반 조선해양 용접 품질 정보 관리 및 결함 검사 플랫폼 개발 (A Development of Welding Information Management and Defect Inspection Platform based on Artificial Intelligent for Shipbuilding and Maritime Industry)

  • 황훈규;김배성;우윤태;윤영욱;신성철;오상진
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제25권2호
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    • pp.193-201
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    • 2021
  • 용접은 선박 및 해양플랜트의 생산 및 건조에 있어 매우 높은 비중을 차지하는 작업이다. 용접부의 품질 검증을 위해 비파괴 검사를 수행하는데, 우리나라에서는 주로 방사선투과검사(RT)를 활용한다. 현재 대부분의 조선소에서는 용접부의 촬영을 통해 얻어진 필름을 인화하여 검사에 활용하는 아날로그 형태를 채택하고 있다. 이에 방사선 촬영에서부터 합부 판정까지 소요시간이 길고 복잡하며, 관련 분야의 자격을 보유한 검사자에 의해 수작업으로 진행되고 있는 실정이다. 본 논문에서는 이러한 문제를 개선하기 위해 조선소에서 발생하고 있는 RT 필름을 고해상도로 스캔하여 디지털화한 후, 관리 서버에 축적하고, 인공지능 기술을 적용하여 용접 결함을 판독하기 위한 플랫폼에 관한 내용을 다룬다. 이를 위한 일련의 요소인 아날로그 RT 필름 스캔장비, 용접 검사 정보 통합 관리 플랫폼, 결함 판독 알고리즘, 시각화 소프트웨어 등을 설계 및 개발하고, 개발한 각 요소를 상호 연계하여 테스트 및 검증하는 과정에 관하여 기술한다.