• 한국항행학회논문지
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• 제13권6호
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• pp.838-845
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• 2009

유전체 기판을 대신하여 안테나 기판으로 사용되어질 다양한 유전율과 투자율을 가지는 자성유전체를 얻기 위하여 유전체 재료로는 실리콘 레진과 에폭시 레진을 그리고 자성재료로는 카보닐 아이언, 바륨 및 스트론튬을 사용하여 다양한 합성물로 제조하였고, 이러한 자성유전체들의 비유전율 및 비투자율을 HP4291B 임피던스 분석기를 사용하여 측정하였다. 본 논문에서 필름형태로 제조된 자성유전체를 안테나 기판으로 사용했을 때 공진주파수, 임피던스 대역폭과 같은 안테나 특성 변화의 차이점을 유전체 기판 사용과 비교하여 알아보기 위해 측정된 비유전율 및 비투자율에 근거하여 IFA형태의 미앤더 모노폴 안테나 설계 및 제작을 하였고, 모의실험 결과 및 측정 결과를 제시하였다. 본 논문에서는 이러한 결과를 토대로 자성재료의 종류 선택 및 자성재료와 유전체 재료의 혼합비 변화에 따른 자성유전체의 특성 변화들을 논의한다.

• 한국진공학회지
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• 제8권1호
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• pp.75-82
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• 1999

내부 삽입형 유도결합 플라즈마를 이온화원으로 하는 I-PVD장치를 이용하여 박막을 형성하는데 중요한 요소의 하나가 이온의 입사에너지이며, 이는 플라즈마 전위와 기판 전위의 차이에 의해서 결정된다. 이를 감소시킬 목적으로 안테나 여기 주파수를 4MHz의 중간주파수에서, 안테나의 정합 회로를 변형형, 부동형의 2가지로 변화시키고, 부동형에서는 바이어스 저항의 값을 가변시켰다. 그 결과 Ar 플라즈마에서 4MHz RF 전력 600 W에서 5 mTorr에서 30 mTorr의 넓은 압력 범위에서 5V 미만의 낮은 평균 플라즈마 전위와 60V의 안테나 전압을 얻었다. 또한 출력측에 설치한 RLC회로의 조절을 통해서 RF전력 500 W에서 RF 입력 및 출력단의 Rf 안테나 유기 전압을 50V의 아주 낮은 값으로 유지시킬 수 있었다. 이때의 안테나 및 플라즈마의 총 임피던스는 약 10$\Omega$이었으며, 리액턴스를 0.05$\Omega$수준으로 유지하였을 때 가장 낮은 전압을 얻었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제34권12B호
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• pp.1452-1458
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• 2009

본 논문에서는 다기능 복합 카드용 극초단파(UHF) 대역 소형 태그 안테나를 제안하였다. 현재 일반적으로 HF 대역 태그와 UHF 대역 태그가 장착된 듀얼 카드가 사용되고 있다. 본 논문에서는 기존 듀얼 카드에 지문인식 시스템이 탑재됨으로써 발생하는 공간상 제약 및 주변 도체로 인한 RFID 태그 인식거리 성능 저하를 최소화한 다기능 복합 카드용 극초단파 대역 RFID 소형 태그 안테나를 제안하였다. 제안된 극초단파 대역 RFID 소형 태그 안테나는 HF 태그 및 지문인식 시스템이 탑재된 제한된 공간에 적용 가능한 다기능 복합 카드용이며 테이퍼트, 미앤더 라인 및 루프 구조를 변형시킴으로써 소형화 및 태그 칩 매칭을 가능하게 하였다. 제안된 소형 태그 안테나는 카드 재질 특성 및 주변 회로를 감안하여 설계하였으며 작은 크기($50{\times}15\;mm^2$)로 PET필름에 제작 되었다. RFID 소형 태그 측정 방법은 무반사실에서 EPCglobal Static Test 장비를 이용하여 측정하였으며 기존 사용 중인 듀얼 카드와 차량 내부 및 지갑을 이용해서 다양한 비교 측정을 하였다. 측정 결과 EPCglobal Static Test 결과 인식거리는 3.8 m, 필드테스트 결과 차량 내부에서 최대 인식거리 7.6 m로 양호한 결과를 확인하였으며 제안된 태그 안테나는 지자체에서 주차통제보안시스템에 사용될 예정이다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.492-498
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• 2021

본 논문에서는 액체 소금물을 전도체로써 이용한 평면형 투명 안테나의 구현 가능성을 연구 하였다. 소금물을 이용한 투명 안테나 구현의 가장 큰 이유는 기존 고체 투명전극의 광투과도 indium tin oxide (ITO:> 73%) 또는 multi-layer films (MLF: > 78%) 대비 높은 소금물의 광투과도 (> 95% @ 40 ppt)에 있다. 제안된 다이폴안테나의 양쪽 팔의 소금물 층을 평면형으로 고정하기 위해 투명 아크릴(��r = 2.61, tan�� = 0.01, OTav > 90 %)을 사용하였으며, 소금물의 표면장력을 이용하여 (ASA: 아크릴/소금물/아크릴) 형태의 평면형 ASA층으로 구현 하였다. 전기적, 광학적으로 ASA 전도체 구조를 분석하기 위해, 표면장력을 통한 평면형 구조 유지 시, 소금물 두께에 따른 면저항과 광투과도를 분석 하였다. 소금물을 이용한 투명 평면형 다이폴 안테나는 UHF(Ultra high frequency) 대역(470-771 MHz)에서 1.72 dBi의 평균 방사이득 및 74 %의 방사효율을 가지며, 향후 소금물을 이용한 평면형 투명안테나로써의 활용 가능성을 확인 하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.75-77
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• 2008

Flexible electronics devices such as plastic display, thin film battery, membrane switch, organic memory for smart card applications will be presented. The performance and power consumption of various display technologies will be compared for OTP requirement in smart cards. Wireless power transmission by RF coupling through an antenna provides a potential power solution to smart cards. Finally, the general trend of smart card future developments will be discussed.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2008년도 추계학술대회A
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• pp.1553-1555
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• 2008

Super-hydrophobic treated Polyimide film was used as a flexible substrate for developing a new method of metallization. Hydrophilic patterns were fabricated by IN irradiation through shadow mask. Patterned super-hydrophobic substrate was dipped into a bath containing silver nano ink Silver ink was only coated on hydrophilic patterned area. Metal lines of $600{\mu}m$ pitch were fabricated successfully. However, their thickness was too thin to serve as interconnection. To overcome this problem, iterative dipping was conducted. After repeating five times, the thickness of silver metal lines were increased to over than $2{\mu}$. After heat treatment of silver lines, their resistivities were reduced to order of $30{\mu}{\Omega}$-cm the similar level of values reported in other literatures. So, a new method of metallization has high potential for application of RFID antenna and flexible electronics substrates.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.15-17
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• 2005

In this study, tunable dielectric materials are important for resonator, variable capacitor, phased array antenna and other devices application. In this paper, Dielectric constant increased and tuning range increased with the increased of $BaSrTiO_3/Li_{2}CO_{3}$ content, which probably can be explained by the substitution of Ba3+, Li1+ on BaTiO3 lattice. The tunability and dielectric loss of the $BaSrTiO_2/Li_{2}CO_{3}$ thick film, sintered at $1150^{\circ}C$, were about 43 % and 0.234 at 10$\sim$15 MHz, respectively. In case of BaSrTi/MgO, Dielectric constant decreased and tenability increased with the added of $BaSrTiO_3/MgO$. The ferroelectrics properties were distinct when adding Li to BST ceramic thick film, and paraelectrics pattern was distinct when adding Mg.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.306-306
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• 2010

A high density (> $10^{11}\;cm^{-3}$) and low electron temperature (< 2 eV) plasma is produced by using a conventional HF (13.56 MHz) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with an additional ultra high frequency (UHF, 314 MHz) plasma source utilizing two parallel antenna assembly. It is applied for the high rate synthesis of high quality nanocrystalline silicon (nc-Si) films. A high deposition rate of 1.8 nm/s is achieved with a high crystallinity (< 70%), a low spin density (< $3{\times}10^{16}\;cm^{-3}$) and a high light soaking stability (< 1.5). Optical emission spectroscopy measurements reveal emission intensity of $Si^*$ and $SiH^*$, intensity ratio of $H{\alpha}/Si^*$ and $H{\alpha}/SiH^*$ which are closely related to film deposition rate and film crystallinity, respectively. A high flux of precursor and atomic hydrogen which are produced by an additional high excitation frequency is effective for the fast deposition of highly crystallized nc-Si films without additional defects.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제1권2호
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• pp.12-17
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• 2000

Helicon waves were excited by a Nagoya type III antenna in magnetized plasma, and hydrogen and methane are fed through a Mass Flow Controller(MFC). We made a diagnosis of properties of helicon plasma by H$_2$gaseous discharge, and fabricated the diamond thin film. The maximum measured electron density was 1${\times}$10$\^$10/ cm$\^$-3/. Diamond films have been growo on (100) silicon substrate using the helicon plasma chemical vapor deposition. Diamond films were deposited at a pressure of 0.1 Torr, deposition time of 40~80 h, a substrate temperature of 700$^{\circ}C$ and methane concentrations of 0.5~2.5%. The growth characteristics were investigated by means of X-ray Photoelectron (XPS) and X-ray Diffraction(XRD), XRD and XPS analysis revealed that SiC was formed, and finally diamond particles were definitely deposited on it. With increasing deposition time, the thickness and crystallization of the daimond thin film increased, For this system the optimum condition of methane concentration was estimated to near to 1.5%.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.877-880
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• 2009

A curing process in post-printing section of R2R process is required for an electrical property of the printed pattern when devices such as RFID, Solar cell are printed. PEN as well as heat-stabilized PET which is used as a plastic substrate would be deformed at high temperature due to change of its elastic modulus. And crack in the printed pattern, which is on the plastic substrate is occurred due to the deformation of the substrate. The occurrence of crack causes electrical resistance to increase and the quality of the device to deteriorate. In case of RFID antenna, the range of reading distance is shortened as the electrical resistance of the antenna is increased. Therefore, the deformation of the plastic substrate, which causes the occurrence of crack, should be minimized by setting up low operating tension in R2R process. In low tension, slippage between a moving substrate and a roller would be generated when the operating speed is increased. And scratch would be occurred when slippage is generated due to an air entrainment, which is related to the thickness of the air film. The thickness of the air film is increased when operating speed is increased as shown by simulation based on mathematical model. The occurrence of scratch in conductive pattern printed by roll to roll process is a critical damage because it causes degradation or failure of electrical property of it.