Thermal effect has great influence on wellbore stability in Dongfang 1-1 (DF 1-1) gas field, a reservoir with high-temperature and high-pressure. In order to analyze the wellbore stability in DF1-1 gas field, the variation of temperature field after drilling was analyzed. In addition, the effect of temperature changing on formation strength and the thermal expansion coefficients of formation were tested. On this basis, a wellbore stability model considering thermal effect was developed and the thermal effect on fracture pressure and collapse pressure was analyzed. One of the main challenges in this gas field is the decreasing temperature of the wellbore will reduce fracture pressure substantially, resulting in the drilling fluid leakage. If the drilling fluid density was reduced, kick or blowout may happen. Therefore, the key of safe drilling in DF1-1 gas field is to predict the fracture pressure accurately.
The organic field-effect transistors with step-edge structure were fabricated. Source and drain electrodes were obliquely deposited by vacuum evaporation. The step-edge of the gate electrode serve as a shadow mask, and the short channel is formed at the step-edge. The excellent device performances were obtained.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.6
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pp.867-872
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2016
We have investigated the channel mobility of AlGaN/GaN-on-Si recessed-metal-oxide-semiconductor-heterojunction field-effect transistors (recessed-MOS-HFET) with $SiO_2$ gate oxide. Both field-effect mobility and effective mobility for the recessed-MOS channel region were extracted as a function of the effective transverse electric field. The maximum field effect mobility was $380cm^2/V{\cdot}s$ near the threshold voltage. The effective channel mobility at the on-state bias condition was $115cm^2/V{\cdot}s$ at which the effective transverse electric field was 340 kV/cm. The influence of the recessed-MOS region on the overall channel mobility of AlGaN/GaN recessed-MOS-HFETs was also investigated.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.14
no.5
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pp.537-542
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2014
The three-dimensional (3-D) NAND flash structure with fully charge storage using edge fringing field effect is presented, and its programming characteristic is evaluated. We successfully confirmed that this structure using fringing field effect provides good program characteristics showing sufficient threshold voltage ($V_T$) margin by technology computer-aided design (TCAD) simulation. From the simulation results, we expect that program speed characteristics of proposed structure have competitive compared to other 3D NAND flash structure. Moreover, it is estimated that this structural feature using edge fringing field effect gives better design scalability compared to the conventional 3D NAND flash structures by scaling of the hole size for the vertical channel. As a result, the proposed structure is one of the candidates of Terabit 3D vertical NAND flash cell with lower bit cost and design scalability.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.23
no.1
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pp.25-32
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1999
In the present paper, we theoretically analyze the flow of magnetic fluids in a circular pipe with a vertical magnetic field and investigate the magnetic response by the external magnetic field. Theoretical study through the governing equation derived by Siliomis is carried out with numerical analysis by the Gauss Elimination Method. Using polar and magnetic effect parameters, theoretical equations and distributions for the velocity, vorticity, internal angular momentum and induced magnetization as the magnetic response are shown. Especially, in the region of strong magnetic field the specific property is appeared by finding a critical magnetic effect parameter for a polar effect parameter.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.31A
no.4
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pp.77-83
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1994
In this paper we numerically approximated the field-effect mobility of a-Si:H TFT. Field-effect mobility, based on the charge-trapping model and new effective capacitance model in our study, used Chebyshev approximation was approximated as the function of gate potential(gate-to-channel voltage). Even though various external factors are changed, this formula can be applied by choosing the characteristic coefficients without any change of the approximation formula corresponding to each operation region. Using new approximated field-effect mobility formula, the dependences of field-effect mobility on materials and thickness of gate insulator, thickness of a-Si bulk, and operation temperature in inverted staggered-electrode a-Si:H TFT were estimated. By this was the usefulness of new approximated mobility formula proved.
Journal of international Conference on Electrical Machines and Systems
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v.1
no.3
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pp.330-335
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2012
Brushless doubly-fed machine (BDFM) doesn't use brush and slip ring, and has advantages such as high system reliability, small capacity of its frequency converter, low system cost, adjustable power factor and speed, etc. At the same time, it has good applicable potentials on the variable frequency motors and the variable speed constant frequency generators. However, due to the complicacy and particularity of BDFM in the structure and operating mechanism, the effect of magnetic field modulation directly influences the operating efficiency of BDFM. To study the effect of different cage rotor structures on the magnetic field modulation of BDFM, the rotor magnetomotive force (MMF) of BDFM with cage rotor is studied by the analytical method. The components and features of rotor harmonic MMFs are discussed. At the same time, the method to weaken the higher harmonics is analyzed by the theoretic formulae. Furthermore, the magnetic field modulation mechanism is expounded on in detail and the relationship between the magnetic field modulation effect and the operating efficiency of BDFM is established. And then, a new method for estimating the magnetic field modulation effect is proposed. At last, the magnetic field modulation effects of four BDFM prototypes with different cage rotor structures are compared by the MMF analysis and the efficiency data of electromagnetic design. The results verify the effectiveness of the new method for estimating the magnetic field modulation effect of BDFM with cage rotor.
In this paper, the variation of air-gap field intensity caused by the slot-opening in interior permanent magnet (IPM) motor is investigated, which is for predicting the instantaneous magnetic field more preciously in analytical method further. It is different with the approach of dealing the slot-opening effect on the air-gap field distribution with the "relative permeance" function in surface permanent magnet (SPM) motor. The prediction of the air-gap field in IPM motor is much more complex than SPM motor. In this study, an approximate estimation method is adopted based on analyzing the changing of flux path in both the IPM rotor part and stator part, and in additional an analytical function defined as "relative pole-arc" is built. The finite element method(FEM) is used for confirming the slot-opening effect on the field prediction.
Under certain circumstance, premixed turbulent flame can be treated as wrinkled thin laminar flame and its motion in a hydrodynamic flow field has been investigated by employing G-equation. Past studies on G-equation successfully described certain aspects of laminar flame propagation such as effects of stretch on flame speed. In those studies, flames were regarded as a passive interface that does not influence the flow field. The experimental evidences, however, indicate that flow field can be significantly modified by the propagation of flames through the volume expansion of burned gas. In the present study, a new method to be used with G -equation is described to include the effect of volume expansion in the flame dynamics. The effect of volume expansion on the flow field is approximated by Biot-Savart law. The newly developed model is validated by comparison with existing analytical solutions of G -equation to predict flames propagating in hydrodynamic flow field without volume expansion. To further investigate the influence of volume expansion, present method was applied to initially wrinkled or planar flame propagating in an imposed velocity field and the average flame speed was evaluated from the ratio of flame surface area and projected area of unburned stream channel. It was observed that the initial wrinkling of flame cannot sustain itself without velocity disturbance and wrinkled structure decays into planar flame as the flame propagates. The rate of decay of the structure increased with volume expansion. The asymptotic change in the average burning speed occurs only with disturbed velocity field. Because volume expansion acts directly on the velocity field, the average burning speed is affected at all time when its effect is included. With relatively small temperature ratio of 3, the average flame speed increased 10%. The combined effect of volume expansion and flame stretch is also considered and the result implied that the effect of stretch is independent of volume release.
Lee, Jae Hyung;Shin, Jae Hyeok;Lee, Sang Il;Park, Won Il
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.27
no.1
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pp.9-15
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2020
The 'field-effect' underlies the operation of most conventional electronic devices. However, effective control and implementation of the field-effect in semiconductor devices are limited due to screening of the electric-field by conducting electrodes. Thus far, the electronic devices have necessarily been designed to avoid or minimize the electric-field screening effect. As an alternative approach to this, a new type of conducting electrodes which would be transparent to both visible light and electric-field while being electrically conductive have been developed. Here, we define these electrodes as 'electric-field transparent electrodes' and provide a review on related work. Particular attention is paid to the material selection and design strategies to enhance the electric-field transparency of the electrodes while maintaining good electrical conductivity and optical transparency. We then introduce potential applications of the electric-field transparent electrodes in electronic and optoelectronic devices.
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