• International Journal of Aeronautical and Space Sciences
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• 제17권4호
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• pp.593-603
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• 2016

This paper presents the development of linear quadratic regulation and output tracking algorithms using output feedback when both the measurement and performance output equations contain direct feedthrough terms. Although all physical systems can be modeled without direct feedthrough, there are still many situations where system models with direct feedthrough are important. For this situation, we modify previous work on the same topic for systems without direct feedthrough. It is shown that for the regulation problem, the optimal output feedback gain for a direct feedthrough case can be directly obtained, via a transformation, from the approach used for systems without direct feedthrough. However, for the tracking problem, a new set of coupled matrix equations for determining the optimal output feedback gain is derived from the necessary conditions for minimizing the cost function. The effectiveness of the developed algorithms is demonstrated using numerical examples.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권1호
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• pp.30-34
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• 1997

An improved clock-feedthrough compensation scheme for switche dcurrent system is proposed. Both the signal dependent and the constant clock-feedthrough terms are cancelled by using both NMOS and PMOS current samplers and by adopting a source replication technique. The proposed current memory cell was fabricated with 0.6$\mu$m CMOS process. Both experimental and theoretical results on clock-feedthrough error reveal substantial reduction over the existing compensation schemes.

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
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• 한국지능시스템학회 2008년도 춘계학술대회 학술발표회 논문집
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• pp.247-250
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• 2008

최근 무선통신용 LSI는 배터리 수명과 관련하여, 저전력 동작이 중요시되고 있다. 따라서 Digital CMOS 신호처리와 더불어 동작 가능한 SI (Switched-Current) circuit를 이용하는 Current-mode 신호처리가 주목받고 있다. 그러나 SI circuit의 기본인 Current Memory는 Charge Injection에 의한 Clock Feedthrough라는 문제점을 갖고 있기 때문에, 전류 전달에 있어서 오차를 발생시킨다. 본 논문에서는 Current Memory의 문제점인 Clock Feedthrough의 해결방안으로 CMOS Switch의 연결을 검토하였고, 0.25${\mu}m$ CMOS process에서 Memory MOS와 CMOS Switch의 Width의 관계는 simulation 결과를 통하여 확인하였으며, MOS transistor의 관계를 분명히 하여, 설게의 지침을 제공한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권8호
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• pp.42-45
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• 2002

낮은 전력선 잡음과 피드쓰루 전류를 갖는 저전력 SDRAM 출력 버퍼가 소개된다. 다수의 I/O를 갖는 SDRAM 출력 버퍼에 있어서, 제안된 언더슈트 방지 회로를 통하여, 피드쓰루 전류의 감소뿐 아니라, 전력소모의 감소가 가능하다. 효율적인 피드백 방법을 사용한 풀다운 드라이버를 사용하여, 접지선 잡음을 감소시킬 수 있다. 기존의 회로에 비하여 접지선 잡음은 66.3%, 순간 전력소모는 27.5%, 평균 전력 소모는 11.4% 감소되었다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제34권3호
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• pp.211-217
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• 2002

A 1-MW vacuum feedthrough for the KSTAR ICRF antenna is fabricated and high power RF test is performed. It is designed to have two alumina $(Al_2O_3)$ ceramic cylinders and O-ring seal instead of a brazed seal for good mechanical and thermal strength, which is important in long pulse or steady state operation. For cooling of the ceramics, dry air is circulated in a space between the two cylinders and the outer conductor. Independent cooling water channels are installed to cool the inner conductor of the feedthrough. RF high voltage test is performed using two kinds of ceramics with the purities of 99.7% and 97%. Stable operation is possible with the RF voltage of 30 kVp at long pulse of 300 sec without any severe damage.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.541-542
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• 2011

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.159-164
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• 2016

무선통신시스템은 한정된 에너지를 갖는 배터리를 사용하기 때문에 저전력 회로로 구현되어야 하며, 이를 위하여 주파수와 상관없이 일정한 전력을 나타내는 전류모드 회로가 연구되어왔다. 본 논문에서는 초저전력 동작이 가능하도록 Dynamic Voltage Scaling 전원을 유도하며, 전류모드 신호처리 중 메모리 동작에서 저장된 에너지가 누설되는 Clock-Feedthrough 문제를 최소화하는 전류메모리 회로를 제안한다. $0.35{\mu}m$ 공정의 BSIM3 모델로 Near-threshold 영역의 전원 전압을 사용한 시뮬레이션을 진행한 결과, 1MHz의 스위칭 동작에서 $2{\mu}m$의 메모리 MOS Width, $0.3{\mu}m$의 스위치 MOS Width, $13{\mu}m$의 Dummy MOS Width로 설계할 때, Clock-Feedthrough의 영향을 최소화시킬 수 있었으며 1.2V의 Near-threshold 전원전압에서 소비전력은 $3.7{\mu}W$가 계산되었다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2010년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.475-476
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• 2010

• 한국전자통신학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.79-85
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• 2008

다양한 무선통신 방식이 출현함에 따라 배터리 수명과, 저전력 동작이 중요시되면서 무선 통신용 LSI는 SI circuit을 이용하는 analog current-mode signal processing을 주목하고 있다. 그러나 SI (Switched-Current) circuit을 구성하는 current memory는 clock-feedthrough의 문제점을 갖는다. 본 논문에서는 current memory의 문제점인 clock-feedthrough의 일반적인 해결방안으로 CMOS switch의 연결을 검토하고, current memory 성능 개선의 설계방안을 제안하기 위하여 CMOS switch 간의 width의 관계를 도출하고자 한다. Simulation 결과, memory MOS의 width가 20um, input current와 bias current의 ratio가 0.3, CMOS switch nMOS의 width가 2~6um일 경우에 CMOS switch 간의 width는 $W_{Mp}=5.62W_{Mn}+1.6$의 관계로 정의되고, CMOS switch nMOS의 width가 6~10um일 경우에 CMOS switch 간의 width는 $W_{Mp}=2.05W_{Mn}+23$의 관계로 정의되는 것을 확인하였다. 이 때 정의된 MOS transistor의 관계는 memory MOS의 성능향상을 위한 설계에 유용한 지침이 될 것으로 기대된다.

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
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• 한국퍼지및지능시스템학회 2007년도 춘계학술대회 학술발표 논문집 제17권 제1호
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• pp.485-488
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• 2007

최근 Analog Sampled-Data 신호처리를 위하여 주목되고 있는 SI(Switched-Current) circuit은 저전력 동작을 하는 장점이 있지만, 반면에 SI circuit에서의 기본 회로인 Current Memory는 Charge Injection에 의한 Clock Feedthrough이라는 치명적인 단점을 갖고 있다. 따라서 본 논문에서는 Current Memory의 문제점인 Clock Feedthrough의 일반적인 해결방안으로 Dummy Switch의 연결을 검토하였고, Austria Mikro Systeme(AMS)에서 $0.35{\mu}m$ CMOS process BSIM3 Model로 제작하기 위하여 Current Memory의 Switch MOS와 Dummy Switch MOS의 적절한 Width을 정의하여야 하므로, 그 값을 도출하였다. Simulation 결과, Switch의 Width는 $2{\mu}m$, Dummy Switch의 Width는 $2.35{\mu}m$로 정의될 수 있음을 확인하였다.