• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권12S호
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• pp.1305-1309
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• 2003

To utilize FeCoSiB amorphous films for magnetoelastic sensors, the temperature dependency of magnetization (M-T curve) and the magnetization properties of the amorphous films were investigated in this study. As the amount of cobalt In the films increased, the Curie temperature decreased but the crystallization temperature increased. In addition to this, the crystallization temperature was lower than the Curie temperature in the film containing 20 at% cobalt. The optimized annealing condition was set up by analyzing the H-T curve. And then, the amorphous film that has excellent magnetic properties and uni-axal anisotropy could be prepared for construction of the magnetoelastic sensor devices. The coercive force of the film was below 0.5 Oe and the anisotripic field was about 5 Oe.

• 한국자기학회지
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• 제16권3호
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• pp.186-191
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• 2006

자기터널접합 기반의 MRAM(magnetic random access memory)은 자기저항효과를 응용하는 메모리소자로서 비휘발성과 고속 정보처리가 가능할 뿐만 아니라 고집적화 할 수 있는 차세대 통합형 비휘발성 메모리이다. 그러나 기존의 메모리 소자들에 비해 스위칭 산포가 크고, 기록마진(writing margin)이 확보되지 않아 아직까지는 고집적화가 어려운 실정이다. 최근 포화자화가 낮은 NiFeSiB 및 CoFeSiB과 같은 비정질 강자성체를 자기터널접합의 자유층 재료로 사용하여 스위칭 자기장의 거대화를 크게 감소시켜 MRAM의 기록마진을 높이는 연구결과에 관해 정리하여 보았다. 그리고 이러한 물질을 이용하여 자기터널접합의 재생마진(reading margin)과 관련된 터널자기저항비의 인가전압의존성을 저감시킬 수 있었다. 본고에서는 나노자기소자 기술의 중요한 분야인 MRAM의 기술발전 방향과 연구사례를 소개하고자 한다.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.252-255
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• 1998

본논문은 FeCoCiB계 아몰퍼스 자성박막의 주파수에 따른 자기 임피던스(MI)효과에 관하여 조사한 것이다. 영자왜를 갖는 아몰퍼스 자성박막은 고주파 스파터링법에 의하여 제작하였으며, 자계중 열처리를 행하였다. 제작된 자성박막에 직접 외부자계를 인가했을 때, 자성박막의 양단간의 전압진폭은 120[MHz]에서 약 76.2%의 변화를 보였으며, 임피던스는 2.1%/Oe의 변화가 나타났다. 따라서, 제작한 자성박막은 센서소자로서의 가능성을 갖고 있음을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.389-393
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• 2000

Metalloid의 양이 거의 일정(B, Si 각각 l0 at.% 정도)하게 유지되는 상황에서 FeCoSiB 박막내의 Co함량 증가가 여러 가지 자기적 특성에 미치는 효과, 그리고 열처리 온도와 시간에 따른 막의 자성특성 변화를 관찰해 보았다. dc magnetron sputter를 이용하여 비정질 합금 자성박막을 증착하였으며, 비정질의 막을 형성하기 위하여 기판은 수냉하였다. 막의 조성은 순철 target위에 올려놓는 pellet의 수를 조절하여, 대략 $Fe_{80-X}Co_XBi_{10}Si_{10}$ (X=8~18 at.%)로 하였으며, 증착된 막의 조성은 ICP 분석법을 이용하여 조사하였다. Sputtering에 의해 증착된 박막의 결정화 유무는 XRD로 분석하였으며, 보자력과 포화 자화값 등의 자기적 성질은 VSM을 이용하여 측정하였다. 실험결과에 따르면 막내 Co 함량이 증가함에 따라 보자력은 감소하는 경향을 나타내었으며, 포화자화 값은 Co 함량이 대략 10 at.%에 도달할 때까지는 증가하다가 그 이상에서는 감소하는 현상을 나타내었다. 그리고 증착 과정중에 막에 생기는 잔류응력의 제거효과를 관찰하기 위해 열처리 온도(100, 200, $300^{\circ}C$)와 시간(0~60분)을 변화시키며 실험한 결과, 예상되었던 바대로 잔류응력의 감소로 인해 Co 첨가시와 마찬가지로 보자력이 감소하는 결과를 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.413-417
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• 1998

In this paper, we investigate frequency dependance of inductance of FeCoB amorphous magnetic films. $(Fe_{1-x}Co_x)_{79}Si_2B_{19}$ was used as the basic composition of amorphous magnetic film having near zero magnetostriction. The amorphous magnetic films were fabricated with x=0.94 and x=0.95 by using sputtering method at high frequency. The films were anneald under non-magnetic field and near crystallization temperatures(30min at $280^{\circ}C$, 30min and 1hr at $400^{\circ}C$, respectively). As the results of the experiments with the fabricated films, the lowest coercive force was 0.084[Oe] at 400[W] of the input power and the crystallization temperature was $360^{\circ}C$ . In the case 30min at 40$0^{\circ}C$ the inductance value in the low frequency with x=0.95 was higher by 488% than that with x=0.94. The quality factor Q was below 0.7 for all samples. We obtained the highest quality value at 400[KHz] with 30min at $280^{\circ}C$ and x=0.94. The value was about 0.62. Also, the quality factor value was about 0.35 at 1[MHz] with 30min at $280^{\circ}C$ and x=0.95.

• 한국표면공학회지
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• 제50권3호
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• pp.177-182
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• 2017

The properties of electroless Ni-B thin film on diamond powder with different parameters (temperature, pH, surfactant etc.) were studied. The surface morphology, structure and composition distribution of the Ni-B film were observed by field effect scanning electron microscope (FE-SEM), energy-dispersive spectrometer (EDS), X-ray diffraction (XRD) and Auger electron spectroscopy (AES). The growth rate of Ni-B film was increased with increase of bath temperature. The B content in Ni-B film was reduced with increase of bath pH. As a result the structure of Ni-B film was changed from amorphous to crystalline structure. The PVP in solution plays multi-functional roles as a dispersant and a stabilizer. The Ni-B film deposited with adding 0.1 mM-PVP was strongly introduced an amorphous structure with higher B content (25 at.%). Also the crystallite size of Ni-B film was reduced from 12.7 nm to 5.4 nm.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1994년도 추계학술대회 논문집
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• pp.190-191
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• 1994

In this paper, We study on the fabrication of amorphous this film of zeromagnetostriction material and the magnetic properties. This films are fabricated by using sputtering method with input power of 400∼607[W], Ar gas pressure of 3∼ 9[mTorr] and target composition of Fe$\sub$4.7/ Co$\sub$74.3/Si$_2$B$\sub$19/. Sample this films with diameter of 14[mm ] and thickness of 27-30[$\mu\textrm{m}$] were obtained through experiments. When we analyzed the magnetic properties before and after annealing with sample thin films, we confirmed that magnetic domain wall amorphous thin films consisted for Neel magnetic domain wall with the width of about 1[$\mu\textrm{m}$].

• 한국자기학회지
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• 제13권5호
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• pp.193-197
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• 2003

우수한 연자성 특성과 자왜 특성을 동시에 나타내는 철계 아몰퍼스 박막을 이용한 고기능성 센서나 신호처리소자와 같은 자기탄성 디바이스를 구현하기 위해서는 자기이방성의 제어가 필요하다. 본 연구에서는 철계 아몰퍼스 박막의 자기이방성을 제어하기 위해서 바이어스 응력을 이용한 자기이방성제어 방법을 제안하였다. 제안한 방법은 박막의 기판을 굴곡시킨 상태에서 열처리를 실시하여 박막의 응력을 해소하고, 열처리 후 박막기판의 형상을 원상으로 복귀시켜서 박막에 바이어스 응력이 인가되도록 하고, 이 응력에 의해서 박막의 자기이방성이 제어되도록 하는 것이다. 응력을 이용하여 자기이방성을 제어한 박막패턴을 자구의 관찰과 자화곡선의 평가를 고찰한 결과, 제안한 자기이방성 제어방법이 유용함을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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• pp.136-139
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• 1997

In this paper, we inveatigate frequency dependance of inductance effects of FeCoB amorphous magnetic films. First, amorphous magnetic film having near zero magnetostriction is the basic composition of (Fe$_{1-x}$ / $Co_{x}$)$_{79}$Si$_2$B$_{19}$ with x=0.94, 0.95 and in order to decrease magnetio . anisotropy, the film was annealed in 28$0^{\circ}C$/30min, 40$0^{\circ}C$/30min, 40$0^{\circ}C$/1hr with near crystallization temperature under non-magnetic field. As result of investigation, in case of x=7.95 than x=0.94, we could have obtained high values, which inductance ratios in the low frequency was 488%. And Quality factor Q was under 0.7 in all sample, in case of annealed in 28$0^{\circ}C$/30min, we could have obtained highest value, which x=0.9fl is about 0.62 in 400[kHz], and in case of x=0.95 was about 0.35 in 1[MHz].z].].

• 센서학회지
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• 제9권1호
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• pp.22-27
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• 2000

고자왜특성과 연자성특성을 가짐으로서 우수한 자기기계결합특성을 나타내는 아몰퍼스 FeCoSiB 박막의 스트레인 검출특성에 대해 연구하였다. 투자율은 박막기판을 마이크로메타를 이용하여 벤딩시켜 박막에 스트레인을 인가하면서 조사하였으며, 이때 박막에 스트레인이 인가되면 박막의 자기기계결합에 의해 투자율이 변화하였다. 스트레인에 의한 성능지수 $F=({\Delta}{\mu}/{\mu})/{\varepsilon}$ (단위스트레인에 대한 투자율의 변화)가 $1.2{\times}10^5$라는 매우 높은 값을 나타내어 본 연구에서 제작한 박막이 스트레인에 대하여 고감도특성을 가지고 있음을 알 수 있었다. 또한 제작된 박막을 센서소자로 응용하기 위해 박막을 미세 가공하고, 스트레인에 대한 고주파 임피던스의 변화를 조사하였으며, 박막의 우수한 자기기계결합특성으로 박막패턴의 임피던스는 인가된 스트레인에 의해 민감하게 변화되었다. 특히, 100MHz의 구동주파수에 있어서 $300{\times}10^{-6}$의 스트레인이 인가된 경우 46%의 임피던스변화율이 얻어졌다. 따라서 본 연구에서 제작한 박막소자는 초고감도의 스트레인 센서로 사용될 수 있을 것으로 기대된다.