• 제목/요약/키워드: F-lattice

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Dissociative adsorption and self-assembly of $CaF_2$ on the Si(001)-$4^{\circ}$ off surface

  • 김희동;;;;서재명
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.132-132
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    • 2012
  • Depositing $CaF_2$[0.6% lattice-mismatch] on the Si(001)-$4^{\circ}$ off surface [composed of a single (001) domain with regularly-arrayed double-layer DB steps and located between (1 1 19) and (1 1 21)] held at $700^{\circ}C$, $CaF_2$ molecules are preferentially adsorbed on the dimers and dissociated to Ca and F atoms. Dissociated Ca atoms form a silicide layer of a $2{\times}3$ structure on the (001) terrace, while F atoms are desorbed from the surface. Once the terrace is covered with a calcium silicide layer, CaF starts to be adsorbed selectively on the steps, as shown in Fig. (a). With $CaF_2$ deposition exceeding 1 ML, the (1 1 17) surface having 1-D $CaF_2$ nanodots are formed as shown in Fig. (b). By the present STM study, it has been clearly disclosed that the calcium silicide interfacial layer is preformed prior to adsorption of $CaF_2$ on vicinal Si(001) surface.

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레이저 간섭 리소그래피를 이용한 2차원 나노 패턴 형성 및 수열합성법을 이용한 ZnO 나노 기둥 2차원 Bravais 격자 제조

  • 김진혁;김태언;김진아;문종하
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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    • pp.51.2-51.2
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    • 2009
  • 본 실험에서는 레이저 간섭 리소그래피를 이용한 2차원 나노 패턴을 형성하였고, 수열합성법을 이용하여 90 도에서 ZnO 나노 기둥을 ZnO/Si 기판 상에 제작 하였다. ZnO 버퍼층은 스퍼터를 이용하여 200도, Ar 분위기에서 증착 하였으며, 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 두 번의 노광을 통해 2차원 나노 패턴을 형성하였다. 먼저, 최적화된 포토레지스트를 ZnO/Si 기판 위에 도포하고, 2500rpm에서 30초간 스핀코팅 한 후, 첫번째 노광을 실시 하였고, ZnO/Si 기판을 회전시켜 첫번째 노광과 교차 시킨 다음 두 번째 노광을 통해 교차하는 부분만 현상되도록 하였다. 기판의 회전 및 기판과 입사 레이저 사이의 각도를 조절하여 제작된 나노 패턴의 종류는 square lattice, centered rectangular lattice, oblique lattice, hexagonal lattice, rectangular lattice, 5가지로, 2차원의 모든 격자를 제작 하였다. 저온 수열합성법에서는 Na citrate를 형상제어제 (surfactant ions)로 사용하여 ZnO 나노 기둥을 형성하였다. $NH_4OH$를 이용하여 용액의 pH를 조절하였고, Zn nitrate hexahydrate를 Zn의 원료 물질로 사용하였다. 2차원 나노 패턴의 3차원 형태는 Atomic force microscopy (AFM, Veeco instruments, USA)를 이용하여 접촉 모드에서 관찰하였고, ZnO 나노 구조는 주사 전자 현미경 (FE-SEM, Model: JSM-6701F, Tokyo, Japan) 를 통하여 분석 하였다. 나노 패턴의 AFM 분석 결과 ZnO/Si 기판상에 포토레지스트가 주기적인 배열을 가지는 것을 확인하였고, ZnO/Si 기판상에 포토레지스트가 완전히 현상된 부분이 일정한 배열을 가지는 것을 확인하였다. 포토레지스트가 현상되어 기판의 표면이 드러난 부분의 크기는 약 250nm로 측정되었다. ZnO 나노 구조의 FE-SEM 분석 결과, 각각의 나노 구조가 나노패턴 중 완전히 현상된 부분만을 통하여 성장되었다는 것을 확인하였고, 형상 제어제로 사용된 Na citrate의 첨가 여부에 따라 나노 구조의 모양이 변화되었다는 것을 알 수 있었다. Na citrate 가 첨가된 나노 기둥의 경우 약 500nm의 길이를 가지는 하나의 기둥 형태로 성장하였다는 것을 확인하였다.

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Cobalt가 첨가된 이트리아 안정화 큐빅지르코니아(YSZ) 단결정의 리간드장에 따른 색상변화 (Color-change for ligand field of cobalt doped yttria stabilized cubic zirconia (YSZ) single crystal)

  • 석정원;최종건
    • 한국결정성장학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.35-40
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    • 2007
  • 스컬(skull)용융법에 의해 성장시킨 코발트($Co^{2+}$)가 도핑(doping)된 $25{\sim}50wt%$의 서로 다른 $Y_2O_3$ 함량을 가진 이트리아 안정화 큐빅지르코니아(YSZ) 단결정을 $N_2$ 분위기 $1000^{\circ}C$에서 5시간 동안 열처리하였다. 적갈색의 단결정들은 각각 보라색 또는 청색으로 변화되었으며, Co가 첨가(doping) 된 처리 전 후의 YSZ들은 직경 6.5, 두께 2 mm의 웨이퍼 또는 직경 10 mm의 라운드브릴리언트 컷(round brilliant cut)으로 연하 하였으며, 광학적 또는 구조적 특성은 UV-VIS 분광광도계와 XRD(X-ray diffraction)로 측정하였으며, $Co^{2+}\;(^4A_2(^4F)\to{^4P})$$Co^{3+}$에 의한 흡수, 에너지 간격(energy gap) 및 격자 매개 변수(lattice parameter)변화가 분석되었다.

UNITARY INTERPOLATION ON AX = Y IN ALG$\mathcal{L}$

  • Kang, Joo-Ho
    • 호남수학학술지
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    • 제31권3호
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    • pp.421-428
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    • 2009
  • Given operators X and Y acting on a Hilbert space $\mathcal{H}$, an interpolating operator is a bounded operator A such that AX = Y. In this paper, we showed the following : Let $\mathcal{L}$ be a subspace lattice acting on a Hilbert space $\mathcal{H}$ and let $X_i$ and $Y_i$ be operators in B($\mathcal{H}$) for i = 1, 2, ${\cdots}$. Let $P_i$ be the projection onto $\overline{rangeX_i}$ for all i = 1, 2, ${\cdots}$. If $P_kE$ = $EP_k$ for some k in $\mathbb{N}$ and all E in $\mathcal{L}$, then the following are equivalent: (1) $sup\;\{{\frac{{\parallel}E^{\perp}({\sum}^n_{i=1}Y_if_i){\parallel}}{{\parallel}E^{\perp}({\sum}^n_{i=1}Y_if_i){\parallel}}:f{\in}H,n{\in}{\mathbb{N}},E{\in}\mathcal{L}}\}$ < ${\infty}$ range $\overline{rangeY_k}\;=\;\overline{rangeX_k}\;=\;\mathcal{H}$, and < $X_kf,\;X_kg$ >=< $Y_kf,\;Y_kg$ > for some k in $\mathbb{N}$ and for all f and g in $\mathcal{H}$. (2) There exists an operator A in Alg$\mathcal{L}$ such that $AX_i$ = $Y_i$ for i = 1, 2, ${\cdots}$ and AA$^*$ = I = A$^*$A.

NORMAL INTERPOLATION ON AX = Y IN ALG$\mathcal{L}$

  • Jo, Young-Soo
    • 호남수학학술지
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    • 제30권2호
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    • pp.329-334
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    • 2008
  • Given operators X and Y acting on a Hilbert space $\mathcal{H}$, an interpolating operator is a bounded operator A such that AX = Y. In this article, the following is proved: Let $\mathcal{L}$ be a subspace lattice on $\mathcal{H}$ and let X and Y be operators acting on a Hilbert space H. Let P be the projection onto the $\overline{rangeX}$. If PE = EP for each E ${\in}$ $\mathcal{L}$, then the following are equivalent: (1) sup ${{\frac{{\parallel}E^{\perp}Yf{\parallel}}{{\parallel}E^{\perp}Xf{\parallel}}}:f{\in}\mathcal{H},\;E{\in}\mathcal{L}}$ < ${\infty},\;\overline{rangeY}\;{\subset}\;\overline{rangeX}$, and there is a bounded operator T acting on $\mathcal{H}$ such that < Xf, Tg >=< Yf, Xg >, < Tf, Tg >=< Yf, Yg > for all f and gin $\mathcal{H}$ and $T^*h$ = 0 for h ${\in}\;{\overline{rangeX}}^{\perp}$. (2) There is a normal operator A in AlgL such that AX = Y and Ag = 0 for all g in range ${\overline{rangeX}}^{\perp}$.

A Study on Spin-Lattice Relaxation of $^{19}$F Spins in Benzotrifluoride: Contributions from Dipole-Dipole Interaction and Spin-Rotation Interaction

  • Hyun Namgoong;Jo Woong Lee
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제14권1호
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    • pp.91-95
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    • 1993
  • In this work we have studied the spin-lattice relaxation of $^{19}$F spins in benzotrifluoride in our quest for a reliable method of discriminating the contribution due to dipolar relaxation mechanism from that due to spin-rotational mechanism for nuclear spins located on methyl or substituted methyl group in organic molecules. Over the temperature range of 248-268 K the decay of normalized longitudinal magnetization was found to be well described by a two parameter equation of the form R(t) = exp(-st){$\frac{5}{6}$exp(-s$_1$)+$\frac{1}{6}$} which was derived under the assumption that interactions in the A3 spin system are modulated randomly and predominantly by internal rotational motions of -CF_3$ top, and it was shown that the separation of contribution due to dipolar interactions from that due to spin-rotation interaction could be successfully achieved by least-square fitting of observed data to this equation. The results indicate that the spin-rotational contribution is overwhelmingly larger than that of dipolar origin over the given temperature range and becomes more deminating at higher temperature.

밀집된 상자성체 $CuF_{2}$의 초교환 상호작용 (Superexchange in the Dense Paramagnet $CuF_{2}$)

  • Jun Hyeong Kim;Chang Hoon Lee;Cheol Eui Lee
    • 한국자기학회지
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    • 제5권3호
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    • pp.171-174
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    • 1995
  • 성자성 $CuF_{2}$$^{19}F$에 대한 펄스 핵자기공명을 수행하였다. 분말시료에 대하여 상온과 질소온도에서 측정된 선모양은 서로 다른 자리의 $^{19}F$에 대응하는 잘 분리된 두개의 공명선으로 구성되었다. 두 공명선의 서로 다른 주파수 이동량을 구리원자로부터 불소 원자로 부분적으로 이동된 전자에 의한 기여로 해석할 수 있었다. 두 공명선은 모두 매우 짧은 스핀-격자 완화시간($T_{1}$)을 나타내었으며 더 큰 주파수 이동을 나타내는 $^{19}F$ 공명선이 더 짧은 스핀-격자 완화시간을 보였다. 이를 두 $^{19}F$ 자리 주위의 서로 다른 전자 환경이 반영되어 나타난 것으로 해석하였다.

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R. F. Sputter법으로 성장된 AIN 완충층이 GaN 박막결함에 미치는 영향 (Effect of AIN Buffers by R. F. Sputter on Defects of GaN Thin films)

  • 이민수
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제17권5호
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    • pp.497-501
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    • 2004
  • The crystal structure of the GaN film on the AIN buffer layer grown by R. F sputtering with different thickness has been studied using X-ray scattering and transmission electron microscopy(TEM). The interface roughness between the AIN buffer layer and the epitaxial GaN film, due to crossover from planar to island grains, produced edge dislocations. The strain, coming from lattice mismatch between the AIN buffer layer and the epitaxial GaN film, produced screw dislocations. The density of the edge and screw dislocation propagating from the interface between the GaN film and the AIN buffer layer affected the electric resistance of GaN film.

표면에너지의 이방성에 따른 다공체의 조직변화 시뮬레이션 (Simulation on the Microstructure Development of Porous Materials with Respect to the Surface Energy Anisotropy)

  • 신순기
    • 한국재료학회지
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    • 제17권9호
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    • pp.500-506
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    • 2007
  • The effects of anisotropic surface energy on the microstructure development of porous materials have been studied through Monte Carlo simulation using a three dimensional lattice. The changes in porosity ($f_v$), mean grain diameter ($D_s$), fraction of connected pores ($f_{v,c}$) and contiguity of the solid phase (C) were examined in cases with three different ${\gamma}_{SV}$ relations and initial grain diameters ($D_{s,o}$). It has been found that larger ${\gamma}_{SV}$ enhances sintering of particles and increases C and does not change $D_s$. And Introducing anisotropic ${\gamma}_{SV}$ brought an increase in $f_v$ and $f_{v,c}$ and an decrease in $D_s$ and C, and this tendency become more marked for fine $D_{s,o}$.

내부자유도를 갖는 차분래티스볼츠만 모델에 의한 에지톤의 수치계산 (Numerical Simulation of Edge Tone by Finite Difference Lattice Boltzmann Model with Internal Degree of Freedom)

  • 강호근;김은라;오세경
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제29권8호
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    • pp.929-937
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    • 2005
  • A lattice BGK model based on a finite difference scheme with an internal degree of freedom is employed and it is shown that a diatomic 9as such as air is successfully simulated In a weak compressive wane problem and Coutte flow, the validity and characteristics of the applied model are examined. With the model. furthermore. we present a 2-dimensional edge tones to predict the frequency characteristics of discrete oscillations of a jet-edge feedback cycle by the FDLB model (I.D.F FDLBM) in which any specific heat ratio $\gamma$ can be chosen freely. The jet is chosen long enough in order to guaranteed the Parabolic velocity profile of a jet at the outlet. and the edges have of an angle of $\alpha$=$23^{0}$ and $20^{0}$. A sinuous instability wane with real frequency resulting from Periodic oscillation of the jet around the edge is propagated on the upper and lower of wedge.