Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.6
no.3
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pp.101-105
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2005
Electroluminescence(EL) and current-voltage(I-V) characteristics of hybrid EL devices containing Pr and Mn co-doped ZnS nanoparticles were investigated in this study. For the insertion of a hole transport layer of poly (N-vinyl carbazole)(PVK), the current level became lower due to the accumulation of electrons at the interface between PVK and nanoparticles. When both PVK and buffer layer $BaF_2$ were simultaneously introduced, the enhanced EL efficiency and improved I-V characteristics were obtained. This results from the additional increase of hole injection owing to the internal field induced by the significant accumulation of electrons at the interface. The presence of buffer layer $BaF_2$ together with PVK makes it possible the charge accumulation enough to induce the sufficient internal field for further hole injection.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.9
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pp.696-700
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2010
We fabricated red and blue organic light emitting display (OLEDs) which had the two kinds of multi-structure of ITO/HIL/HTL/EML/ETL/LiF/Al and ITO/HIL/HTL/EML/ETL/LiF/Al/LiF. In the case of red OLED that had LiF/Al/LiF structure compared to LiF/Al structure, the current density increased from 4.3 mA/$cm^2$ to 7.3 mA/$cm^2$, and the brightness increased from 488 cd/$m^2$ to 1,023 cd/$m^2$ at 7.0 V, and as a result the current efficiency was improved from 11.28 cd/A to 13.95 cd/A. Also in the case of blue OLED that had LiF on Al cathode layer, the current density increased from 1.2 mA/$cm^2$ to 1.8 mA/$cm^2$, and the brightness increased from 45 cd/$m^2$ to 85 cd/$m^2$ at 7.0 V, and as a result the current efficiency was improved from 3.69 cd/A to 4.82 cd/A. Through these experimental results it could be suggested that the LiF layer formed on Al prevents the oxidation of Al surface, and the electrode resistance become low with increase of supplied electrons, therefore the brightness and the efficiency are improved from the influence to the well-balanced bonding of electron and hole at emitting layer.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.13
no.4
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pp.257-263
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2015
In this study, organic field-effect transistors (OFETs) using a copper phthalocyanine (CuPc) material as an active layer and SiO2 as a gate insulator were fabricated with varying active layer thicknesses and channel lengths. Further, using a thermal evaporation method in a high-vacuum system, we fabricated a CuPc FET device of the top-contact type and used Au materials for the source and drain electrodes. In order to discuss the channel formation and FET characteristics, we observed the typical current-voltage characteristics and calculated the threshold voltage of the CuPc FET device. We also found that the capacitance reached approximately 97 pF at a negative applied voltage and increased upon the accumulation of carriers at the interface of the metal and the CuPc material. We observed the typical behavior of a FET when used as an n-channel FET. Moreover, we calculated the threshold voltage to be about 15-20 V at VDS = -80 V.
Following the companion paper (I. Comparisons with Well-known Seismic Code and Site Response Characteristics), several acceleration data recorded during recent earthquake events in Korea were analyzed to verify the suitability of the proposed two-parameters site classification system and the corresponding site coefficients. For all of rock-soil site pairs less than 30 km distant, response spectrums and corresponding site coefficients, $F_a$ and $F_v$, were determined. Unfortunately, some of data have an eccentric error, where the spectral acceleration of rock site is more amplified than that of soil site. The $F_a$ and $F_v$ for all of pairs except the pairs of error were compared with those in the current code and the proposed system. The $F_a$ and $F_v$ from the recorded motions show definitely different trend from that of the current code. In addition, the site coefficients from recorded motions at four 765 kV substation sites, which are several hundred meters distant, have a remarkably similar trend and absolute values to those in proposed two-parameters site classification system. Based on earthquake motions recorded in domestic areas including data from the four 765 kV substation sites, the two-parameters site classification and site coefficients are superior to the results obtained from the current Korean seismic code.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1997.07a
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pp.169-172
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1997
MgO dielectric pprotection layer is ppreppared by R.F. reactive magnetron spputtering with Mg target under various conditions of spputtering ppressure, time and substrate tempperature. Discharge characteristics of ppDpp is also studied as a pparameter of MgO pprepparation conditions. As the working ppressure and substrate tempperature was increase, the discharge voltage was decreased. Two kinds of MgO ppreppared both spputtering and E-beam methods were stable after annealing at 35$0^{\circ}C$ for 120min. discharge voltage under 3 mixed gas(He+Xe0.2%+Ne30%) was V=130V, V=102V and ${\gamma}$ coefficient was twiced as much as that of dielectric layer.
The positive column discharge characteristics in the long gap (440 ${\mu}m$) are investigated based on the voltage distribution among three electrodes. In particular, the effects of the amplitude and width of the short pulse applied to the address electrode on the positive column discharge characteristics are examined intensively. By proper controlling of the amplitude and width of the address short pulse, it is found that the positive column discharge in the long gap is well constructed. As a result, under the stable static voltage margin condition, the firing and sustaining voltages are as low as those of conventional short gap(60 ${\mu}m$) discharge($V _f=220V$, $V_s=150V$) and the color purity is improved. Moreover, the luminous efficiency increases up to 60% in comparison with the conventional case.
For the process simplification in the fabrication of organic light emitting diode(OLED), top emission OLED (TEOLED) was fabricated without lithium fluoride(LiF) used as an electron injection layer (EIL). After co-deposition of Mg and Ag with a different process conditions, a cathode material adjacent to EIL was optimized when Mg and Ag have a ratio of 1:9 considering sheet resistance and transmittance. From the energy band diagram of TEOLED, band gap difference between Trisaluminium (Alq3) and Mg:Ag cathode show the difference of 0.4 eV according to the usage of LiF The fabricated TEOLED without LiF showed the improvement of 5.2 % and 2.7 % in the luminance and the current density comparing that with LiF. The results show there is no significant difference in OLED characteristics regardless of LIF layer in the TEOLED structures.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.6
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pp.28-36
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1998
We have proposed a new non-inverting SOI buffer circuit for the high speed operation at low supply voltage. The body biases of main MOS devices in the proposed circuit are controlled dynamically via subsidiary MOS device connected efficiently to the body terminal. We showed current derivability of the body controlled devices obtained by device simulation and compared with that of conventional SOI devices. Delay time characteristics of the buffer circuit were analyzed by SPICE simulation and compared with those of conventional SOI CMOS buffer circuits. Delay time reduction of the SOI buffer over conventional SOI CMOS buffer with same area is about 36 % at $V_{S}$=1.2 V and $C_{L}$=2 pF. pF.
The effects of elevated atmospheric $CO_2$ on growth and photosynthesis of soybean (Glycine max Merr.) were investigated to predict its productivity under elevated $CO_2$ levels in the future. Soybean grown for 6 weeks showed significant increase in vegetative growth, based on plant height, leaf characteristics (area, length, and width), and the SPAD-502 chlorophyll meter value (SPAD value) under elevated $CO_2$ conditions ($800{\mu}mol/mol$) compared to ambient $CO_2$ conditions ($400{\mu}mol/mol$). Under elevated $CO_2$ conditions, the photosynthetic rate (A) increased although photosystem II (PS II) photochemical activity ($F_v/F_m$) decreased. The maximum photosynthetic rate ($A_{max}$) was higher under elevated $CO_2$ conditions than under ambient $CO_2$ conditions, whereas the maximum electron transport rate ($J_{max}$) was lower under elevated $CO_2$ conditions compared to ambient $CO_2$ conditions. The optimal temperature for photosynthesis shifted significantly by approximately $3^{\circ}C$ under the elevated $CO_2$ conditions. With the increase in temperature, the photosynthetic rate increased below the optimal temperature (approximately $30^{\circ}C$) and decreased above the optimal temperature, whereas the dark respiration rate ($R_d$) increased continuously regardless of the optimal temperature. The difference in photosynthetic rate between ambient and elevated $CO_2$ conditions was greatest near the optimal temperature. These results indicate that future increases in $CO_2$ will increase productivity by increasing the photosynthetic rate, although it may cause damage to the PS II reaction center as suggested by decreases in $F_v/F_m$, in soybean.
Nondestructive tests were performed on two 4.16kV motors. Epoxy-mica coupler(80pF) was connected to 4.16 kV motor stator windings. The voltage applied to the stator windings was 2.4 kV, 3.0kV, 3.5kV and 4.16kV, respectively. Digital partial discharge detector(PDD) and turbine generator analyzer(TGA) were used to measure partial discharge(PD) activity. TGA summarizes each plot with two quantities such as the normalized quantity number(NQN) and the peak PD magnitude(Qm). The PD levels in pC were measured with PDD. PD patterns of stator windings were indicated the internal discharge. PD patterns are consistent with the result of measurement using PDD and TGA.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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