터보과급기는 엔진에 장착하여 연비를 개선하는 효과적인 장치로 디젤엔진과 가솔린엔진 모두에서 광범위하게 사용되고 있다. 본 연구에서는 승용차용 가솔린엔진에 장착되는 트윈 스크롤 터빈 터보과급기에서 정상유동의 등엔트로피 터빈 효율을 분석하였다. 자체 설계 제작한 저온 테스트 벤치를 사용하여 정상상태의 압력과 온도, 질량유량을 측정하였다. 테스트 벤치는 공기 압축기, 트윈 스크롤 터빈, 온도 및 압력 측정장치 등으로 구성되었다. 실제 승용차용 엔진에서 주로 사용되는 중저속 엔진 작동 영역에 해당하는 터보과급기 회전속도 60,000 rpm에서 100,000 rpm 의 범위에서 측정을 수행하였다. 이 회전속도 범위에서 등엔트로피 터빈 효율은 0.53에서 0.57의 값을 보였다. 이때 블레이드 속도비은 0.71에서 0.84까지, 팽창비는 1.24에서 1.72의 범위에서 변화하였다. 효율은 블레이드 속도비와 팽창비가 증가하면서 감소하는 경향을 보였다. 그리고 트윈 스크롤 중 스크롤 A 또는 B 만 작동하는 경우에 대한 실험을 수행하여 결과를 스크롤 A와 B 모두 작동할 때와 비교하였다. 60,000 rpm에서는 스크롤 B를 사용한 경우, 그리고 100,000 rpm에서는 스크롤 A를 사용한 경우 높은 효율을 보였다. 따라서 본 연구에 사용한 트윈 스크롤 터빈은 효율적으로 작동하고 있음을 보였다.
Kim, Myung-Chan;Heo, Cheol-Ho;Park, Jin-Hyo;Park, Seung-Jun;Han, Jeon-Geon
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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pp.122-122
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1999
Graphite with its advantages of high thermal conductivity, low thermal expansion coefficient, and low elasticity, has been widely used as a structural material for high temperature. However, graphite can easily react with oxygen at even low temperature as 40$0^{\circ}C$, resulting in CO2 formation. In order to apply the graphite to high temperature structural material, therefore, it is necessary to improve its oxidation resistive property. Silicon Carbide (SiC) is a semiconductor material for high-temperature, radiation-resistant, and high power/high frequency electronic devices due to its excellent properties. Conventional chemical vapor deposited SiC films has also been widely used as a coating materials for structural applications because of its outstanding properties such as high thermal conductivity, high microhardness, good chemical resistant for oxidation. Therefore, SiC with similar thermal expansion coefficient as graphite is recently considered to be a g행 candidate material for protective coating operating at high temperature, corrosive, and high-wear environments. Due to large lattice mismatch (~50%), however, it was very difficult to grow thick SiC layer on graphite surface. In theis study, we have deposited thick SiC thin films on graphite substrates at temperature range of 700-85$0^{\circ}C$ using single molecular precursors by both thermal MOCVD and PEMOCVD methods for oxidation protection wear and tribological coating . Two organosilicon compounds such as diethylmethylsilane (EDMS), (Et)2SiH(CH3), and hexamethyldisilane (HMDS),(CH3)Si-Si(CH3)3, were utilized as single source precursors, and hydrogen and Ar were used as a bubbler and carrier gas. Polycrystalline cubic SiC protective layers in [110] direction were successfully grown on graphite substrates at temperature as low as 80$0^{\circ}C$ from HMDS by PEMOCVD. In the case of thermal MOCVD, on the other hand, only amorphous SiC layers were obtained with either HMDS or DMS at 85$0^{\circ}C$. We compared the difference of crystal quality and physical properties of the PEMOCVD was highly effective process in improving the characteristics of the a SiC protective layers grown by thermal MOCVD and PEMOCVD method and confirmed that PEMOCVD was highly effective process in improving the characteristics of the SiC layer properties compared to those grown by thermal MOCVD. The as-grown samples were characterized in situ with OES and RGA and ex situ with XRD, XPS, and SEM. The mechanical and oxidation-resistant properties have been checked. The optimum SiC film was obtained at 85$0^{\circ}C$ and RF power of 200W. The maximum deposition rate and microhardness are 2$mu extrm{m}$/h and 4,336kg/mm2 Hv, respectively. The hardness was strongly influenced with the stoichiometry of SiC protective layers.
본 연구는 통상진출측면에서 UAE 의약품 시장의 점유율 확대 전략을 중심으로 시장세분화, 목표시장 결정, 제품 위치선정과 아울러 목표시장 내에서의 시장촉진 관리를 내용으로 문헌연구를 실시하였다. 기본적으로 STP전략과 Marketing Mix전략의 개념을 적용하여 본 연구의 실무적 시사점을 도출하였다. 우리나라 의약품산업은 국내의 다양한 제도적 제약으로 인한 국내시장 성장의 확대에 한계를 가지고 있다. 한편 UAE 의료산업은 지속적인 유가 상승에 따른 경기의 활성화와 정부의 적극적인 지원 정책으로 급성장하고 있다. UAE 정부는 의료시설 확충과 의료수준 향상을 위해 2014년 의료산업에 1600억 달러의 투자를 계획하고 있다. UAE의 의료부문은 각 에미리트별로 단독적인 규제 체제를 갖추고 있다. UAE는 해외 노동자 유입으로 높은 인구증가율을 보이고 있는데, 지난 30년 동안 UAE 거주인구는 약 7배가 증가했다. UAE 정부는 의료서비스 질을 개선하기 위해 민간부문과 공공기간의 파트너십(PPP) 체결을 장려하며 외국인 직접투자에도 규제가 없으므로 우리 기업으로서는 거대 다국적 기업과 무한 경쟁을 준비해야 하는 시점에서 이러한 분석결과는 의약품 수출활성화 측면의 환국의 비즈니스환경 분석과 UAE 시장에 대한 진출전략 측면에서 시사점을 도출하였다는 점에서 실학적 가치를 찾을 수 있다. 또한, 해외진출 활성화와 더불어 한국의 취약한 의약품 산업 개발을 위한 지속적인 전략 개발의 타당성을 확보해준다는 측면에서 학문적 의미가 있다.
국내 RC 슬래브교의 경우 공용연수가 20년 이상인 교량이 전체의 70% 이상을 차지하며, 노후화된 구조물의 수가 증가함에 따라 구조물의 안전 진단 및 유지관리의 중요성이 증가하는 실정이다. 고속도로 교량의 경우 바닥판 균열은 열화현상의 우선적인 원인이 되며, 교량 내구성 및 사용수명 저하에 밀접한 관계가 있다. 또한 신축이음과 교량받침 등의 부재 손상으로 인한 손상 발생 비율이 약 73%로 주부재보다 높다. 따라서 본 연구에서 교량 부재 손상과 바닥판 열화가 결합된 손상 시나리오를 정의하였다. 설계하중으로는 일교차를 고려한 온도 증감과 차랑햐중을 고려하여 개별 단일 손상 및 이종손상 시나리오 발생 시 바닥판 응력 분포와 최대 응력 발생 지점을 비교 분석하였다. 또한 바닥판 열화의 주요한 원인이 되는 균열의 점검 및 진단이력데이터 기반으로 공용연수 별 손상 시나리오에 대한 손상확산 분석 및 상태등급 예측을 수행하였다. 교량부재 손상이 동반되어 발생하는 이종손상의 경우 단일손상 대비 균열 면적율과 손상확산율이 증가되며, 상태등급 C에 도달하는 시기도 매우 빠를 것으로 예측된다. 따라서 교량부재 손상이 발생하였을 때, 신속한 보수 및 교체가 이루어지지 않으면 바닥판의 손상 발생과 손상 확산으로 인한 2차 피해를 유발하는 원인이 될 수 있다. 따라서 바닥판 응답에 대한 지속적인 관찰과 대응이 필요할 것으로 판단된다.
최근 ICT 및 IoT 제품의 활용 분야가 다양화 되면서 오픈소스 소프트웨어의 활용 분야가 컴퓨터, 스마트폰, IoT 디바이스 등 다양한 기기와 환경에서 활용되고 있다. 이처럼 오픈소스 소프트웨어의 활용분야가 다양해짐에 따라 오픈소스의 보안 취약점을 악용하는 불법적인 사례가 지속적으로 증가하고 있다. 이에 따라 다양한 시큐어 코딩을 위한 도구나 프로그램이 출시되고 활용되고 있지만 여전히 많은 취약점들이 발생하고 있다. 본 논문에서는 안전한 오픈 소스 소프트웨어 개발을 위해 오픈 소스의 취약점 분석 결과에 의한 이력과 패턴을 지속적으로 학습하여 신규 취약점 분석에 활용할 수 있는 방법을 제안한다. 본 연구를통해 취약점 이력 및 패턴 학습기반의 취약점 분석 시스템을 설계하였으며, 프로토타입으로 구현하여 실험을 통해 시스템의 성능을 평가하였다. 5개의 취약점 항목에 대해 평균 취약점 검출 시간은 최대 약 1.61sec가 단축되었으며, 평균 검출 정확도는 약 44%point가 향상된 것을 평가결과에서 확인할 수 있었다. 본 논문의 내용 및 결과는 소프트웨어 취약점 연구 분야에 대한 발전과 소프트웨어 개발자들의 취약점 분석을 통한 시큐어 코딩에 도움이 될 것을 기대한다.
AlGaN는 3.4~6.2 eV까지 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 최근에 자외영역의 광소자가 다양하게 응용되면서 자외선 발광이 가능한 AlGaN 역시 주목받고 있다. 이를 위해서는 고품질의 AlGaN 층이 필요하지만 GaN 층위에 AlGaN 층을 성장하는 것은 이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이 적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써 AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피 성장을 위해 HCl과 $NH_3$ 가스를 혼합소스 표면으로 흘려주었고, 수송가스로는 $N_2$를 사용하였다. 소스영역과 성장영역의 온도는 각각 900과 $1090^{\circ}C$로 안정화하였다. 성장 후 샘플은 x-ray diffraction(XRD)과 electro luminescence(EL) 측정을 하였다.
오늘날 문화산업은 전반적으로 예술에 대한 관심보다 상업적 경제적 가치에 치중해 왔으나, 본 연구는 예술적 문화적 의미가 궁극적으로 상업적 경제적 가치를 포괄하여 뛰어넘을 수 있는 돌파구가 될 수 있을 것이다. 이를 위해 본 논문은 실감미디어 아트의 사례분석과 실감미디어 현황살피기를 통하여 3D 입체영상이 나아갈 바를 예측하고 제시한다. 먼저 기술개발과 소비환경의 변화를 살펴보면, SF영화 '마이너리티 리포트'에 나온 모션인식기술이 현재 실현가능한 기술이다. 3D 입체영상은 테마파크와 체험관에서 단체 상영되었지만 오늘날 3D TV와 3D 모니터 개발은 개별적인 소비환경으로 변화시키고 있다. 따라서 본 연구는 국내에서 거의 연구되지 않았던 실감미디어 아트를 크게 세 분류로 나누어 분석한다. 그 결과는 첫째, CAVE방식에서 관람자들이 자유롭게 인터페이스를 조작하거나 관람자의 직접적인 움직임에 따라 연동할 수 있는 관람자의 영향력 확대를 예상한다. 둘째, HMD방식과 센서슈트 혹은 통신장비를 통해 관람자의 지각확장과 상호 네트워크적인 형태를 예측한다. 셋째, HMD와 모션트래킹 재킷의 활용도 예견된다. 이 세 가지 특징의 융합적 활용을 통해 관람자의 시점에서 디스플레이 기기 착용으로 3D 입체영상을 체감하고 개입할 수 있는 능동적 4D의 가능성을 전망한다.
Kim, Young Heon;Ahn, Sang Jung;Noh, Young-Kyun;Oh, Jae-Eung
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.327.1-327.1
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2014
Nitrides-on-silicon structures are considered to be an excellent candidate for unique design architectures and creating devices for high-power applications. Therefore, a lot of effort has been concentrating on growing high-quality III-nitrides on Si substrates, mostly Si(111) and Si(001) substrates. However, there are several fundamental problems in the growth of nitride compound semiconductors on silicon. First, the large difference in lattice constants and thermal expansion coefficients will lead to misfit dislocation and stress in the epitaxial films. Second, the growth of polar compounds on a non-polar substrate can lead to antiphase domains or other defective structures. Even though the lattice mismatches are reached to 16.9 % to GaN and 19 % to AlN and a number of dislocations are originated, Si(111) has been selected as the substrate for the epitaxial growth of nitrides because it is always favored due to its three-fold symmetry at the surface, which gives a good rotational matching for the six-fold symmetry of the wurtzite structure of nitrides. Also, Si(001) has been used for the growth of nitrides due to a possible integration of nitride devices with silicon technology despite a four-fold symmetry and a surface reconstruction. Moreover, Si(110), one of surface orientations used in the silicon technology, begins to attract attention as a substrate for the epitaxial growth of nitrides due to an interesting interface structure. In this system, the close lattice match along the [-1100]AlN/[001]Si direction promotes the faster growth along a particular crystal orientation. However, there are insufficient until now on the studies for the growth of nitride compound semiconductors on Si(110) substrate from a microstructural point of view. In this work, the microstructural properties of nitride thin layers grown on Si(110) have been characterized using various TEM techniques. The main purpose of this study was to understand the atomic structure and the strain behavior of III-nitrides grown on Si(110) substrate by molecular beam epitaxy (MBE). Insight gained at the microscopic level regarding how thin layer grows at the interface is essential for the growth of high quality thin films for various applications.
임베디드 응용프로그램 개발의 적시성(time-to-market)을 위해, 기존 임베디드 응용프로그램의 재사용 기법과 각기 다른 플랫폼에 인터페이스 시켜주는 인터페이스용 미들웨어에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 인터페이스용 미들웨어 연구로서 기존의 MT 프로젝트, Xenomai, Legacy2linux 기술들은 미들웨어에서 제공되는 API가 특정 운영체제에 종속되거나 API의 확장성을 제공하지 못한다는 한계점이 있다. 본 논문에서 제안하는 임베디드 시스템 인터페이스용 미들웨어는 운영체제에 대한 종속성을 제거하여 다양한 운영체제를 지원한다. 또한, 미들웨어의 확장 및 동적 재구성이 가능한 컴포넌트 기반 구조로 설계되어, 자원 제한적인 임베디드 시스템에서 응용프로그램을 효율적으로 실행시킬 수 있다. 본 논문에서 제안하는 미들웨어의 추가에 따른 응용프로그램의 실행 지연은 미들웨어 API의 실행 시 최소 $0.3{\mu}sec$에서 최대 $5{\mu}sec$ 정도이며, 이는 응응프로그램의 실행 성능에 큰 영향을 주지 않을 것으로 판단된다.
본 연구는 앞서 가족이야기(familyStory)를 중심으로 인터렉티브 스토리텔링을 지원하는 데이터의 서술구조연구를 바탕으로 이를 적용하기위한 저작지원시스템 설계 및 구현에 대한 연구이다. 가족이야기 저작지원도구는 1,2세대의 경험적 지식의 이야기를 텍스트, 이미지, 영상 등 디지털 매체를 사용하여 쉽게 저작할 수 있으며, 저작된 다양한 장르의 가족이야기를 가지고 3세대와의 소통을 위한 도구로 활용하거나, 이야기를 재구성하여 창작이야기를 작성하는데 활용 가능하다. 각 세대 간의 대화 단절과, 창작 인프라가 부족한 한국의 현황에서 가족이야기 저작지원도구 연구를 통하여 한 가정의 역사와 가족 구성원의 가치와 완성도 높은 이야기를 다큐멘터리 작성기반을 갖는데 일차적 목표를 갖으며, 또한 이 과정에서 장르별 가족이야기의 소재를 선택하여 창작기반 저변확대에 기여하고자 한다. 향후 각 분야별 특성에 맞는 저작도구의 확대와 연계 연구에 활용할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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